Journal of Semiconductors

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Volume 13, Issue 3, Mar 1992

CONTENTS

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构

范卫军, 夏建白

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 133

中子辐照硅的正电子湮没寿命谱研究

罗宗德, 游志朴

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 143

O_2在FeSi(100)表面的初始吸附研究

丁孙安, 许振嘉

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 147

MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究

卢励吾, 周洁, 庄婉如, 梅野正義

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 155

用静态升华法生长HgI_2大单晶体及其性质的观测

李正辉, 朱世富, 陈观雄, 赵北君

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 162

ZnSe-ZnTe应变层超晶格的Raman光谱研究

崔捷, 王海龙, 干福熹, 韩和相, 李国华, 汪兆平

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 167

硅中吸除技术的物理机制

陈畅生

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 174

直接法-多次矩法联合计算高能离子注入化合物靶损伤分布

江炳尧, 杨根庆, 邹世昌

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 181

耐热光敏聚酰亚胺胶的研究

韩阶平, 侯豪情, 徐卫东

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 186

氢氟酸电解腐蚀硅制备的量子线阵的光致发光

张丽珠, 段家怟, 张伯蕊, 金鹰, 秦国刚

Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 193