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从原子的局域赝势出发,利用线性响应理论求得了替代杂质在硅中产生的屏蔽微扰势.用赝原子轨道的集团方法计算了各种杂质原子在硅中产生的深能级.得出,短程势和长程势对深能级的形成都起重要作用.深施主态也有谷轨道分裂的现象,但分裂的能量较大,波函数是反键态性质.深受主态能级位置较深,波函数是悬键态性质.等电子杂质不易产生深能级.计算得到的深能级位置与实验作了比较.

研究了高压液封直拉InP 单晶在 4.2 K、1.8K和 4.2至～40K三种温区的光致发光谱.除看到了1.416eV处的近带边峰和1.1-1.2eV处与P空位有关的络合物峰外,还观察到1.377eV(A峰)和1.368eV处(B峰)的两个峰及它们在低能方向的一级、二级、三级声子伴线.初步确定A峰、B峰分别与受主杂质Zn、Cd有关.实验测定了InP中纵向光学声子(Lo)的能量约为43meV,并给出了电子、声子耦合强度s值.

本文研究了与(100)晶面错向的衬底上砷化镓液相外延层的表面形貌.随着外延层厚度的增加,先后观察到了鳞片状结构、水波纹结构和平行阶梯结构.本文对这形貌变化的机构作了讨论.我们还看到当外延层厚度是 2.1—2.2μm时,只有错向<4＇表面才光亮平整.当外延层厚到2.5-3μm时,错向<5＇即可获得光亮的表面.

用红外吸收的光调制技术在90-330K温度范围内测量了组分0.24

利用深能级瞬态谱(DLTS)证实:经染料脉冲激光辐照,红宝石脉冲激光辐照,连续Nd:YAG激光辐照的P型硅样品,存在深中心缺陷,主要是:(E_v+0.14cV)、(Ev+ 0.19eV)和(Ev+ 0.24eV).从这些深中心缺陷的不同淬火和退火行为,可以认为缺陷中心主要是样品在激光退火过程中产生的过饱和空位所形成的,而且可能是与某种大空位团有关.

用探测在MgK_α和 AlK_α X光源激发下掠角发射的As 2p、GaZP、Ca3d和Ols光电子的办法,提高了XPS表面分析的灵敏度,从而研究了 GaAs(111)面在吸附氧过程中表面 Ga、As和O的变化情形.发现吸附一开始时氧同表面Ga原子成键,随后氧再同As原子成键.吸附引起As2p强度的减弱,而没有看到有Ga减少的现象.在400℃以下加热退火,可以使As-O键消失,但Ga-O 键依然存在,后者只有在550℃退火才会去除.经过氧吸附并550℃退火后,(2×2)LEED图样比吸附氧以前更为清晰,氧在表面的初始粘附系数减小,说明表面有序程度提高.从氧吸附并退火后表面As/Ga比的增大,推测是由于这一处理部分地消除了原先表面所存在的Ga岛.

用能量为300eV的入射电子测量了InP(100)与(111)面的电子能量损失谱,识别了能量损失为15.2eV的峰对应于InP的体等离子体损失,11.7eV和8.7eV 的两个峰分别由In的体和表面等离子体损失所引起.用费米能级以上1.8 eV和 4.0eV处存在两个空态.解释了19.3eV、20.2eV、22.7eV,3.8eV和 6.0eV 几个损失峰分别对应于从In 4d芯能级和价带到上述空态的跃迁.In的体和表面等离子体损失峰的存在说明表面形成了In岛.根据同纯In样品损失谱强度的比较,估计了表面In岛所占的面积.表面In岛是氩离子刻蚀所造成,经过退火,In岛所占面积缩小,但厚度增大.InP(100)表面形成的In岛比(111)表面更不易消除.

本文提出了一个采用有限元方法,适用于 GaAs FET’s 的二维数值分析的方法和程序.由于采用了与传统的Gummel算法有所不同的计算方法,使计算过程得到简化,计算工作量大为减少.采用本文的方法,即使在网格点总数与文献相比大为减少的情况下,对典型的GaAsFET’s的计算结果仍能与文献报道的其它二维分析结果和实验数据取得较好的一致.

本文叙述了MOS 器件的二维稳态分析软件.二维泊松方程和电流连续方程是用有限元法求解的.非线性泊松方程用牛顿-拉夫森法线性化.由于采用Gummel迭代法求解和巧妙地采用稀疏矩阵技术存放方程的系数矩阵,节省了所占用的计算机内存.求解所需网格划分信息由程序自动形成.本文给出了本程序运行时占用内存和运算时间以及MOS器件的一些计算结果.

研究了N~+N~-P结构中低掺杂N~-区中的电场效应以及由此引起的空穴在N~-区中的积累效应,提出了积累效应临界点的概念.第一次给出显含电场的N~-区空穴分布及空穴电流的解析表达式.扩展了LEC晶体管的概念,研究了在N~-区电场影响下高频LEC 晶体管的β_y和f_T的变化情况,得出了一些新的结论.计算机数字分析表明,理论与实际符合较好.

在掺硅分子束外延Al_xGa_(1-x)As中观察到一个持续光电导中心.当组份x=0.25时,热激活能为E_o=0.06eV.为了说明持续光电导主要来自该中心的贡献,必须确证样品不均匀性的贡献是次要的.提出了把迁移率温度关系作为判别标准.

描述了研制的液体镓离子源的结构工艺,并对该离子源的电流与引出电压的关系,电流与温度的关系,亮度等进行了测试和讨论.该离子源的性能现已达到:亮度=1.3×10~(12)mA/cm~2·rad~2(在α=8°30＇张角内测量);阈值电压5kV左右;寿命>50小时.

用液相外延的方法在(100)取向的InP衬底上生长了晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)s.采用普通的原材料,经过适当的处理工艺,已经获得室温载流子密度为(5-10)×10~(15)cm~(-3),电子迁移率高达9450cm~2/V·s的In_(0.53)Ga_(0.47)As外延层.

光电导膜层的结晶系统、晶粒生长取向及晶粒度,是决定其光电导性能的基本因素.本文介绍了用扫描电镜、x射线衍射方法对氧化铅靶层的形貌取向晶粒度进行综合研究的结果,并对测量结果做了分析和讨论.

<正> 用离子团束法来外延半导体材料是低温外延的一种可能途径.所谓离化团束外延(ICBE),其特点是在薄膜的外延过程中,引入了一定数量的具有一定能量的离子.在ICBE情况下,外延材料在喷射炉中被加热成零点几个托到 10~(-2)托的蒸气喷入10~(-5)托左

MBE GaAs单晶薄膜的载流子浓度(1.8-8)×10~(16)cm~(-3),室温迁移率 3000-5000cm~2/V.3最高达5466cm~2/V.s,相应的77K迁移率为1.59 ×10~4cm~2/V.s.对高杂质浓度的外延层进行了阴极荧光(4.2K) 和SIMS 测量分析.

<正> 第四届全国半导体物理学术会议于1983年11月27日至30日在南京召开.参加会议的有高等院校、研究所和工厂共66个单位189名代表. 李志坚教授向大会致开幕词.黄昆教授和谢希德教授分别作了题为“聚乙炔半导体”和“半导体物理的某些进展”的特约报告.聚乙炔的研究近几年来在国际上引起了极大的重视.黄昆教授的报告

<正> 中国电子学会半导体与集成技术学会和中国电子学会电子材料学学会联合举办的第三届全国集成电路和硅材料学术年会于1983年11月9日至13日在安徽省合肥市召开.来自全国各工业部、高等院校、中国科学院和工厂一百二十多个单位的三百名专家、学者、工程技术人员出席了年会.