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Volume 20, Issue 12, Dec 1999

• CONTENTS

  GSMBE原位生长SiGeHBT材料

  黄大定, 刘金平, 李建平, 林燕霞, 刘学锋, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1049
  

  生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

  陈博, 王圩

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1054
  

  Cd Zn Te晶体中位错分布特性研究

  顾惠明, 杨建荣, 陈新强, 何力

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1059
  

  硅中的氮氧复合物及其施主行为

  刘培东, 张锦心, 李立本, 阙端麟

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1064
  

  O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析

  竺士炀, 黄宜平, 李爱珍, 吴东平, 王瑾, 茹国平, 包宗明

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1071
  

  一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT

  刘海涛, 陈启秀, 白玉明

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1075
  

  一种单锁存器CMOS静态D触发器的设计

  莫凡, 俞军, 章倩苓

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1081
  

  热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理

  徐静平, 黎沛涛

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1087
  

  背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响

  刘汝萍, 赵建龙, 夏冠群, 吴剑萍, 顾成余, 詹琰

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1093
  

  1.55μm波段低偏振灵敏度半导体光放大器

  段子刚, 黄格凡, 张哲民, 刘德明, 黄德修

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1098
  

  交叉增益调制型全光波长转换器频响特性的小信号分析

  孙军强, 黄德修, 易河清

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1102
  

  ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟

  李玉鉴, 谭满清, 茅冬生, 陆建祖

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1109
  

  性能驱动的多层布线有约束分层及其神经网络求解方法

  胡卫明, 严晓浪

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1115
  

  Ultralow Threshold Lasing in InGaAs/InGaAs PMQ WMicrodisk Laser

  Ning Yongqiang， Wu Shengli，Wang Lijun, Lin Jiuling， Fu Dehui, Liu Yun， Wu Dongjiang, Zhao Jiamin), Liu Xingyuan, Jin Yix

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1122
  

  Fluorescence Properties of Cd(OH)_2-activated CdSandCuS-coated CdSNanocry stals

  Chen Hongming， Huang Xinfan， Xu Ling, He Yong， Chen Kunji

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1125
  

  测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法

  李言谨, 方家熊

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1129
  

  硫化压力对FeS_2薄膜结构和光学性能的影响

  徐文雷, 孟亮, 刘茂森

  Chin. J. Semicond.  1999, 20(12): 1132
  

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