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本文研究了极性对重掺GaAs晶体中小晶面效应的影响.发现两种小晶面的显著区别.电子探针分析表明:砷小晶面中的Te含量比Ga 小晶面高,As小晶面区和Ga小晶面区的Te含量与本体区Te含量之比分别为3-7和1.3—2.5.而且仅在As 小晶面区边缘观察到小角晶界,但Ga 小晶面区边缘却不出现.用两种小晶面成核性质的差异讨论了这些结果.

采用二次腐蚀技术研究了纯净及掺杂晶体内α位错的运动速度与浓度及应力的关系.实验表明,InSb晶体内的位错运动速度具有明显的热激活性质.与纯样品相比,N型掺杂晶体的激活能较小,位错速度相应增加,而在P型掺杂晶体内,激活能值明显增加,位错速度显著减小.依据α位错受主性质,对实验现象进行了解释.

用椭圆偏振术研究了不同剂量P~+注入硅样品损伤层的复折射率n|~=n-ik. 提出一个简单的模型对折射率n在临界剂量处出现峰值作了唯象的解释.

本文用瞬态电容、热激电容和热激电流方法测量n型硅中铂和钯的电学性质.n型硅中铂的二个能级是E_c-0.22eV和E_c-0.30eV.掺钯的n型硅中亦存在二个能级为E_c-0.23eV和 E_c-0.29eV.第二个深能级 E_c-0.29eV由于它的位置和浓度与高温淬火引起的能级相仿,所以这一能级的起因尚需进一步研究.

本文提出了一种利用差示光谱测定硅中氧、碳含量的方法.对于该方法的误差进行了讨论.

本文导出了非简并状态反型层中电位与载流子浓度热平衡分布的解析表达式,其结果与计算机求得的精密数值解符合很好.由本文结果还可方便地求出这类反型层问题的其它重要参数.

本文提出并讨论分析了一种晶体管分流限制饱和TTL电路.该方法采用了双发射极倒相放大管结构,并在第二发射极和输出管集电极之间接入限制饱和回路以加速截止过程.计算和实验表明,电路的平均时延比标准TTL电路降低了一个数量级.晶体管分流电路保留了标准TTL电路的全部优点而无需改变制造工艺,且不必增加电路元件.在同一条制造线上,通过与肖特基限制饱和TTL电路的对比说明,该电路室温时延接近后者,但具有更好的噪声余量和高温性能,而且也更适宜于双极型集成电路制造工艺.

对硅开关晶体管来说,在基极驱动电流I_B_1和反抽电流I_B_2固定的条件下,测量出的存贮时间t_s随集电极电流的增加而增加或不变.这种现象是无法用一般常用的Ebers-Moll模型来解释和模拟的.通过实验我们看到:在这种开关晶体管中集电结正向电流主要是空间电荷区中的复合电流而不是注入电流.而空间电荷区中的复合电流并不伴随着电荷存贮,因而可以起抗饱和的作用.而抗饱和的程度受到集电极串联电阻,集电极电流,基极串联电阻和电流增益的影响.我们称这种效应为空间电荷区复合流抗饱和效应.我们提出考虑此效应的模型.用此模型可以模拟一般Ebers-Moll模型无法模拟的硅开关晶体管的特性,使计算结果和实验符合得较好.

电路分析技术是电路设计工作者有力的助手。在小型机上实现电路分析程序将更有利于它的普及和推广,可为更多的电路设计工作者使用.本文介绍的GCAPN是配置在配有磁盘操作系统 RDOS的 DJS-130机或 NOVA机上的通用电路分析程序,该机具有 64 K字节的内存. GCAPN具有一个直观易学的输入语言,采用“改进节点法”列方程,用稀疏矩阵技术和隐式变步长的积分法来求解方程,在数据结构和软件技术上采用了适于小型机特点的方法.GCAPN中还备有MOS和双极型晶体管的模型.用CCAPN可进行直流、交流和瞬态分析.

<正> 本文用国产仪器完成了电导法的测量装置,对氯化氢氧化的硅样品测量结果表明,能够可靠地获得界面态密度几乘 10~9cm~(-2)·eV~(-1)的测量数据和相应的俘获截面. 已知,N型衬底MOS电容中界面态的等效并联电导G_p为:

<正> 分子束外延(简称MBE)技术是在真空蒸发基础上发展起来的晶体生长新技术.它是在超高真空条件下,构成晶体的各个组分和掺杂原子(分子)以一定的热运动速度、按一定的比例喷射到热的衬底上进行晶体的外延生长.其特点是生长速度慢、生长温度低,可精确控制生长层的厚度、组分和杂质分布,生长的表面和界面有原子级的平整度,

<正> 中国电子学会委托中国科学院半导体研究所、永川光电技术研究所、长春半导体厂共同筹办的《全国半导体激光器和发光器件学术讨论会》于1980年12月12日至16日在永川光电技术研究所举行.参加这次会议的有特邀代表高鼎三、冯志超教授、杨姮彩高级工程师,有来自全国科研单位、高等院校、工业部门等36个单位,98名代表.