|
Issue Browser

Volume 5, Issue 4, Apr 1984

    CONTENTS

  • 流体静压力下的Si中的深杂质能级

    夏建白

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 345

    Abstract PDF

    在硬原子赝势近似下,由赝势平面波方法计算的能隙压力系数与实验符合较好.压力下,赝原子轨道的s态局域半径扩大,p态局域半径减小.考虑了局域半径的变化,用赝原子轨道线性组合方法也得到了与实验相当的能隙压力系数.以变化后的赝势和原子轨道为基础,用集团方法计算了Si中杂质能级的压力系数,得到了与Vogl不同的结论.施主态压力系数的大小与能级的对称性有关,而与深浅无关.S、Se、Te的Al态压力系数的计算值与实验符合较好.受主态相对于价带顶的压力系数与能隙的压力系数相近(~-1.5).

  • a-Si:(Cl,H)薄膜的PESIS研究

    邢益荣, 钟战天, 沈光地

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 353

    Abstract PDF

    利用 Mg Ka X射线作为激发源,对 a-Si:(Cl,H)薄膜进行了 PESIS研究.样品是采用辉光放电方法在SiCl_4-SiH_4-H_2混合气体中,当石墨衬底温度为350℃时生长的.实验发现,薄膜中的Cl只起补偿 Si悬挂键的作用,不起掺杂作用.对Si 2p光电子峰进行分解,得到Cl引起Si 2p能级的化学位移为 1.1± 0.1eV.根据原子电负性的考虑,认为在 a-Si:(Cl,H)薄膜中,只存在 Si-Cl单键结合,不存在 Si-Cl_2、Si-Cl_3和 Si-Cl_4的结合形式.对Cl 2p光电子峰的分析结果表明,在这种薄膜中,Cl只有一种化学形态,即Si-Cl结合态,不存在分子Cl_2.

  • 多晶硅中碳化物及其来源的研究

    万群, 李玉珍, 徐宝琨, 赵慕愚

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 360

    Abstract PDF

    本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可达70μm,元素分析结果表明其组成符合SiC的计量比.根据国内常用的制备多晶硅的方法,从理论上分析了SiC沾污的原因,并讨论了减少这种沾污的可能途径.

  • 原生直拉无位错硅单晶中漩涡缺陷的观察

    钱家骏, 褚一鸣, 范缇文, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 368

    Abstract PDF

    本文用化学择优腐蚀显示、红外吸收光谱测量以及透射电子显微镜观察等方法,研究了原生无位错直拉(CZ)硅单晶中的漩涡缺陷.结果表明原生硅中存在有Ⅰ、Ⅱ两类漩涡缺陷,Ⅰ型漩涡缺陷是位错环、位错环团及堆垛层错等;Ⅱ型漩涡缺陷是一种沉淀物.实验表明这种沉淀物的结构是板片状α-方英石(SiO_2).在原生CZ硅中还观察到一种尺寸小于100埃的高密度(约10~(13)-10~(14)/厘米~3)Ⅲ型缺陷.

  • 二毫米雪崩二极管微波振荡器

    杨玉芬, 刘衍芳

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 374

    Abstract PDF

    本文给出了硅 P~+NN~+结构IMPATT二极管微波振荡器的研制结果.对主腔为径向线结构和外加反射式稳频腔的振荡器进行了实验研究,对耦合线长度的选择进行了理论分析并与实验结果作了比较.用自制的二毫米混频器和PB-12频谱仪观察了振荡器的频谱.在120-140GHz的范围内给出了20毫瓦的输出功率,效率在1%左右.

  • GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起静止畴的超宽带负阻

    郑一阳, 张进昌

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 380

    Abstract PDF

    本文讨论了在CaAs 体效应器件中由于阴极附近深凹槽的掺杂分布引起的静止畴的超宽带负阻,在这一模型中电场分布不再是通常的三角形,而可以得到整个有源区内较为平坦的电场分布,利用这一模型用小讯号理论计算了它的负电导,可以在很宽的频段内获得负阻,实验上也观察到一些结果,利用这一结构可以制作超宽带负阻器件.

  • MOSFET强表面场电学特性分析

    刘可辛, 傅予, 李宏

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 388

    Abstract PDF

    本文考虑了横向电场和纵向电场对表面迁移率的影响,分析了强表面电场下MOSFET的电学特性.给出了电导和跨导等分析表达式.对硅VVMOSFET进行了电学特性的测量.实验结果与理论分析符合得很好.

  • LSI二维布局的分析算法

    周电, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 396

    Abstract PDF

    本文提出一种适合于门阵列的布局算法,该算法采用分析方法处理二次分配的组合问题,具体使用最优相对布局及线性分配定位或快速定位方法得到一个接近最优解.实际结果表明不论初始分布如何,均可在差不多相同的时间内获得优化结果大致相同的结果. 本算法(用快速定位)的计算复杂性为O(n),计算速度很快,一般对一百至二百个单元的芯片,计算速度比通常的力交换法快一个数量级.本算法对大系统的适应性特别好.

  • 快速最优通道布线算法

    吴祖增

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 404

    Abstract PDF

    本文提出的快速最优通道布线算法,是Kernighan-shweikert-Persky最优通道布线算法和Wada曲于最优通道布线算法的改进.这些算法的“最优性”意义完全相同,但新算法的执行速度统计地比上述二法远远为快.

  • LSI多元胞版图设计的一种布局方法

    沙蕗, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 412

    Abstract PDF

    本文提出LSI版图自动布局的一个实用程序.该程序适用于多元胞布局模式,由块的划分和块内布局两个步骤完成.求解的算法主要有:分配问题的近似算法、Ketnighan-Lin算法和分枝界限法.文中着重介绍对上述算法的改进.主要的改进为:1,在采用分配问题求解时,定义了三个选择函数以适应不同的要求,其中 F_2带有一定预见性; 2,对 Kernighan-Lin算法的目标函数及交换方式作了改进,以满足布局问题划分中特有的几何参数的要求.此外在迭代过程中使用了分枝界限法,通常可显著减少迭代时间.该程序使用Fortran-IV语言编写,已在PDP-11/34计算机上调试通过,并运行了若干实例.

  • 双边单元的LSI自动布局算法

    程可行, 庄文君

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 422

    Abstract PDF

    本文采用带冗余通道的双边单元模型,提出了一种有效的LSI自动布局算法.算法中运用“等分接点法”进行单向的布局初始构造,并用多种方式进行布局的迭代优化处理.由于在布局过程中对所有纵向连线的通道分配进行了统一的考虑,提高了设计的整体合理性.本文提出的布局算法和我们提出的“通道区布线的通道损益分析法”可望成为一个有效的布图设计系统的基础.

  • 可编逻辑阵列的折迭和版图自动生成

    赵文庆, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 431

    Abstract PDF

    本文提出了一个可编逻辑阵列(PLA)的自动设计系统.它以逻辑函数作为输入数据,先后进行逻辑综合、PLA折迭以及自动生成版图的制版源程序.适用于多输出函数组合逻辑电路的设计,能够处理的输入变量和输出变量总数最多为32.文中对系统的两个主要部分作了介绍.首先,叙述了一种改进的折迭算法,提出了用以提高折迭效率的折迭参数法和交叉拆迭法,并介绍了完整的折迭过程.其次,叙述了版图自动生成的方法以及按照双极型工艺实现版图生成的过程.最后给出了本系统运行的若干结果.

  • 关于MOS结构深耗尽c(v)特性的转折现象

    马鑫荣, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 440

    Abstract PDF

    <正> 最近,据K.S.Rabbani和D.R.Lamb报道,他们在某些n型硅MOS结构上观察到了反常的高频c(v)特性和脉冲c(t)特性,即在一定的高负栅极电压下,上述两种特性曲线都出现了某种“转折”现象.他们不能解释这种现象,只推想它也许和某种局部的体缺陷有关。我们在自己的P型硅MOS结构上,无例外的重复地得到这种“转折“现象,并证明,这一现象是价带电子向表面耗尽区隧道注入的结果.图1(a)是所采用的样品结

  • 用MOS恒定电荷法测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度

    谭长华, 许铭真

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 443

    Abstract PDF

    在MOS由深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷保持恒定,则用半导体表面势(ψ_s)与MOS的瞬态微分电压(dv/dt)之间的渐近线性关系,可以同时确定少子的体产生寿命及表面产生速度.实验装置可以直接显示ψ_s-dv/dt曲线,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序.

  • Al-SiO_2-Si/n系统的r辐照界面效应及退火特性

    张秀淼, 顾峰, 谢可勋

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 449

    Abstract PDF

    本工作以~(60)Co作为γ辐射源,在7.6 ×10~3至6.9 ×10~4伦琴剂量范围内,研究了Al-SiO_2-Si/n系统的辐照感应氧化层有效电荷、界面态与辐照剂量的关系.也研究了这些界面效应的退火特性.此外,还对实验结果作了分析和讨论.

  • K_(CMR)的一个测试方法

    李光宇

    Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 453

    Abstract PDF

    本文简略地分析了运算放大器的共模传输特性,推导出共模抑制比的定义测试法,即失调电压法测K_(CMR). 通过误差理论分析,将此法与IEC(国际电工委员会)规定的两种方法进行了比较,证明失调电压法测K_(CMR)优于通常使用的两种方法.

Search

Advanced Search >>

Issues