Archive

Volume 20, Issue 4, Apr 1999

• CONTENTS

  InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性

  郑联喜, 胡雄伟, 韩勤

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 265
  

  MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究

  孙一军, 夏冠群, 张良莹, 姚熹

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 270
  

  含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器

  罗毅, 文国鹏, 甘雨农, 张克潜

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 274
  

  InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性

  杨国文, 徐俊英, 徐遵图, 张敬明, 陈良惠

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 278
  

  900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性

  张进书, 金晓军, 贾宏勇, 陈培毅, 钱佩信, 罗台秦, 杨增敏, 黄杰, 梁春广

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 284
  

  GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管

  刘学锋, 王玉田, 刘金平, 李建平, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 287
  

  HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究

  张兴宏, 夏冠群, 徐元森, 徐波, 杨玉芬, 王占国

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 292
  

  浮空场板的二维数值分析

  张旻, 李肇基

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 298
  

  流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运

  武建青, 刘振兴, 江德生, 孙宝权

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 303
  

  可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构

  牛智川, 周增圻, 潘钟, 吴荣汉

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 309
  

  硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备

  吴俊辉, 邹建平, 朱青, 鲍希茂

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 314
  

  Study on Interfacial SiO_2 Layer of Silicon Direct Bonding

  He Jin, Wang Xin, Chen Xingbi

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 319
  

  中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑

  周伯骏, 王占国

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 324
  

  室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器

  汪辉, 朱海军, 王晓东, 王海龙, 封松林

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 328
  

  固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质

  陈开茅, 孙文红, 秦国刚, 吴克, 李传义, 章其麟, 周锡煌, 顾镇南

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 333
  

  用电流扫描法在Si(111)-7×7表面上实现单原子操纵

  杨海强, 高聚宁, 薛增泉, 庞世瑾

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 338
  

  GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究

  凌勇, 周赫田, 朱星, 黄贵松, 党小忠, 张国义

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 341
  

  氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究

  谢二庆, 徐灿, 王永谦, 陈光华

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 346
  

  单稳双稳态转变逻辑单元等效电路模型

  张斌, 阮刚, 薛乐川

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 349
  

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved