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Volume 6, Issue 5, May 1985

    CONTENTS

  • 硅及硅化钽超精细结构的刻蚀

    李建中, I.Adesida, E.D.Wolf

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 451

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    在SiF_4/Cl_2混合气体中对Si和 Tasi_2进行了反应离子刻蚀(RIE)的研究.得到中等的蚀速和高度的各向异性腐蚀.蚀速和腐蚀断面与气体成分有关,其它工艺参数影响不很大.用一步腐蚀作出了线宽4000A、间隔1000A 的TaSi_2/poly-Si多层材料的超精细结构.讨论了本系统的腐蚀机理.

  • MOS界面态电荷瞬态谱方法

    郑心畬, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 458

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    在作者先前发表的脉冲Q(V) 法的基础上,本文提出了MOS 界面态电荷瞬态谱(MQTS)方法.该方法利用单一P型或N型样品在恒定温度T之下测量小能量间隔△E(△E

  • GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场的计算分析

    郑一阳

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 469

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    本文讨论了GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场分布,指出掺杂浓度、有源区长度、扩散系数及外加偏压对电场分布的影响,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式进行了比较.

  • GaAs体效应器件中阴极深凹槽引起的静止畴的实验研究

    郑一阳

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 475

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    本文通过实验测量了GaAs体效应器件的畴雪崩击穿电压及相应的光发射,并进行了器件的烧毁实验,比较了阴极深几何凹槽和一般的Gunn器件之间的区别,从而说明这一模式的存在.

  • 珀耳帖效应对无序绝缘衬底上多晶硅激光再结晶的影响

    柳承恩

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 481

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    本文讨论了珀耳帖效应对无序绝缘衬底上多晶硅激光再结晶的影响.在激光扫描的同时给样品通以电流,在固液界面处珀耳帖致冷和致热效应改变了温度分布和影响了结晶过程.实验结果表明,电流方向和激光扫描方向一致时的再结晶的晶粒比方向相反时或不通电流时大得多,并且单次扫迹的宽度增宽、沿着激光扫描方向的定向结晶增强.在适当的条件下,定向结晶可以占绝对优势.

  • FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析

    朱钧, 靳东明, 熊大菁, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 487

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    制备了几种PLOTOX结构EEPROM存贮管,对其擦写过程作了测试分析.讨论了擦写时存贮管电容分压的物理模型,实验测量通过超薄氧化层的Fowler-Nordheim隧道电流,推导出在擦写过程中浮栅上存贮电荷量的计算公式.研究了存贮管的阈值电压,特别指出它不仅与浮栅上积累电荷有关,而且与测量时的漏电压有关,建立了存贮管阈值电压的计算公式.最后,介绍了实验结果并作讨论,指出有关公式可作为设计EEPROM存贮单元的基础.

  • 中子辐照p型硅中的空穴陷阱和与氢有关的深能级中心

    杜永昌, 张玉峰, 孟祥提

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 495

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    在5 × 10~(13)中子 cm~2辐照掺硼的p型氢气氛与氩气氛区熔硅以及p型直拉硅中,用结谱法观测到 12个空穴陷阱.其中H_6(0.12 eV)和 H_7(0.23 eV)为两个与氢有关的缺陷,它们可能是[H-V_4]复合物.在区熔硅中未观测到K中心,而出现两个于190℃退火消失的缺陷H_1(0.20 eV)和H_3(0.27 eV),它们可能分别相应于平面四空位(V_4)和硅自间隙(I_2).以前不同作者测得V_2~+的激活能差别甚大可能是由于H_1的影响.

  • 红外瞬态退火全离子注入MOS工艺的研究

    侯东彦, 马腾阁, 陈必贤, 钱佩信

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 503

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    研究了一种新的红外瞬态退火技术,其工艺与常规的MOS工艺高度兼容.本文报道了这种红外瞬态退火的全注入 MOS工艺.用这种工艺制备的1μm沟长的 MOSFET 的电性能良好。同时也制备了 3μm沟长的 23级环振器与沟长为2 μm的 43级环振器,这些环振器每级门的延迟时间分别是1ns和0.6ns.

  • H_2O在Si(100)-(2×1)表面上的吸附和氧化

    邢益荣, W.Ranke

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 511

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    利用AES以及HeI(21.2eV)和同步辐射(138.5eV)光电子谱研究了H_2O在Si(100)-(2 ×1)表面上的室温吸附、高温退火效应以及开始氧化的过程.AES的测量结果表明,H_2O在这种表面上的粘附系数很大,在350K下,当曝汽量约为2L时就达到饱和,其覆盖率θ=1/2.价带区域的光电子谱出现三个由于H_2O吸附而引起的特征峰,低于价带顶分别为6.2、7.2和11.5eV.350K下的 H_2O吸附导致Si 2p能级的结合能增加0.8±0.1eV,相当于一个Si原子同一个氧原子键合的情况.在 640K下退火后,出现Si 2p的第二个化学位移峰,其位置比体内Si 2p 峰约低 1.8eV,表明这时的 H_2O已经完全离解,一部分Si原子同两个氧原子键合(可能是桥键方式). 在 870K下退火,得到Si 2p的四个化学位移峰,说明氧已经贯穿进Si的体内,形成SiO_x(x=1、2、3和4).当退火温度进一步提高到T(?)970K时,恢复Si的清洁表面,表明氧被完全脱附.

  • 无定形锗硅合金的光电特性

    李长健, 徐温元

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 518

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    用射频溅射方法制备了无定形锗硅合金 a-Si_(1-x)Ge_x: H膜的光学带隙随x值的增加而单调下降.用最小二乘法将光学带隙数据作线性拟合得到E_g(eV)=1.79-0.98x.当膜中锗的原子百分比从0增加到66%时,合金膜室温暗电导率从10~(-10)Q~(-1)cm~(-1)单调上升到10~(-4)Q~(-1)·cm~(-1);电导激活能却从0.84eV单调下降到0.40eV. 用XPS 谱测量合金组分证明锗的溅射速率是硅的1.5倍.测量了光子能量为1.2eV时的吸收系数,结果表明,a-Si(1-x)Ge_x:H比a-Si:H有较多的悬挂键.这些悬挂键在较高氢分压下可部分被饱和.

  • Al在InP(110)面上的吸附

    徐至中

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 523

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    采用饱和的紧束缚平板方法计算了覆盖度为0.5ML时Al/InP(110)的电子能态,并与Al/GaAs(110)的情况进行了比较.

  • 用喇曼光谱测注硼硅片的损伤分布

    吴华生, 劳浦东, 邬建根, 屈逢源

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 528

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    注入离子在硅中形成各种损伤,损伤把完整晶体分隔成许多小晶粒和大晶块.本工作用喇曼光谱方法结合阳极氧化剥层技术测量了注B~+硅片的特征喇曼峰强度与硅片表面被剥厚度的关系,由此分析得到了损伤层中损伤、折射率、消光系数、小晶粒和大晶块的纵向分布,并将其中的损伤、折射率和消光系数分布与他人的理论计算及其他方法所测结果进行了比较,对其它方法不能测得的小晶粒和大晶块分布给予了定性解释.

  • 半导体四层漏光波导的分析Ⅱ:强耦合近似与精确解

    张敬明

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 536

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    建立了逐次微扰逼近法计算四层漏光波导的传播常数,使计算范围推到强耦合四层波导.用弱耦合近似计算结果作为初始值,在t≥0.06μm的范围获得牛顿法数值计算的收敛解,并验证了逐次微扰逼近法.由本征值方程推导了一个较好的新的微扰公式,对本文计算的波导参数,在d≥0.07μm时,它适用于t≥0.2μm的范围.

  • 非晶硅隙态密度的场效应测量分析方法

    连建宇, 廖显伯, 郑秉茹, 孔光临

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 545

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    本文通过引入一个“电场函数”使非晶硅隙态密度的场效应测量的分析大大简化,并确立了从实验测得的电流-电压曲线极小值来确定电子电导与空穴电导的比值的方法,使对场效应测量结果的分析更加方便和可靠.还从Goodman等所采用的四条隙态密度分布曲线出发,计算出各有关参量,证明了不同态密度分布并不能与同一条电流-电压曲线拟合.这说明,如果采用合理的分析方法,是可以根据场效应测量结果来确定隙态密度分布的.

  • 分子束外延GaAs中的Sn受主态

    忻尚衡, L.F.Eastman

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 552

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    用4K光致发光研究了掺Sn分子束外延GaAs中Sn原子的占位.结果表明在固定As_4/Ga束流比下,高温生长会引起 GaAs:Sn外延层中 Sn受主态的增强.与之有关的1.507eV,1.35eV两发射峰分别为束缚在中性Sn受主上的电子空穴对的辐射复合(S_n~o,X)和自由电子与束缚空穴间的跃迁(D~o,S_n~o).

  • 不同气氛中生长VPE-GaAs的深中心

    王健强, 吴孝慎, 李名复, 林耀望

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 556

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    应用DLTS方法分别对于在氩气、氮气和氢气气氛下生长的 n型 VPE-GaAs材料中形成的深缺陷能级做了研究并进行了比较.由比较结果说明,氩气氛下生长的VPE-GaAs材料,较之其它条件相同但在氮气和氢气气氛下生长的n型VPE-GaAs材料,具有较低浓度的深能级.并且预计AsCl_3-Ga-Ar系统在制做GaAs器件方面具有优越性.

  • 离子注入抗蚀技术

    韩阶平, 王培大, 马俊如, 王守武

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 561

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    本文提出了一种用离子注入减慢SiO_2腐蚀速率的新工艺.用不同剂量的各种离子对SiO_2进行注入实验,结果表明,注入离子的剂量越高,SiO_2的腐蚀速率越慢,该工艺的关键是采用了干法腐蚀.这一结果与所报道的离子注入增强腐蚀的结果正好相反.该工艺具有工艺简单,操作方便,分辨率高等优点.

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