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利用MOS C(t)特性系统地研究了强电场对硅耗尽层少子产生的影响.以Ieda等关于库仑中心电子发射率与电场强度的理论关系为基础,提出了一种对实验结果进行拟合的模型.该模型不仅满意地拟合了本工作的实验,而且合理地阐明了迄今文献中已发表的各种形式的非线性Zerbst实验曲线.结论是,产生率的强电场增强是硅中一个普遍效应,不论是对于高缺陷密度样品还是完整晶体样品,这一效应都是存在的.与深耗尽高频C(V)曲线的转折相对应,观察到了等效产生速度的跳变(突然增大).这一现象可用栅下高浓度区价带电子向耗尽区的隧道注入加以说明.

在注As硅中观察到7个深能级谱峰.CO_2激光退火是消除离子注入引入的深能级缺陷的有效方法.消除深能级缺陷的功率密度范围为 350W/cm~2-600W/cm~2与注入杂质激活的功率密度范围基本一致.功率密度高于600W/cm~2的CO_2激光扫描,在样品中引入比较单纯比较清洁的滑移位错.用DLTS测量,测得滑移位错的深能级为H(0.33eV).

本文用沟道背散射技术和透射电镜观察研究室温高剂量硼注入<100>硅的退火行为和残余缺陷.实验结果表明一步退火法不能完全消除注入引起的辐射损伤,在外延层中同时存在位错环和直接散射中心两种缺陷.用连续的剥层和测定沟道最低产额x_(min)的方法得到了直接散射中心的深度分布,按此分布用复次散射模型估算了直接散射中心对退道产额的贡献,从而分离开两种缺陷对退道的贡献.以B(?)gh公式为基础处理沟道谱的退道,实验得到的退道宽度λ值与Quere模型的理论预言基本相符.

针对TiS_2电输运性质中散射机制的争论,我们测量了化学计量TiS_2的单晶、多晶粉末,和非化学计量的多晶粉末的热电势率S(T)(温度T在90-400K之间). 将载流子-载流子散射和Fivaz同极光学声子散射这两种模型的计算结果分别与S(T)的实验值进行了比较,认为能同时对S(T)和ρ(T)给出比较满意的解释的是Fivaz同极光学声子散射说.

对由夹在两个半无限Ga_(1-x)Al_xAs块中的单GaAs层中的量子阱中浅施主基态束缚能做了变分计算.施主束缚能是作为GaAs层厚度和杂质位置的函数来计算的.研究了两种成分x=0.1和x=0.4.计算是在真实导带差额所决定的有限势垒情形下进行的. 计算结果与前人结果作了比较.结果表明,对杂质处于阱中心和x=0.4的情形,当阱厚L<50A时,束缚能的修正是显著的.例如峰值修正超过15％.此外,还研究了由于GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs具有不同有效质量而对基态束缚能的影响.

<正> SiO_2中的陷阱在MOS短沟道器件的设计中是一重要限制,随着MOS集成电路集成度的提高,器件尺寸的缩小,必须考虑器件的热电子效应,SiO_2中陷阱的存在使热电子注入后器件性能发生变化,严重影响器件的稳定性、可靠性,另外电子束曝光、离子刻蚀、

提出了一种新型的凹源结构场效应晶体管(简称RSFET). 对RSFET进行了二维计算机模拟,并与其它结构的场效应晶体管进行了比较.

在GaAs外延层上用电子束蒸发Nb及直流等离子体溅射Mo和Au的办法,制备了GaAs-Nb-Mo-Au结构的肖脱基势垒二极管.用XPS结合氩离子刻蚀测量了它的成分深度分布及界面特性,得到:当溅射Mo层厚度大于1000 A时,Au和GaAs之间的互扩散可以被阻挡住.Mo向Nb中的扩散使单独的Nb层不复存在,二极管成为GaAs-(Nb,Mo、Ga、As)-Mo-(MoAu)-Au结构.在界面过渡区中,Mo以金属形式存在,而Nb则同GaAs表面的天然氧化层反应后生成为低价的氧化铌.MoNb-GaAs肖脱基势垒比Mo-GaAs结构热稳定性好的原因,可能是同Nb氧化物的高生成热相联系的.

在28-160K温度范围内测量了液相外延制备的n-PbTe/p-PbSnTe异质结构二极管的零偏压结电阻面积乘积R_oA.采用通常的p-n结模型计算了R_oA的温度关系,并与实验曲线进行比较,结果表明:对于掺杂浓度约10~(17)cm~(-3)、77K的半峰值截止波长为11.5μm的典型二极管,在低于50K时R_oA主要受隧道电流限制.

本文发展了M.Reiser提出的通过对由二维瞬态数值分析得到的在阶跃栅、漏电压作用下栅、漏电流的响应波形进行富里叶变换来计算场效应晶体管小讯号微波网络参数的方法.首先,对M.Reiser的计算Y参数的公式作了一定修正.其次,考虑了源、栅、漏串联电阻R_s、R_G、R_D的影响.此外,注意了在计算中保证“小讯号”的要求.应用本文的方法对典型的1μm栅长的GaAs MESFET通过有限元二维瞬态数值分析的途径作了计算,计算结果与实测值符合较好.

高剂量As注入Si的样品,经红外瞬态辐照退火能获得亚稳态载流子浓度(体浓度可高达6×10~(20)cm~(-3)),明显超过800℃时热平衡条件下As在Si中的固溶度值(1.9×10~(10~(20)cm~(-3)).红外瞬态退火后再进行不同温度(室温-800℃)的后热处理,发现在处理温度390℃以上时,激活的杂质浓度随着时间加长而显著下降.本文报道上述失活现象的实验研究结果(霍耳效应测试和阳极氧化剥层技术、TEM、RBS随机谱、沟道谱和沟道产额角分布等实验结果),通过对这些实验的综合分析,讨论了激活As原子的失活机理.

本文提出了一种新的平面连续势——正弦平方势来描写面沟道粒子的退道行为;并利用WKB方法对粒子的退道行为作了半经典描述,结果表明,理论和实验很好符合.

本文提出了一种直接由C-t瞬态参数确定未知掺杂样品少子产生寿命的方法.本方法的简单性使它特别适于在工艺在线监控中应用.

<正> 关于由相同原子组成的半无限长的一维链固体的表面态的问题,曾被有些人研究过.但是他们仅考虑了表面晶格畸变所引起的电子的有效能量和表面邻近层原子能量的变化,而忽略了次邻近原子之间的相互作用能的改变.在这篇文章中,我们将去研究

<正> InP 与GaAs 一样,由于它的禁带宽度适中,能获得比较高的电子迁移率,因而作为一种新的电子材料普遍受到重视.Chadi及Duke等对一系列半导体化合物(110)表面的原子弛豫情况进行了理论及实验方面的研究,并提出了这些半导体化合物(110)表

报道了几种腐蚀InP(100)面位错的新的化学腐蚀剂:HBr,HCl:HBr及 H_2SO_4:HBr.腐蚀坑的形状为倒锥形.将以上几种新腐蚀剂在InP(100)面上的腐蚀坑分别与Huber腐蚀剂的位错腐蚀坑作了比较.

在180-500 K温度范围测量了不掺杂半绝缘GaAs晶体的电阻率和霍耳系数.按结果可把样品分为两类:(一)高阻样品,激活能为0.71-0.64eV,由EL2能级决定;(二)中阻样品,激活能为 0.43 eV和 0.37 eV,由 EL5和 EL6能级决定,这与 Martin 等报道的结果有所不同.热处理实验进一步证实了我们的分析.

描述了一种汽相生长n~+-n-n~+多层外延InP的简便方法及其生长程序.用本方法生长的具有特殊掺杂分布的n~+-n-n~+外延InP,制得了高效率InP耿氏二极管.在49.2 GHz下,连续波输出功率为232mW效率高达7.52％.

我们用一种新方法在硅上形成硅化物,硅片上溅射一层600 A的钛膜,在室温下用400keV4×10~(15)Xe~(++)/cm~2,1×10~(16)Xe~(++)/cm~2辐照,利用离子来混合效应形成1000A硅化钛膜.用MeV He 离子背散射方法研究了硅化钛组成和厚度并讨论了形成机制.