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Volume 21, Issue 3, Mar 2000

• CONTENTS

  全光信息网络中的某些关键半导体光电子器件

  黄德修

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 209
  

  Fabrication of Enhancement Mode GaN Metal- Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor

  陈鹏, 张荣, 周玉刚, 罗志云, 谢世勇, 陈志忠, 李卫平, 郑有炓

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 215
  

  Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy

  李联合, 张伟, 潘钟, 林耀望, 吴荣汉

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 219
  

  CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响

  额尔敦朝鲁, 肖景林, 李树深

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 225
  

  掺铒硅光致发光激子传递能量机制

  雷红兵, 杨沁清, 欧海燕, 余金中, 王启明

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 232
  

  UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应

  叶志镇, 章国强, 亓震, 黄靖云, 卢焕明, 赵炳辉, 汪雷, 袁骏

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 239
  

  半导体CdS簇合物的制备及性能

  张敬波, 林原, 肖绪瑞

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 245
  

  UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

  成步文, 李代宗, 黄昌俊, 于卓, 张春晖, 王玉田, 余金中, 王启明

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 250
  

  硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性

  邹建平, 吴俊辉, 朱青, 濮林, 朱健民, 鲍希茂

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 255
  

  用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析

  欧海燕, 杨沁清, 雷红兵, 王红杰, 余金中, 王启明, 胡雄伟

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 260
  

  快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰

  李宁, 刘兴权, 李娜, 陈效双, 陆卫, 徐文兰, 袁先璋, 沈学础, 黄绮, 周均铭

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 264
  

  MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

  杨谟华, 于奇, 王向展, 陈勇, 刘玉奎, 肖兵, 杨沛锋, 方朋, 孔学东, 谭超元, 钟征宇

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 268
  

  双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区

  张昌利, 陈治明, 闵源基, 金相哲, 朴钟文, 金南均, 金垠东

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 274
  

  MCT关断失效分析

  张鹤鸣, 戴显英, 王伟

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 280
  

  计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型

  张鸿欣

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 286
  

  高速多级时钟网布线

  李芝燕, 严晓浪

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 290
  

  基于不完全分解预优共轭梯度法的电源和地线网络求解器

  武晓海, 殷莉, 洪先龙

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 298
  

  Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析

  雷天民, 陈治明, 余明斌, 马剑平, 胡宝宏, 王建农

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 303
  

  掺杂nc-Si∶H膜的电导特性

  彭英才, 刘明, 何宇亮, 李月霞

  Chin. J. Semicond.  2000, 21(3): 308
  

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