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Volume 20, Issue 4, Apr 1999

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InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性

郑联喜, 胡雄伟, 韩勤

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 265-269

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 265.

郑联喜, 胡雄伟, 韩勤. InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 265..Export: BibTex EndNote

郑联喜, 胡雄伟, 韩勤. InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 265...

MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究

孙一军, 夏冠群, 张良莹, 姚熹

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 270-273

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 270.

孙一军, 夏冠群, 张良莹, 姚熹. MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 270..Export: BibTex EndNote

孙一军, 夏冠群, 张良莹, 姚熹. MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 270...

含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器

罗毅, 文国鹏, 甘雨农, 张克潜

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 274-277

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 274.

罗毅, 文国鹏, 甘雨农, 张克潜. 含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 274..Export: BibTex EndNote

罗毅, 文国鹏, 甘雨农, 张克潜. 含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 274...

InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性

杨国文, 徐俊英, 徐遵图, 张敬明, 陈良惠

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 278-283

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 278.

杨国文, 徐俊英, 徐遵图, 张敬明, 陈良惠. InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 278..Export: BibTex EndNote

杨国文, 徐俊英, 徐遵图, 张敬明, 陈良惠. InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 278...

900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性

张进书, 金晓军, 贾宏勇, 陈培毅, 钱佩信, 罗台秦, 杨增敏, 黄杰, 梁春广

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 284-286

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 284.

张进书, 金晓军, 贾宏勇, 陈培毅, 钱佩信, 罗台秦, 杨增敏, 黄杰, 梁春广. 900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 284..Export: BibTex EndNote

张进书, 金晓军, 贾宏勇, 陈培毅, 钱佩信, 罗台秦, 杨增敏, 黄杰, 梁春广. 900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 284...

GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管

刘学锋, 王玉田, 刘金平, 李建平, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 287-291

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 287.

刘学锋, 王玉田, 刘金平, 李建平, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英. GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 287..Export: BibTex EndNote

刘学锋, 王玉田, 刘金平, 李建平, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英. GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 287...

HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究

张兴宏, 夏冠群, 徐元森, 徐波, 杨玉芬, 王占国

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 292-297

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 292.

张兴宏, 夏冠群, 徐元森, 徐波, 杨玉芬, 王占国. HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 292..Export: BibTex EndNote

张兴宏, 夏冠群, 徐元森, 徐波, 杨玉芬, 王占国. HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 292...

浮空场板的二维数值分析

张旻, 李肇基

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 298-302

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 298.

张旻, 李肇基. 浮空场板的二维数值分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 298..Export: BibTex EndNote

张旻, 李肇基. 浮空场板的二维数值分析[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 298...

流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运

武建青, 刘振兴, 江德生, 孙宝权

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 303-308

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 303.

武建青, 刘振兴, 江德生, 孙宝权. 流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 303..Export: BibTex EndNote

武建青, 刘振兴, 江德生, 孙宝权. 流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 303...

可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构

牛智川, 周增圻, 潘钟, 吴荣汉

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 309-313

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 309.

牛智川, 周增圻, 潘钟, 吴荣汉. 可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 309..Export: BibTex EndNote

牛智川, 周增圻, 潘钟, 吴荣汉. 可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 309...

硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备

吴俊辉, 邹建平, 朱青, 鲍希茂

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 314-318

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 314.

吴俊辉, 邹建平, 朱青, 鲍希茂. 硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 314..Export: BibTex EndNote

吴俊辉, 邹建平, 朱青, 鲍希茂. 硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 314...

Study on Interfacial SiO_2 Layer of Silicon Direct Bonding

He Jin, Wang Xin, Chen Xingbi

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 319-323

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 319.

H Jin, W Xin, C X bi. Study on Interfacial SiO_2 Layer of Silicon Direct Bonding[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 319..Export: BibTex EndNote

H Jin, W Xin, C X bi. Study on Interfacial SiO_2 Layer of Silicon Direct Bonding[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 319...

中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑

周伯骏, 王占国

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 324-327

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 324.

周伯骏, 王占国. 中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 324..Export: BibTex EndNote

周伯骏, 王占国. 中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 324...

室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器

汪辉, 朱海军, 王晓东, 王海龙, 封松林

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 328-332

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 328.

汪辉, 朱海军, 王晓东, 王海龙, 封松林. 室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 328..Export: BibTex EndNote

汪辉, 朱海军, 王晓东, 王海龙, 封松林. 室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 328...

固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质

陈开茅, 孙文红, 秦国刚, 吴克, 李传义, 章其麟, 周锡煌, 顾镇南

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 333-337

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 333.

陈开茅, 孙文红, 秦国刚, 吴克, 李传义, 章其麟, 周锡煌, 顾镇南. 固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 333..Export: BibTex EndNote

陈开茅, 孙文红, 秦国刚, 吴克, 李传义, 章其麟, 周锡煌, 顾镇南. 固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 333...

用电流扫描法在Si(111)-7×7表面上实现单原子操纵

杨海强, 高聚宁, 薛增泉, 庞世瑾

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 338-340

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 338.

杨海强, 高聚宁, 薛增泉, 庞世瑾. 用电流扫描法在Si(111)-7×7表面上实现单原子操纵[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 338..Export: BibTex EndNote

杨海强, 高聚宁, 薛增泉, 庞世瑾. 用电流扫描法在Si(111)-7×7表面上实现单原子操纵[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 338...

GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究

凌勇, 周赫田, 朱星, 黄贵松, 党小忠, 张国义

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 341-345

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 341.

凌勇, 周赫田, 朱星, 黄贵松, 党小忠, 张国义. GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 341..Export: BibTex EndNote

凌勇, 周赫田, 朱星, 黄贵松, 党小忠, 张国义. GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 341...

氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究

谢二庆, 徐灿, 王永谦, 陈光华

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 346-348

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 346.

谢二庆, 徐灿, 王永谦, 陈光华. 氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 346..Export: BibTex EndNote

谢二庆, 徐灿, 王永谦, 陈光华. 氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 346...

单稳双稳态转变逻辑单元等效电路模型

张斌, 阮刚, 薛乐川

Chin. J. Semicond. 1999, 20(4): 349-352

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1999, 20(4): 349.

张斌, 阮刚, 薛乐川. 单稳双稳态转变逻辑单元等效电路模型[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 349..Export: BibTex EndNote

张斌, 阮刚, 薛乐川. 单稳双稳态转变逻辑单元等效电路模型[J]. Chin. J. Semicond., 1999, 20(4): 349...

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