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Volume 4, Issue 1, Jan 1983

    CONTENTS

  • 赝原子轨道集团方法计算Si和GaAs中的空位

    夏建白

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 1

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    本文提出了由赝原子轨道组成的集团计算半导体中深能级的方法.通过比较在布里洲区原点能带能量的方法,确定了赝原子轨道的局域参量.用赝原子轨道的线性组合,得到了较好的能带结构.采用Baraff的Si空位自洽赝势,计算得到的局域态和共振态能级与格林函数方法的结果基本一致.此外,还得到了空位态波函数在空间分布的形状.对GaAs进行类似的计算,结果发现,在禁带中存在Ga空位的浅能级和As空位的深能级.

  • 键环作用对四面体配位半导体的电子态密度的影响

    徐家进, 莫党

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 10

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    本文用“原子集团-仙人掌格子”模型对ST-12结构计算其电子态密度,并与用“原子集团-Bcthe格子”模型而得的结果加以比较.计算结果表明,长程的键环作用对电子态密度影响甚小,以致在计算电子态密度时我们往往可以不必详细考虑这种作用.

  • 代位式碳在硅单晶中的局域模与红外吸收

    陈畅生, 张哲华, 叶亦英

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 20

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    本文探讨了代位式碳杂质在硅单晶中的振动行为.由于碳杂质周围的晶格畸变和电子电荷密度重新分布感生有效电荷,提出C-Si_4局域有效电荷模型;计算了由此产生的局域模频率和红外吸收系数.理论计算的结果与R.C.Newman等人的实验结果的一致性,说明局域有效电荷模型适用于处理一些代位式杂质在金刚石结构晶体中的晶格动力学问题.

  • 高掺杂半导体中补偿程度和注入水平对带尾结构的影响

    郭长志, 李国华

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 29

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    本文分析了影响高掺杂半导体中杂质势能涨落大小的因素.建立了较简便的自治计算近似方法.计算了不同补偿度下的势能涨落均方差及Halperin-Lax带尾,得到随补偿程度增加势能涨落和带尾迅速变大的结论.研究了注入水平和较深受主能级对势能涨落的影响,得到注入将使带尾变小而较深受主能级将会加大带尾的结论.

  • 氧化膜/InGaAsP界面物理性质的研究

    陈克铭, 仇兰华, 陈维德

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 37

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    本文用φ550 AES和 ESCA能谱仪与离子溅射相结合方法,研究阳极和SiO_2氧化膜与n型<100>晶向InGaAsP界面区的组分和各种氧化物的剖面分布.测量了氧化膜的参数.实验结果表明:采用合适的化学腐蚀和阳极氧化条件,可获得绝缘性较好及界面晶体缺陷和界面态密度较少的氧化膜.但在未经化学腐蚀的样品中组分及各种氧化物的深度分布是不均匀的,井可分为四个层.还给出不同层中 GaLMM,As3d,In3d和 P2p的结合能值,其中Ⅲ 族元素的母体效应比较显著.同样也可得到InGaAsP上SiO_2氧化膜的绝大部分区域是纯SiO_2,而化学腐蚀只能减少过渡区宽度和增大界面陡度,但在过渡区内仍存在Ga_2O_3,In_2O_3 和P_2O_3.

  • 非均匀半导体激光器传输特性的理论分析

    单永政, 杜宝勋

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 47

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    本文建立了非均匀半导体激光器的传输模型,并利用这个模型对非均匀半导体激光器的传输特性进行了小信号理论分析,给出了表征其传输特性的四种传输函数,讨论了系统的稳定性和稳定条件.分析的结果表明,非均匀半导体激光器是条件稳定系统,在其输出中存在着自激振荡的可能性.

  • 离子注入硅片的CWCO_2激光退火固相外延模型

    沈金萱, 屈逢源

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 56

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    本文把部份线性化和隐格式方法运用于数值求解非线性非齐次热传导方程,得到相应的差分方程,从而把数值求解热传导方程从目前所能计算的ns级Q开关脉冲激光退火过程推广到 ms级以上的 CW CO_2激光退火过程.在计算中,提出了近似计算径向热传导散热的准静态模型,井考虑了硅的热传导率和吸收系数随温度的变化.计算获得了各退火参数间的一系列关系.对于再结晶厚度和激光扫描速度间的关系,理论计算和实验结果基本相符.

  • Al-SiO_2-Si(n)系统的电子辐照效应

    包宗明, 张秀淼, 杨恒青, 张增光

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 64

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    本文研究了电子辐照和退火对Al-SiO_2-Si(n)系统的影响.结果表明,经电子辐照加适当退火处理的样品与未经辐照的样品相比,体内非平衡少数载流子复合寿命明显降低,但表层产生寿命却有所增加,而且平带电压、界面态密度和表面产生速度都略有降低.

  • 用真空紫外辐照研究Si-SiO_2界面的氧化层陷阱和界面态

    杜瑞瑞, 孙恒慧, 董国胜

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 69

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    以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n(100)硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO_2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为10~(12)/cm~2数量级的空穴陷阱,部分氧化层中有密度为10~(11)/cm~2的受主型电子陷阱.湿氧样品在正偏置和零偏置辐照后出现具有确定能级(E_c-E_s(?)0.40eV)的界面态密度宽峰.辐照引进的界面态和空穴被陷阱俘获有关,在1×10~(10)~5 × 10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)范围,禁带中央界面态密度正比于被俘获空穴的密度.辐照产生的界面态不能由电子注入加以消除.本文由空穴俘获-弱键破裂模型讨论了实验结果.

  • 用AES及椭偏仪研究硅上超薄氧化层

    张家慰, 赵正平

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 78

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    <正> 一、引 言 硅片上厚度在6A|°-50A|°范围内的超薄氧化层的性质已引起人们的广泛注意.因为它不仅在一些半导体器件制造中起关键作用,而且对Si-SiO_2界面性质的研究也有重要意义. 用椭偏仪测量50A|°以下的氧化层厚度,除了仪器的灵敏度外,尚需解决数据处理问题.在此厚度范围内椭偏参数ψ非常接近,因此不能像厚膜那样,依据ψ、△同时确定膜的折射率和厚度.我们的计算结果表明,在10A|°以内及在20A|°-50A|°范围内,由折射率

  • 9微来红外吸收法测定硅单晶中氧含量的标定曲线

    李月珍, 何焕南, 赵关弟, 严荣华, 吕庆仁, 祁明维, 章家鼎, 华芝芬

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 81

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    本文用氦载气熔化-气相色谱建立了红外吸收法测定硅单晶中间隙氧的标定曲线.由于熔化法中实验条件的控制和试样准备的改进,降低了空白,提高了数据的重现性,做出较可靠的标定曲线(其换算常数为6.2ppmA/cm~(-1)).优于文献中其它的标定曲线.

  • 光荧光法测定硅中磷、硼含量

    孟庆惠, 于鲲, 李永康, 许振嘉, 陈廷杰, 吴灵犀, 徐寿定

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 86

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    本文介绍了用液氮温度光荧光谱测定硅中磷、硼含量的方法.磷、硼浓度的校准曲线由变温霍耳系数的实验结果所确定.

  • 一神光掩模缺陷检查技术

    傅丽珍, 王家楫

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 90

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    这里介绍的光掩模缺陷检查技术(MDI)是应用了方向性空间滤波原理,其检查速度比常规显微镜的快2-3倍,可检测的最小缺陷约为3μm.这种检查技术操作简便,为实现光掩模缺陷的自动检测打下了基础.

  • 液相外延生长的Al_xGa_(1-X)As中Al组分分布及少子扩散长度的研究

    刘宏勋, 陈娓兮, 虞丽生

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 93

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    用液相外延生长了不同x值0.2-0.8的P型和N型AlxGa_(1-x)As.用X光能谱法测量了厚度10μm范围内的Al组分分布.发现在厚度为5μm以内Al组分基本上是均匀的,而在5μm以外随着厚度的增加对于高Al样品x值是增高的,而对于较低Al组分样品x值降低.用EBIC方法测量了电子和空穴的扩散长度.得到在掺杂杂质浓度相同的条件下电子的扩散长度随Al组分x值的增加而减小.空穴的扩散长度则不随Al组分的变化而变化.

  • 反应离子束刻蚀及其应用

    金维新, 孟宪光, 尤大伟, 胥兴才

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 97

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    本文对反应离子束刻蚀及掩模转换技术作了研究,结果表明反应气体O_2或CF_4压力变化对 Au、Cr、Si、SiO_2、Al等各种材料的刻蚀率影响是不同的,金和铬的刻蚀率之比可达16,金和铝的刻蚀率之比可达8.8.因此,反应离子束刻蚀和掩模转换技术已用来制造高深宽比的、精细的x射线金掩模图形.

  • InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性

    张桂成, 水海龙

    Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 101

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    <正> 一、引 言 石英光纤在1.0~1.7μm范围有低损耗和低色散,因此长波长光纤通信是近年来发展较快的领域.为了使长波长光通信系统实用化,研究可作为这一系统光源用的 InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性,具有现实意义.

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