Journal of Semiconductors

2019年JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”

2020年11月JOS被EI数据库收录

Authors
About the Journal
Editorial Board

Home
Just Accepted
In Press
Current Issue
All Issues
Review Articles
Special Issues
JOSarXiv

Home
Just Accepted
In Press
Current Issue
All Issues
Review Articles
Special Issues
JOSarXiv

|

Issue Browser

Volume 21, Issue 3, Mar 2000

Table of Content

Select articles

CONTENTS

全光信息网络中的某些关键半导体光电子器件

黄德修

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 209-214

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 209.

黄德修. 全光信息网络中的某些关键半导体光电子器件[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 209..Export: BibTex EndNote

黄德修. 全光信息网络中的某些关键半导体光电子器件[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 209...

Fabrication of Enhancement Mode GaN Metal- Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor

陈鹏, 张荣, 周玉刚, 罗志云, 谢世勇, 陈志忠, 李卫平, 郑有炓

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 215-218

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 215.

陈鹏, 张荣, 周玉刚, 罗志云, 谢世勇, 陈志忠, 李卫平, 郑有炓. Fabrication of Enhancement Mode GaN Metal- Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 215..Export: BibTex EndNote

陈鹏, 张荣, 周玉刚, 罗志云, 谢世勇, 陈志忠, 李卫平, 郑有炓. Fabrication of Enhancement Mode GaN Metal- Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 215...

Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy

李联合, 张伟, 潘钟, 林耀望, 吴荣汉

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 219-224

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 219.

李联合, 张伟, 潘钟, 林耀望, 吴荣汉. Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 219..Export: BibTex EndNote

李联合, 张伟, 潘钟, 林耀望, 吴荣汉. Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 219...

CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响

额尔敦朝鲁, 肖景林, 李树深

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 225-231

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 225.

额尔敦朝鲁, 肖景林, 李树深. CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 225..Export: BibTex EndNote

额尔敦朝鲁, 肖景林, 李树深. CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 225...

掺铒硅光致发光激子传递能量机制

雷红兵, 杨沁清, 欧海燕, 余金中, 王启明

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 232-238

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 232.

雷红兵, 杨沁清, 欧海燕, 余金中, 王启明. 掺铒硅光致发光激子传递能量机制[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 232..Export: BibTex EndNote

雷红兵, 杨沁清, 欧海燕, 余金中, 王启明. 掺铒硅光致发光激子传递能量机制[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 232...

UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应

叶志镇, 章国强, 亓震, 黄靖云, 卢焕明, 赵炳辉, 汪雷, 袁骏

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 239-244

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 239.

叶志镇, 章国强, 亓震, 黄靖云, 卢焕明, 赵炳辉, 汪雷, 袁骏. UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 239..Export: BibTex EndNote

叶志镇, 章国强, 亓震, 黄靖云, 卢焕明, 赵炳辉, 汪雷, 袁骏. UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 239...

半导体CdS簇合物的制备及性能

张敬波, 林原, 肖绪瑞

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 245-249

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 245.

张敬波, 林原, 肖绪瑞. 半导体CdS簇合物的制备及性能[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 245..Export: BibTex EndNote

张敬波, 林原, 肖绪瑞. 半导体CdS簇合物的制备及性能[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 245...

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

成步文, 李代宗, 黄昌俊, 于卓, 张春晖, 王玉田, 余金中, 王启明

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 250-254

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 250.

成步文, 李代宗, 黄昌俊, 于卓, 张春晖, 王玉田, 余金中, 王启明. UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 250..Export: BibTex EndNote

成步文, 李代宗, 黄昌俊, 于卓, 张春晖, 王玉田, 余金中, 王启明. UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 250...

硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性

邹建平, 吴俊辉, 朱青, 濮林, 朱健民, 鲍希茂

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 255-259

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 255.

邹建平, 吴俊辉, 朱青, 濮林, 朱健民, 鲍希茂. 硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 255..Export: BibTex EndNote

邹建平, 吴俊辉, 朱青, 濮林, 朱健民, 鲍希茂. 硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 255...

用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析

欧海燕, 杨沁清, 雷红兵, 王红杰, 余金中, 王启明, 胡雄伟

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 260-263

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 260.

欧海燕, 杨沁清, 雷红兵, 王红杰, 余金中, 王启明, 胡雄伟. 用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 260..Export: BibTex EndNote

欧海燕, 杨沁清, 雷红兵, 王红杰, 余金中, 王启明, 胡雄伟. 用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 260...

快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰

李宁, 刘兴权, 李娜, 陈效双, 陆卫, 徐文兰, 袁先璋, 沈学础, 黄绮, 周均铭

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 264-267

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 264.

李宁, 刘兴权, 李娜, 陈效双, 陆卫, 徐文兰, 袁先璋, 沈学础, 黄绮, 周均铭. 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 264..Export: BibTex EndNote

李宁, 刘兴权, 李娜, 陈效双, 陆卫, 徐文兰, 袁先璋, 沈学础, 黄绮, 周均铭. 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 264...

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

杨谟华, 于奇, 王向展, 陈勇, 刘玉奎, 肖兵, 杨沛锋, 方朋, 孔学东, 谭超元, 钟征宇

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 268-273

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 268.

杨谟华, 于奇, 王向展, 陈勇, 刘玉奎, 肖兵, 杨沛锋, 方朋, 孔学东, 谭超元, 钟征宇. MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 268..Export: BibTex EndNote

杨谟华, 于奇, 王向展, 陈勇, 刘玉奎, 肖兵, 杨沛锋, 方朋, 孔学东, 谭超元, 钟征宇. MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 268...

双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区

张昌利, 陈治明, 闵源基, 金相哲, 朴钟文, 金南均, 金垠东

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 274-279

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 274.

张昌利, 陈治明, 闵源基, 金相哲, 朴钟文, 金南均, 金垠东. 双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 274..Export: BibTex EndNote

张昌利, 陈治明, 闵源基, 金相哲, 朴钟文, 金南均, 金垠东. 双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 274...

MCT关断失效分析

张鹤鸣, 戴显英, 王伟

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 280-285

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 280.

张鹤鸣, 戴显英, 王伟. MCT关断失效分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 280..Export: BibTex EndNote

张鹤鸣, 戴显英, 王伟. MCT关断失效分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 280...

计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型

张鸿欣

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 286-289

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 286.

张鸿欣. 计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 286..Export: BibTex EndNote

张鸿欣. 计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 286...

高速多级时钟网布线

李芝燕, 严晓浪

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 290-297

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 290.

李芝燕, 严晓浪. 高速多级时钟网布线[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 290..Export: BibTex EndNote

李芝燕, 严晓浪. 高速多级时钟网布线[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 290...

基于不完全分解预优共轭梯度法的电源和地线网络求解器

武晓海, 殷莉, 洪先龙

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 298-302

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 298.

武晓海, 殷莉, 洪先龙. 基于不完全分解预优共轭梯度法的电源和地线网络求解器[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 298..Export: BibTex EndNote

武晓海, 殷莉, 洪先龙. 基于不完全分解预优共轭梯度法的电源和地线网络求解器[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 298...

Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析

雷天民, 陈治明, 余明斌, 马剑平, 胡宝宏, 王建农

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 303-307

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 303.

雷天民, 陈治明, 余明斌, 马剑平, 胡宝宏, 王建农. Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 303..Export: BibTex EndNote

雷天民, 陈治明, 余明斌, 马剑平, 胡宝宏, 王建农. Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 303...

掺杂nc-Si∶H膜的电导特性

彭英才, 刘明, 何宇亮, 李月霞

Chin. J. Semicond. 2000, 21(3): 308-312

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(3): 308.

彭英才, 刘明, 何宇亮, 李月霞. 掺杂nc-Si∶H膜的电导特性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 308..Export: BibTex EndNote

彭英才, 刘明, 何宇亮, 李月霞. 掺杂nc-Si∶H膜的电导特性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(3): 308...

Search

Advanced Search >>

Issues

2025

Volume 46 lssue 5, May 2025

Volume 46 lssue 4, Apr 2025

Volume 46 lssue 3, Mar 2025

Volume 46 lssue 2, Feb 2025

Volume 46 lssue 1, Jan 2025
2024

Volume 45 lssue 12, Dec 2024

Volume 45 lssue 11, Nov 2024

Volume 45 lssue 10, Oct 2024

Volume 45 lssue 9, Sep 2024

Volume 45 lssue 8, Aug 2024

Volume 45 lssue 7, Jul 2024

Volume 45 lssue 6, Jun 2024

Volume 45 lssue 5, May 2024

Volume 45 lssue 4, Apr 2024

Volume 45 lssue 3, Mar 2024

Volume 45 lssue 2, Feb 2024

Volume 45 lssue 1, Jan 2024
2023

Volume 44 lssue 12, Dec 2023

Volume 44 lssue 11, Nov 2023

Volume 44 lssue 10, Oct 2023

Volume 44 lssue 9, Sep 2023

Volume 44 lssue 8, Aug 2023

Volume 44 lssue 7, Jul 2023

Volume 44 lssue 6, Jun 2023

Volume 44 lssue 5, May 2023

Volume 44 lssue 4, Apr 2023

Volume 44 lssue 3, Mar 2023

Volume 44 lssue 2, Feb 2023

Volume 44 lssue 1, Jan 2023
2022

Volume 43 lssue 12, Dec 2022

Volume 43 lssue 11, Nov 2022

Volume 43 lssue 10, Oct 2022

Volume 43 lssue 9, Sep 2022

Volume 43 lssue 8, Aug 2022

Volume 43 lssue 7, Jul 2022

Volume 43 lssue 6, Jun 2022

Volume 43 lssue 5, May 2022

Volume 43 lssue 4, Apr 2022

Volume 43 lssue 3, Mar 2022

Volume 43 lssue 2, Feb 2022

Volume 43 lssue 1, Jan 2022
2021

Volume 42 lssue 12, Dec 2021

Volume 42 lssue 11, Nov 2021

Volume 42 lssue 10, Oct 2021

Volume 42 lssue 9, Sep 2021

Volume 42 lssue 8, Aug 2021

Volume 42 lssue 7, Jul 2021

Volume 42 lssue 6, Jun 2021

Volume 42 lssue 5, May 2021

Volume 42 lssue 4, Apr 2021

Volume 42 lssue 3, Mar 2021

Volume 42 lssue 2, Feb 2021

Volume 42 lssue 1, Jan 2021

Authors Preparing Your Manuscript Submit Your Manuscript Peer-Review Policy Ethical Policy Copyright and Permissions Word Template EndNote for References
About the Journal About the Journal Scope Advisory Board Editorial Board Contact Information
Link JoS in IOPScience Live Report in KouShare (“半语-益言”直播讲座) ScienceDB PHYSIKE Dyna Sense(鼎信优威)
WeChat ID
Mobile Terminal

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved 京ICP备05085259号-2

Export File

Format

RIS(for EndNote,Reference Manager,ProCite)

BibTex

Txt

Content

Citation Only

Citation and Abstract

Citation