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Volume 18, Issue 2, Feb 1997
Table of Content
CONTENTS
用STM研究HF,O_2和H_2O混合气体对Si(100)表面的作用
梁励芬, 董树忠
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 81-84
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优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量
王小军, 郑联喜, 肖智博, 王玉田, 胡雄伟, 王启明
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 85-90
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MOCVD生长的GaN膜的光学性质研究
张荣, 杨凯, 秦林洪, 沈波, 施洪涛, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 91-96
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用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究
金海岩, 黄长河
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 97-102
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Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果
秦华, 陈坤基, 黄信凡, 李伟
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 103-107
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808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制
朱东海, 梁基本, 徐波, 朱战萍, 张隽, 龚谦, 李胜英, 王占国
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 108-112
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硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结效应
于军, 周文利, 曹广军, 谢基凡, 吴正元
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 113-117
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直拉型Si单晶中金属杂质对氧沉淀行为的影响
沈波, 杨凯, 张序余, 施洪涛, 张荣, 施毅, 郑有炓, 关口隆史, 角野浩二
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 118-123
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低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制
张兴, 奚雪梅, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 124-127
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超平面概略布线算法的研究
陈志超, 薄建国, 马佐成, 庄文君, 王守觉
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 128-133
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线性预测编码(LPC)语音合成器的设计
李永明, 陈弘毅, 于政
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 134-139
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C~+注入硅形成β-SiC埋层研究
陈长清, 杨立新, 严金龙, 陈学良
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 140-145
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砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究
曹先安, 陈溪滢, 李喆深, 丁训民, 侯晓远
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 146-150
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退火处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响
吴彬, 王万录, 廖克俊, 张振刚
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 151-155
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多元素测试仪测定二氯硅烷中的痕量磷
闻瑞梅, 周淑君, 袁越, 赵振环
Chin. J. Semicond.  1997, 18(2): 156-160
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