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Volume 25, Issue 6, Jun 2004

• CONTENTS

  MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文)

  胡跃辉, 吴越颖, 陈光华, 王青, 张文理, 阴生毅

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 613
  

  AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器(英文)

  刘志宏, 王圩, 王书荣, 赵玲娟, 朱洪亮, 周帆, 王鲁峰, 丁颖

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 620
  

  ISM频段中功率功率放大器(英文)

  白大夫, 刘训春, 袁志鹏, 钱永学

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 626
  

  蓝牙收发器中的CMOS低噪声放大器的设计与测试(英文)

  黄煜梅, 洪志良

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 633
  

  单晶纳米硅薄膜的制备及其场发射特性(英文)

  王伟明, 郁可, 丁艳芳, 李琼, 朱自强

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 639
  

  基于双比特算法的新型除法器(英文)

  李侠, 孙慧, 章倩苓

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 645
  

  Ga_xIn_(1-x)P/AlGaInP多量子阱的吸收/反射光谱:多光束干涉的影响与消减

  邵军

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 651
  

  FeS_2薄膜厚度对晶体生长及光吸收特性的作用

  张秀娟, 孟亮, 刘艳辉

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 657
  

  重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

  黄笑容, 杨德仁, 沈益军, 王飞尧, 马向阳, 李立本, 阙端麟

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 662
  

  直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性

  袁国栋, 叶志镇, 曾昱嘉, 吕建国, 钱庆, 黄靖云, 赵炳辉, 朱丽萍

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 668
  

  Si基片上掺Ge SiO_2的火焰水解法制备

  郜定山, 李建光, 王红杰, 安俊明, 李健, 夏君磊, 胡雄伟

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 674
  

  Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长

  王军喜, 王晓亮, 刘宏新, 胡国新, 李建平, 李晋闽, 曾一平

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 678
  

  斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术

  张艳辉, 孙以材, 刘新福, 陈志永

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 682
  

  光敏性溶胶-凝胶波导材料

  姜永睿, 胡雄伟, 杨沁清, 王红杰, 杨澜, 谢二庆

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 687
  

  半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

  施卫, 田立强

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 691
  

  静电驱动悬臂梁数模转换器设计、分析与模拟

  王立峰, 黄庆安

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 697
  

  基于SOI衬底的射频电感优化设计

  赵冬燕, 张国艳, 黄如

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 702
  

  一种能满足MEMS微梁固支边界条件的锚

  戎华, 黄庆安, 聂萌, 李伟华

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 707
  

  GaN基肖特基结构紫外探测器

  王俊, 赵德刚, 刘宗顺, 伍墨, 金瑞琴, 李娜, 段俐宏, 张书明, 朱建军, 杨辉

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 711
  

  DMOS阈值电压二维模型

  李泽宏, 张波, 李肇基, 方健, 杨舰

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 715
  

  一个10位、50MS/s CMOS折叠流水结构A/D转换器

  李志刚, 石寅, 于云华, 刘扬

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 720
  

  新的多比特增量-总和调制器结构

  王晓峰, 王正宏, 胡波, 凌燮亭

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 726
  

  CMOS运算放大器的辐照和退火行为

  任迪远, 陆妩, 郭旗, 余学锋, 王明刚, 胡浴红, 赵文魁

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 731
  

  源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

  赵洪辰, 海潮和, 韩郑生, 钱鹤

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 735
  

  磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化

  汤会香, 严密, 张辉, 张加友, 孙云, 薛玉明, 杨德仁

  Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 741
  

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