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Volume 1, Issue 2, Feb 1980

    CONTENTS

  • 分区变分法及其在能带计算中的应用

    薛舫时

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 81

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    本文提出了一种对复杂势场进行分区变分的计算方法.它通过微分方程的数值解来计算球对称区内的波函数,而在其余区域中用适当的基矢来展开波函数,然后通过变分迭代计算得到总的电子波函数和能量.方法适用于多原子体系。本文主要介绍了在能带计算中的应用.在硅能带的具体计算中,得到了同现有实验及理论计算结果基本上相吻合的结果.最后在同其他能带计算方法的比较中指出,这是一种简便而有效的计算晶体能带的方法。它虽是一种从头算的方法,但计算工作量却很小,而且方法适应性强,便于进行自治计算。

  • 硅反型层中的Anderson转变

    孔光临, 廖显伯, 杨喜荣, 张殿琳, 林淑媛

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 94

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    在4.2—20K温度范围内,利用MOS器件的沟道电导率随栅压的变化,研究了Si-SiO_2界面反型层中的Anderson转变.发现实验Inσ~1/T曲线外推到1/T=0时,一般都不交于一点.考虑到界面势场除具有微观无序性外,尚具有宏观不均匀性,而把反型层看成是由许多迁移率边互不相同的宏观小区域组合而成的非均匀系统;在每个小区域内,再采用均匀无序系统的定域化模型来处理.这样,计算的结果与实验符合,也有助于解释迁移率边随费米能级变化,出现磁阻振荡等反常效应.

  • N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响

    吴鼎芬, 陈芬扣

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 100

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    用类似液相外延的设备,测定了Ga与 As在450℃至 550℃间在 Au-Ge和 Au-Ge-Ni熔体中的溶解度.发现温度升高,Ga与As的溶解度增加,但由于As的逸损,在熔体中 Ga与As的比例也增大.自Au-Ge的共晶组份起,Au含量的提高和Ni的加入均使Ga和As的溶解度增加.自热力学活度角度讨论了溶解度提高的原因.测定了Au-Ge与Au-Ge-Ni(或Fe、Cr、Co)系统的比接触电阻,并结合溶解度的实验和热力学活度的计算进行了讨论.分析了各组份对欧姆接触比接触电阻的影响.

  • 结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析

    阮英超

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 107

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    本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的霍耳效应.利用“准平面”拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同掺杂浓度、栅电压、漏电压以及n沟-Si器件不同宽长比的霍耳电势分布与磁灵敏度. 结果表明:当器件宽长比(w/L)(?)1—2时,典型的电压性磁灵敏度为~10mV/V·kG,电流性磁灵敏度为 10~2-10~3mV/mA·kG.据此,提出了一种灵敏度高、有良好工作稳定性及噪声性能的霍耳器件——结型场效应霍耳管(Junction Field Effect-Halltron).

  • 一种平面型GaAs场效应晶体管

    邓先灿

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 121

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    本文提出了一种新的平面型砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)结构.阐述了用氧离子注入制作此种平面型器件的计算和实验结果.将制得的平面器件与通常的台武器件作了比较.看出平面型器件在微波特性和制作工艺上具有明显优点.

  • 双层逻辑电路

    林雨, 魏书明

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 127

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    本文讨论了在集成电路中将ECL信息变换到TTL信息的困难,提出了用一种新型触发器——浮动触发器实现ECL信息到TTL信息变换的方案.在此基础上,提出了一种新的逻辑电路——双层逻辑电路.其电平较高的土层传输ECL信息,电平较低的下层传输TTL信息,并通过在组合电路中,把TTL信息变换为ECL信息,及在寄存器中将ECL信息交换为TTL信息来完成时序电路主要的逻辑功能.用此电路设计了四位多功能运算器.研制结果表明,其功耗低,布线容易,元件用量少,适于中、大规模集成.

  • 功能丰富的逻辑分析器设计

    谢福增, 童其美, 鲍秉乾, 周旋

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 136

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    本文提出一种功能丰富具有数据比较功能的逻辑分析器的设计方案.对实现无竞争冒险的逻辑设计及整个系统的工作原理作了较为详细的论述.给出了作为试验样机的 LA-781型逻辑分析器的研制结果.

  • 四毫米雪崩管振荡器

    郑东, 杨玉芬

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 145

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    本文给出了4mm硅P~+NN~+型雪崩二极管的参数设计,简述了二极管的制作工艺过程、微波振荡器结构和设计考虑.从等效电路在理论上预计了反射式外腔稳定的IMPATT振荡器的几个重要电学参数.实验研究了振荡器及其噪声特性. 实验表明,外腔稳定的IMPATT振荡器工作频率范围为70—80GHz,输出功率大于20mW(最大为160mW),效率为1—2%(最大为3.8%).振荡器噪声特性优于同频段速调管70V10.偏离载波30MHz时,100Hz带宽内,FM 噪声的均方根频偏△frms=2Hz,而速调管为△frms=9HZ.振荡器稳定度为 3.6 ×10~(-7)/分,1.8 ×10 ~(-5)/小时,5 × 10~(-4)/200 小时,也优于速调管.

  • 一种新颖的无显影光刻技术

    裴荣祥, 洪啸吟, 韩阶平, 金维新

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 162

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    光刻技术是制造半导体器件的重要工艺之一,自六十年代初,在半导体工业得到运用以来,大大促进了半导体器件和集成电路的发展,至今仍占有重要地位.随着半导体器件向更高频率和大规模集成的方向发展,要求器件的尺寸越来越小,

  • An investigation on the annealing properties of SiO_2-Si interface in RF plasma

    Zheng You-dou, Wu Feng-mei, Su Zong-he

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 163

    Abstract PDF

  • 一种获得P~+P结构的方法

    徐稼迟

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 165

    Abstract PDF

    <正> 众所周知,在热氧化时半导体中的杂质分布会有改变,受主杂质硼和镓也不例外.按照文献[1] 给出的公式可以计算热氧化后硼和镓在硅中的浓度分布.所用公式是:

  • 铝对硅外延层的吸杂现象

    孙安纳, 赵书鸾

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 167

    Abstract PDF

    <正> 观察到,当用高纯铝丝(含铝99.99%)在外延基座表面划线作记号,再将外延片衬底放在该位置上,进行常规的SiCl_4-H_2还原法外延,然后将外延片用Sirtl腐蚀液显示,可看出:对应于基座上划线的位置,外延层中的小浅坑缺陷(亦被称为“雾点”、梨皮点”)

  • 第二届全国半导体物理学术会议简讯

    陈维德

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 170

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    <正> 第二届全国半导体物理学术会议于1979年11月8日至14日在安徽省合肥市召开.出席这次会议的有领导机关、研究单位、高等院校、情报出版、工厂等74个单位的135名代表.11月8 日上午,由中国物理学会常务理事、中国科学院半导体所所长黄昆主持开幕式.安徽省委第一书记万里,

  • 1979年全国微波、光电器件及化合物材料学术讨论会

    黄廷荣

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 171

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    <正> 由中国电子学会半导体集成技术专业学会和电子材料专业学会主办的《全国微波、光电器件及化合物材料学术讨论会》于1979年12月15日至21日在南京召开. 中国电子学会半导体集成技术专业学会副主任武尔贞主持了这次会议.江苏省革委会副主任汪冰

  • 全国集成电路和硅材料学术会议简讯

    冯应章

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 172

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    <正> 中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会联合举办的《全国集成电路和硅材料学术会议》于1979年12月29日至1980年1月6日在福州市举行.这是建国以来第一次全国性的半导体集成电路和硅材料专业学术会议.来自全国24个省、市、自治区220个单位的科研,工业部门和高等院校

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