Journal of Semiconductors

Archive

Volume 18, Issue 2, Feb 1997

CONTENTS

用STM研究HF,O_2和H_2O混合气体对Si(100)表面的作用

梁励芬, 董树忠

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 81

优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量

王小军, 郑联喜, 肖智博, 王玉田, 胡雄伟, 王启明

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 85

MOCVD生长的GaN膜的光学性质研究

张荣, 杨凯, 秦林洪, 沈波, 施洪涛, 郑有炓

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 91

用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究

金海岩, 黄长河

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 97

Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果

秦华, 陈坤基, 黄信凡, 李伟

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 103

808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制

朱东海, 梁基本, 徐波, 朱战萍, 张隽, 龚谦, 李胜英, 王占国

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 108

硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结效应

于军, 周文利, 曹广军, 谢基凡, 吴正元

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 113

直拉型Si单晶中金属杂质对氧沉淀行为的影响

沈波, 杨凯, 张序余, 施洪涛, 张荣, 施毅, 郑有炓, 关口隆史, 角野浩二

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 118

低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制

张兴, 奚雪梅, 王阳元

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 124

超平面概略布线算法的研究

陈志超, 薄建国, 马佐成, 庄文君, 王守觉

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 128

线性预测编码(LPC)语音合成器的设计

李永明, 陈弘毅, 于政

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 134

C~+注入硅形成β-SiC埋层研究

陈长清, 杨立新, 严金龙, 陈学良

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 140

砷化镓晶体在氯化硫溶液中腐蚀速率的研究

曹先安, 陈溪滢, 李喆深, 丁训民, 侯晓远

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 146

退火处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响

吴彬, 王万录, 廖克俊, 张振刚

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 151

多元素测试仪测定二氯硅烷中的痕量磷

闻瑞梅, 周淑君, 袁越, 赵振环

Chin. J. Semicond. 1997, 18(2): 156