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Volume 18, Issue 12, Dec 1997
Table of Content
CONTENTS
Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究
魏彦锋, 黄大鸣, 王东红, 靳彩霞, 王杰, 沈孝良
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 881-887
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碲镉汞表面氧化特性的光电子能谱研究
李毅, 何嵩, 易新建
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 888-893
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SOI栅控混合管(GCHT)集电极电流的分区模型
黄如, 王阳元, 韩汝琦
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 894-900
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新型真空微电子压力传感器特性研究和实验制作
夏善红, 刘加, 陈绍凤, 韩泾鸿, 崔大付
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 901-906
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半导体分布反馈激光器的等效耦合系数
陈昌华, 陈良惠, 王启明, 徐俊英
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 907-911
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硅微波功率器件二次发射极镇流研究
王因生, 林金庭, 张树丹
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 912-915
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一种改进的便于实现的红外焦平面阵列不均匀性校正算法
王瑞忠, 陈培毅, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 916-920
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高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术研究
黄宜平, 李爱珍, 邹斯洵, 李金华, 竺士炀
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 921-925
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MZOS结构的电学性质及退火效应
亢效虎, 何山虎, 桑保生
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 926-930
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Crystal-Field Symmetry of LuminescenceCenter in Er-Implanted Silicon
雷红兵, 杨沁清, 王启明, 周必忠
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 931-934
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高质量GaN材料的GSMBE生长
王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 张剑平, 付荣辉, 朱世荣, 曾一平, 李晋闽, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 935-938
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Si中Ge量子点的光致发光
胡冬枝, 朱海军, 蒋最敏, 黄大鸣, 张翔九, 王迅
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 939-941
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100GHz带宽的光电导探测器芯片
王纪龙, 王云才, 徐遵图
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 942-945
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形成硅多层微机械结构的“掩模-无掩模”腐蚀新技术
李昕欣, 杨恒, 沈绍群, 鲍敏杭
Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 946-950
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