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Volume 6, Issue 6, Jun 1985

    CONTENTS

  • 强磁场下n型InSb杂质带及其电导的理论

    黄敏, 韩汝琦, 甘子钊

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 563

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    利用前人关于超强磁场下原子谱的理论结果,构造了强磁场下n-InSb中电子运动的哈密顿量,用构形平均方法计算了杂质带的零级谱、零级态密度函数以及体系发生Anderson转变的条件.计算结果和实验基本符合.

  • Gilbert乘法器的三次非线性误差

    易明銧, 李青松

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 576

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    本文利用双极型晶体管的Gummel-Poon模型,分析了Gilbert乘法器的非线性误差,获得了三次误差的表达式.结果表明,Gilbert乘法器的三次非线性误差起源于晶体管的基区电导调制效应.指出了三次非线性误差可以通过合理的电路和版图设计获得改善.本文还进行了详细的实验论证,实验结果与理论分析一致.

  • 高剂量低能氧离子注入硅形成SiO_2薄膜的研究

    王勇, 李维中, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 584

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    本文用AES、XPS、IRS、椭偏仪和Ⅰ-Ⅴ特性测量,研究了高剂量低能氧离子注入Si中合成表面SiO_2薄膜的条件及其耐压和耐腐蚀等性能.另外,还用TEM和C-V测量研究了SiO_2薄膜下单晶硅的质量以及Si/SiO_2系统的界面特性.结果表明,在适当的注入和退火条件下,可以合成比较均匀的表面SiO_2薄膜而且其电学性能已接近热生长SiO_2的水平.在Si/SiO_2界面处注入H_2~+离子可以改善其界面特性.

  • 双异质结半导体激光器在阶跃和正弦电流调制下的行为

    王守武, 王仲明

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 590

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    用数值计算方法求出了光子密度、载流子浓度的速率方程和场方程的自治解.给出了:1.当谐振腔中的光子密度,光和载流子的相互作用足够强时,在阶跃电流下可以产生自脉动.2.在正弦调制下,调制频率高时光输出发生畸变,而且在调制过程中光强度分布发生变化,并由此引起不同空间位置的光输出出现相位差.

  • CMOS门阵列的一种布线方法

    张钦海, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 602

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    本文提出了一种适合于单层铝在线CMOS门阵列的布线方法.对于不同的电路只要求改变铝布线设计就可完成.由于布线区域是固定的,通道中的走线密度不能超过系统预先给定的容量,同时,所有的信号连接端一般都须经多晶硅条方能引出,因而不允许存在两个或两个以上的不同信号网的连接端分配到同一条多晶硅上.为此,在本文中提出了一个信号连接点的线性规划算法和通道调整的子树连接算法,较好地解决了信号连接点在多晶硅条上的分配问题以及固定布线区域问题.

  • 双极型功率晶体管的温度分布和直流安全工作区

    曾庆明

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 611

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    当晶体管的热点温度保持在 200 ℃时,晶体管的额定耗散功率随集电结电压增加而减小.本文试图由温度分布随集电结电压的变化来解释这现象.介绍一个计算热阻和温度分布的方法并给出详细的热扩展系数图表.将其和晶体管发射极电流方程相结合得到不同偏置下晶体管的热点温度.计算结果与红外显微镜实测结果相符.

  • 脉冲激光诱导扩散的计算机模拟

    刘焜, 谢宗钧, 黄乐斌

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 620

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    本文用计算机解差分方程组的方法求解脉冲激光诱导扩散过程中的热导方程和杂质扩散方程,求得在硅片中不同深度层的温度分布、各层温度随时间的变化以及杂质扩散分布.要想得到有效的杂质扩散结果,激光强度必须大于一定值致使有一定深度的硅层发生熔化,从而出现液相扩散过程.影响杂质扩散结果的主要因素是脉冲激光功率密度和激光脉冲宽度,因为这两个因素是决定硅表面层熔化的深度和表面层保持液相的时间,从而决定扩散结果.对于不同波长的激光,硅片的光吸收系数和反射系数不相同也会对杂质扩散结果有所影响.计算机模拟计算的结果与染料脉冲激光对硼在硅片诱导扩散的实验结果相当符合.我们对结果还作了初步讨论.

  • Sigmund元素溅射率公式的修正

    陈国樑

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 627

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    本文给出氦、氩离子法向轰击多晶元素靶时,原子溅射率Y_o随离子能量E变化的经验公式.采用下面二个步骤,可以导出这个公式.首先,把Sigmund 溅射率公式(1)中的表面升华能U_s改为离靶组合的溅射阈能E_(th). 其次,再把上式乘以Matsunami提出的低能修正因子g(E).另外,我们还导出了适用于轻、重离子的溅射阈能经验公式E_(th)=U_s·exp(r)/r.其中:r=4M/(1+M)~2,M=M_2/M_1是靶原子的相对原子量.计算结果表明:对于低能离子(E≤1keV)而言,由经验公式算出的溅射率Y_o与实验值Y之间的相对误差不超过20%.但是,低能下的Sigmund理论溅射率Y_s约为实验值的二至二十五倍.由此可知:经验溅射率公式(30)基本上是成功的.

  • Ga_(1-x)Al_xAs和GaAs_(1-x)P_x混晶的长波长光学声子谱

    汪兆平, 韩和相, 赵学恕, 李国华, 涂相征

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 634

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    本文报道Ga_(1-x)Al_xA_o和GaAs_(1-x)P_x混合晶体系统的拉曼光谱的测量结果.证实两种材料都呈现典型的“双模”行为.从拉曼光谱的测量结果得到了长波长光学声子模频随组分的变化关系.在修正的等位移模型的基础上,提出一种简化模型:忽略次邻力的作用,仅考虑近邻力和极化场的作用,并假设近邻力常数随组分线性变化.没有任何调节参数,计算了长波长光学声子模频的组分关系.计算结果和实验符合较好.

  • 高浓度注砷和注锑硅的连续氩离子激光退火研究

    钱佩信, 林惠旺, 陆永枫, 李冬梅

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 641

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    对高浓度注砷硅(双能量注入150 keV、1.05 × 10~(14)cm~(-2)和 60 keV、3.5×10~(15)cm~(-2)的连续Ar~+激光退火进行了研究.实验发现只有在合适的样品预热温度和激光功率的条件下才能获得最高的电激活率.过高的预热温度,因亚稳态载流子浓度弛豫现象而使电激活率降低;但过低的预热温度,因需要更大的激光功率而使硅表面产生严重损伤,甚至产生微细裂纹.这种现象在高浓度注锑硅(150keV、10~(16)cm~(-2))样品中同样存在.

  • 电子俘获对φb和热电子流的影响

    李肇基

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 648

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    本文从泊松方程出发,考虑了二氧化硅中电子俘获的影响,导出硅-二氧化硅界面的势垒高度.还得出了包含电子俘获作用的栅电流随时间变化的关系式.由此关系式及(?)表达式推得热电子衬底电流与栅电流之间的解析表达式,从而解释了在栅电流较大的情况下此两电流之间的非线性对数关系.

  • 氢化非晶硅液相激光结晶

    鲍希茂, 杨敏

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 655

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    用低速扫描对a-Si:H进行激光结晶,适当调整扫描速度、激光功率和光斑内能量分布,可以得到液相激光结晶(LP-LCR),晶粒尺寸可达20~30μm.重叠扫描可获得大面积的大晶粒多晶硅膜,有可能为器件制备提供一种薄膜材料.

  • 利用I-V特性确定Schottky势垒中的准费米能级

    葛惟锟

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 658

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    利用Ⅰ-Ⅴ特性曲线的实验值,可以简便地计算出Sohottky势垒中准费米能级变化的曲线,对于估计深能级的荷电状态有一定意义.

  • 大光腔分段压缩-平面复合腔激光器

    杜国同, 高鼎三, 杨德林

    Chin. J. Semicond.  1985, 6(6): 661

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    本文报道了我们设计并研制的大光腔分段压缩-平面复合腔激光器(LOC-SCP).这种激光器目前最低室温(27℃)直流阈值为54mA,能以稳定的基横模工作超过30mW.

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