Archive

Volume 10, Issue 2, Feb 1989

• CONTENTS

  掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究

  杨保华, 王玉田, 李成基, 何宏家, 王占国, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 81
  

  MBE[(AI_xGa_(1-x)As)_l(GaAs)_m_n/GaAs(001)超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究

  姜力, 吴苍生, 王玉田, 高维宾

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 86
  

  等电子施、受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移

  刘晓, 江炳熙, 林秀华, 廖远琰, 袁路娃

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 93
  

  GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As异质结界面二维空穴的量子输运特性

  周海平, 郑厚植, 杨富华, 曾一平, 苏爱民

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 100
  

  梁式引线肖特基混频管几何参数优化设计

  郑东, 王良臣, 方浦明

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 108
  

  VLSI中双层多晶硅结构的剖面研究

  徐秋霞, 冯淑敏, 周锁京

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 117
  

  二氧化锡材料气敏机理的研究

  张维新, 柳连俊

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 124
  

  氧离子注入硅SOI结构的椭偏谱研究

  梁中宁, 莫党, 卢殿通

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 132
  

  一种新的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)薄膜三端器件

  徐鸿达, 王森, 赵柏儒, 袁彩文, 李林

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 141
  

  1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器

  彭怀德, 马朝华, 汪孝杰, 张盛廉, 吕卉, 王丽明, 武淑珍, 马骁宇, 张洪琴

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 143
  

  磁场对反应离子刻蚀速率影响的研究

  金钟元, 韩阶平, 马俊如

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 146
  

  单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制

  张永刚, 富小妹, 潘慧珍

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 148
  

  与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的光学常数计算

  徐至中

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 153
  

  一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

  汤玉生, 蒋建飞

  Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 158
  

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved