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Volume 6, Issue 2, Feb 1985
CONTENTS
B样条函数在短沟道MOS器件直流特性模拟中的应用
严志新
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 113-122
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780℃下液相外延生长周Al_xGa_(1-x)As的生长和掺杂特性
余金中, 岩井莊八, 青柳克信
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 123-127
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用RDLTS方法研究P型硅中Yb的空穴发射率与电场的关系
鲁永令, 傅春寅, 曾树荣
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 128-131
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混晶半导体中深能级的展宽及其有关效应
王占国
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 132-141
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以空穴层为表面层的第Ⅱ类半无限半导体超晶格中的表面集体激发模式
秦国毅
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 142-149
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多晶硅薄膜干氧氧化特性的研究
张爱珍, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 150-158
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用冷阴极电子束快速处理金属-硅薄膜生成硅化物
杜元成, 鲁钟, 郁曾期, 孙迭篪, 李富铭, G.J.Collions
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 159-165
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InP氯化物气相外延的热力学分析
陆大成
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 166-172
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注砷硅超固溶度热弛豫特性的沟道研究
王豫生, 阎建华, 郑胜男, 徐立, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 173-180
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光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布
陈自姚, 邵永富, 朱福英, 彭瑞伍
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 181-184
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用CCWT方法确定少子的体产生寿命及表面产生速度
谭长华, 许铭真
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 185-189
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氧在InP(111)面上吸附的CLS、AES和XPS研究
戴道宣, 朱福荣
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 190-194
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用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~+离子注入
苏九令, 包宗明, 王昌平, 陆桂华, 倪玫, 陈肯, 杨中柱, 黄正义, 吴树恩
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 195-198
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微波凹槽栅结构GaAs FET’s的最佳凹槽深度的选择的讨论
汪正孝
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 199-202
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在蓝宝石上低温外延硅
杨光荣, 王向明, 秦复光
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 203-207
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用压电传感器研究半导体中的电子-声子的相互作用
李增发, 张光寅, 钱华, 王文斌
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 208-211
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Pt/InP界面反应形成磷化铂的证据
戴道宣, 唐厚舜, 姜国宝
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 212-217
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a-Si:H样品的光诱导光电导可逆变化和红外振动吸收
戴国才, 余亦舜, 周玉芳, 张德俊, 张仪凤, 马洪磊, 罗文秀
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 218-220
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评“K_(CMR)的一个测试方法”
易明銧
Chin. J. Semicond.  1985, 6(2): 221-224
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