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Volume 12, Issue 6, Jun 1991
Table of Content
CONTENTS
电场下超晶格GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs[111]的电子结构
范卫军, 夏建白
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 323-331
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硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究
胡灿明, 黄叶肖, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 332-337
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N-InSb的杂质补偿度对其非线性电导的影响
徐建人, 龚雅谦, 郑国珍, 郭少令
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 338-345
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负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析
林绪伦, 朱恩均, 黄敞, 肖硕
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 346-351
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单层布线硅栅CMOS门阵列设计系统Galstar
张钦海, 万斌, 钱黎明, 章开和, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 352-359
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1微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究
徐立, 武国英, 张国炳, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 360-366
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高温工艺对TiSi_2/n~+-Poly-Si复合栅MOS电容特性及TiSi_2膜性质的影响
陶江, 武国英, 张国炳, 陈文茹, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 367-372
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用于半导体器件数值模拟的网格自洽剖分方法
何野, 樊继山, 曹国祥
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 373-375
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掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的ESR和光电特性的研究
陈光华, 张津燕, 甘润今, 张仿清
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 376-380
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GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模
汪兆平, 韩和相, 李国华, 江德生
Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 381-386
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