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Volume 16, Issue 8, Aug 1995
CONTENTS
像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响
张向东,李有成,孙小均,魏成文
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 561-566
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纳米硅薄膜分形凝聚模型
林鸿溢,余卫武,武旭辉,何宇亮
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 567-573
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GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心
马红,杨锡震,周洁,卢励吾,封松林
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 574-580
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金属有机化学气相沉积GaAs/Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系
赵家龙,高瑛,刘学彦,苏锡安,梁家昌,高鸿楷,龚平,王海滨
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 581-586
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表面势阱对硅场发射的影响
黄庆安
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 587-593
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热壁外延制备的n-PbTe/p-Si异质结特性研究
杨玉琨,李文明,于磊,杨易,徐立兴,熊欣,王善力,黄和鸾
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 594-597
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低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
徐遵图,杨国文,肖建伟,徐俊英,张敬明,郑婉华,瞿伟,陈良惠,毕可奎
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 598-602
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Ga-In-As-Sb系合金固-液平衡和人工神经网络预报
严六明,吴伟,张靖巍,陈念贻,彭瑞伍
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 603-607
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微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究
杨德仁,阙端麟
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 608-610
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非晶态发射极晶体管中发射结电流密度的横向分布
林绪伦,朱恩均
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 611-617
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硅片的抗弯强度及其测量
谢书银,石志仪
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 618-622
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Ⅰ类-Ⅱ类混合GaAs/AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽
刘伟,罗克俭,江德生,张耀辉,杨小平
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 623-626
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高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用
杨国文,肖建伟,徐遵图,郑婉华,曾一平,徐俊英,张敬明,陈良惠
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 627-631
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Si_(1-x)Ge_x合金的浅杂质光电导谱
石晓红,陈忠辉,黄醒良,史国良,刘普霖,沈学础
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 632-635
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形成SIMOX结构的PIII新技术的研究
闵靖, P.K.Chu, Y.C.Cheng, J.B.Liu, S.Iyer, N.W.Cheung
Chin. J. Semicond.  1995, 16(8): 636-640
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