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Volume 20, Issue 7, Jul 1999
CONTENTS
氮化镓缓冲层生长过程分析
刘祥林, 汪连山, 陆大成, 王晓晖, 汪度, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 529-533
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掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究
刘祥林, 汪连山, 陆大成, 汪度, 王晓晖, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 534-538
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AlN/GaAs界面的AES和XPS研究
曹昕, 罗晋生, 陈堂胜, 陈克金
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 539-542
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同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究
来冰, 丁训民, 袁泽亮, 周翔, 廖良生, 张胜坤, 袁帅, 侯晓远, 陆尔东, 徐彭寿, 张新夷
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 543-547
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CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究
杨柏梁, 石川幸雄, 一色实
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 548-553
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Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究
裴成文, 秦捷, 刘晓晗, 胡冬枝, 张翔九, 黄大鸣, 蒋最敏
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 554-558
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低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响
李建平, 黄大定, 刘金平, 刘学锋, 李灵宵, 朱世荣, 孙殿照, 孔梅影
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 559-561
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高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响
赵福川, 夏冠群, 杜立新, 谈惠祖, 莫培根
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 562-568
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离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响
姬荣斌, 李标, 方维政, 王善力, 杨建荣, 何力
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 569-872
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Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究
窦红飞, 陈效双, 陆卫, 李志锋, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 573-577
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1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析
张哲民, 金锦炎, 黄格凡, 黄德修, 李同宁
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 578-583
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基于快速热退火量子阱无序技术的新型半导体激光器
姜艾庆, 郝智彪, 孙长征, 罗毅, 王健华
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 584-588
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ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究
谭满清, 茅冬生
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 589-592
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PINIP结构a-Si∶H多色光电探测器电路模型研究
陈维友, 刘式墉
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 593-600
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新型隐埋Si/SiO_2做底镜的共振腔型探测器的理论分析
李成, 杨沁清, 王启明
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 601-605
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半导体制冷器“无限级联”温差电对工作参数的理论分析
宣向春, 王维扬
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 606-611
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Analytical Calculation of Avalanche Breakdown Voltage of the Single-Diffused Junction Based on Double-sided Asymmetric Linearly Graded Approximation
He, Jin,Wang, Xin,Chen, Xingbi
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 612-618
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一种改进的电流型排序电路
林谷, 石秉学
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 619-623
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切割曝光技术及其在器件研究上的应用
海潮和, 陈焕章, 周小茵, 陈宝钦, 刘改芬
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 624-629
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Si(100)面上3C-SiC的生长
王引书, 李晋闽, 张方方, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1999, 20(7): 630-632
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