Journal of Semiconductors

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Volume 20, Issue 1, Jan 1999

CONTENTS

整数、分数量子霍耳效应简介

郑厚植

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 1

GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算

何国敏, 王仁智, 吴正云, 郑永梅, 蔡淑惠

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 11

GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究

孙玉明, 陆尔东, 徐法强, 徐世红, 余小江, 张发培, 徐彭寿, 张新夷

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 19

异质外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究

姚淑德, 吴名枋, 陈守元, 孙胜权, 张勇

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 25

硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究

叶志镇, 黄靖云, 卢焕明, 姜小波, 汪雷, 赵炳辉, 阙端麟

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 30

掺杂聚苯胺有机高分子发光器件

解士杰, 刘德胜, 魏建华, 赵俊卿

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 35

基于Sakurai模型的时延驱动Steiner树算法

鲍海云, 洪先龙, 蔡懿慈, 乔长阁

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 41

球栅阵列(BGA)器件焊点形态成形建模与预测

周德俭, 潘开林, 吴兆华, 陈子辰

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 47

高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象

施卫, 梁振宪

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 53

分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析

韩培德, 杨海峰, 杨辉, 林耀望, 张泽, 李新峰, 周增圻

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 58

α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究

陈志忠, 沈波, 杨凯, 张序余, 陈浩, 陈鹏, 臧岚, 周玉刚, 郑有炓, 吴宗森, 孙晓天, 陈峰

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 62

掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光

雷红兵, 杨沁清, 朱家廉, 王红杰, 高俊华, 王启明

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 67

MOCVD GaAs太阳电池的结特性

施小忠, 夏冠群, 汪乐, 莫金玑

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 72

AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究

张炯, 李瑞伟, 张文良

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 79

一种新复用型模糊控制器VLSI设计

张健, 赖宗声

Chin. J. Semicond. 1999, 20(1): 83