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Volume 2, Issue 2, Feb 1981
Table of Content
CONTENTS
极性对重掺GaAs晶体中小晶面效应的影响
褚一鸣, 何宏家, 曹福年, 白玉珂, 费雪英, 王凤莲
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 85-89
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锑化铟单晶中α位错的运动速度
俞振中, 金刚, 陈新强, 马可军, 曹菊英, 许平
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 90-98
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P~+注入硅损伤层的椭圆偏振术研究
钱佑华, 陈良尧, 张继昌
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 99-106
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n型硅中铂和钯的电学性质
孙恒慧, 盛篪, 陈巧珍, 冯冠华, 袁瑞舜
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 107-116
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差示光谱法测定硅中的氧和碳
许振嘉, 江德生, 宋春英, 孙伯康, 刘江夏
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 117-127
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反型层中电位与载流子浓度的平衡分布
陈祥训
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 128-133
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晶体管分流限制饱和TTL电路
许居衍
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 134-140
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Si开关晶体管电荷存贮效应的模拟
夏武颖
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 141-152
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一个小型机上的通用电路分析程序——GCAPN
洪先龙, 孙家广, 吴启明, 柳西玲, 王泽毅
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 153-160
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用电导法测定Si-SiO_2低界面态密度和俘获截面
史常忻, 陆德仁, 顾为芳
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 161-163
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分子束外延设备和砷化镓单晶的生长
分子束外延设备研制协作组
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 164-167
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全国半导体激光器和发光器件学术讨论会
唐顾
Chin. J. Semicond.  1981, 2(2): 168-168
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