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Volume 10, Issue 8, Aug 1989
CONTENTS
势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响
朱嘉麟, 唐道华, 顾秉林, 熊家炯
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 565-575
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杂质对金属-半导体界面电子态的影响
杨宗献, 张涛, 王勉
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 576-581
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半绝缘砷化镓EPR谱的异常退火特性
韩洪涛, 葛惟锟, 林兰英, 吴恩, 吴书祥, 晏懋洵
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 582-586
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非晶硅电子结构的EHT理论研究
韩圣浩, 戴国才
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 587-591
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LPCVD淀积速率分布的解析表达式
王永发, 张世理, 王季陶
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 592-600
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a-Si:H/a-C:H超晶格的界面研究
梅向阳, 廖显伯, 陆珉华, 孔光临
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 601-606
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MBE高掺杂n-GaAs:Si和p-GaAs:Be的光致发光谱
胡天斗, 许继宗, 梁基本, 庄蔚华
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 607-614
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退火气氛中痕量氧在反应形成Pt硅化物中的作用
李映雪, 武国英, 张国炳, 王佑祥
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 615-619
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大剂量氧离子注入形成SOI结构的研究
陈南翔, 苗伟, 王忠烈, 黄敞
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 620-625
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硅中离子注入掺杂原子的增强扩散系数的分布
曾论
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 626-631
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从势垒区电压波形对照GaAs液结的光调制反射与电调制反射
曹霞芬, 赵冬, 蒋文洁, 郑国祥, 钱佑华
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 632-636
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MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统晶格失配的研究
王玉田, 李成基, 任庆余
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 637-640
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InP中的Be、P共注入及其退火特性研究
张永刚, 富小妹, 潘慧珍
Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 641-644
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