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本文指出,通过改变偏压和注入脉冲条件,单轴应力下的DLTS方法可以用来分别研究硅中纯的中性态和负电态A中心在单轴应力下的择优取向,并首次用此法测得中性态和负电态A中心在<100>单轴应力下不等价取向间能量差的压力系数,进而求得<100>单轴应力下不等价取向间电子能量差的压力系数。和已报道的单轴应力下EPR测得的结果作了比较。

本文提出了一种新型HMOS-SRAM读出放大器(S/A).它是由一对源跟随器交叉反馈所组成.通过精确控制上下管的尺寸比,使它处于临界触发状态.理论和实验证明,这种电路具有高灵敏度,宽共模范围以及低输出共模电平等优点.试用于SRAM,得到很好的结果.

本文从理论上提出由于增益波导各模式间不满足功率正交关系,因而每条模式应由若于条满足功率正交关系的本征模式所组成,故在一定条件下这些本征模式有可能产生一阶锁模自脉动的新机制.

本文从多纵模速率方程出发,在取定考虑有K选择的抛物带间吸收,增益系数的基础上,采用数值方法,对单腔双接触结构激光器的双稳特性的产生机理,以及影响它的两个最主要参数(即双稳区注入宽度和开关时间)的各种因素作了系统的分析. 稳态分析结果表明多纵模的工作状态将使双稳区注入宽度减少,而减少吸收区电注入或增大吸收区体积等可使双稳区注入宽度增大.瞬态分析结果表明,双稳开关过程可分为两个阶段,第一阶段谱宽大并伴有大幅度跳模;第二阶段占时较长,对双稳开关时间有较大影响,可通过加大增益区电注入来减少振荡衰减时间. 本工作为设计双稳器件,提高器件性能提供了基础.

本文首次报道了利用PnPn型GaAs/GaAlAs 激光器件实现光双稳及光开关工作的实验结果以及采用双光晶体管模型对于器件的光双稳、光开关作用原理的一般性分析.

本文从理论上分析了InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T_o的贡献,指出k·P微扰能带不适于描述俄歇复合中的(ⅰ)高能载流子和(ⅱ)低能空穴,赝势能带不适于描述Γ点附近的电子.因而提出改进的能带结构,并用它得出带-带间直接俄歇复合过程可以对T_o有主要贡献,其中不排除CHSH过程的存在,但造成T_o小的主要过程是CHCC的明确结论.同时说明采用k·p微扰能带时,由于上述(ⅰ)和(ⅱ)的后果相反而互相抵消,如能带参数取值正确,也可得出大致正确的结论.

本文用变分法计算了由大量等厚交替层组成的真实GaAs-Ga(1-x)Al_xAs超晶格中浅杂质的基态束缚能.计算中考虑了由于GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs层不同有效质量和介电常数以及GaAs导带非抛物性的影响.束缚能作为层厚的函数只有一个峰,与Chandhuri的预料一致.对于极薄的超晶格,束缚能趋于一稳定值.还计算了三量子阱情形的相应量并与Chaudhuri的结果作了比较,结果表明,对x=0.4的情形,束缚能主峰值的修正超过16％.

本文计算了电离施主的振动电流对半无限的第Ⅰ类半导体超晶格内电子集体激发表面模式的修正,结果是在整个波矢范围内频率降低,而且在波矢的一些区间内,模式有微小的分裂.

本文先用集团模型和电荷自治的EHT方法研究了Ⅶ族元素F在 Si(111)面的化学吸附,利用能量极小原理确定了化学吸附位置;在此基础上,采用薄片(SLAB)模型和EHT经验紧束缚方法对吸附体系的电子结构作了计算.计算结果表明,F可以吸附在Si(111)面的顶位和三度空位上,但以顶位为更稳状态.顶位吸附时,F与表面的距离为1.53A,吸附能为4.7eV;三度位吸附时,F与表面的距离为-2.2A,吸附能为3.1eV.吸附后,F对总态密度和能带的贡献主要局域在真空能级下-17eV～-19eV之间.此外,顶位吸附使原清洁表面悬键引起的表面态消失.

我们测量了InSb表面损伤层的反射光谱随损伤层厚度的变化.利用振子拟合法计算了损伤层的反射光谱,计算结果与测量结果相一致.提出了一种测量InSb损伤层厚度的新方法.

利用分子束外延(MBE)设备生长了AI/GaAs(100)肖特基结.通过C-V和I-V电学特性测量看到,肖特基势垒高度随热处理温度上升而增高(≤450℃).同时利用AES和XPS表面分析技术以及喇曼散射光谱研究界面结构、化学反应以及热处理引起的互扩散.实验结果表明,在富As的MBE GaAs(100)-C(2× 8)表面上淀积Al而形成的界面存在AlAs化合物;在较高的温度(≥450℃)下热处理,加剧了界面中的化学反应,并导致元素的互扩散,从而破坏了理想的突变结,使电学性能变差;还鉴别出由于Al进入GaAs层中置换Ga而形成Al_xGa_(1-x)As固溶体

介绍了一个以微机作主控制器,通过IEEE-488接口与系统仪器相连结构成的用于固体电子学实验研究的完全自动化的实时控制测量系统.它充分利用智能仪器自带微处理机的优点,使仪器内部微机与系统主控制机并行工作,弥补了主机与测量仪器标准通讯较慢的不足.这样的系统具有高度的先进性和灵活性以及高的功能/价格比。文中通过一个多功能 DLTS测量实例加以说明.

本文研究了双极型器件中硼、砷双注入载流子浓度分布的规律,考察了双注入情况下两者的相互作用。为了模拟基区载流子的浓度分布,用一个指数衰变场来模拟基区载流子在E-B结处的下陷,用有效扩散系数模拟尾部的增强扩散效应.并调试了计算双注入的载流子浓度分布的程序.

本文用 Monte Carlo法研究了 MOSFET的几何尺寸、工艺参数在实际范围内波动时,阈值电压V_T的离散及其对氧化膜厚度t_(ox)、表面态电荷密度Q_(ss)、衬底杂质浓度N_A及沟道长度L等六个变量的敏感度.结果表明:V_T是正态分布;随着沟道变短进入短沟道区域,V_T对L的敏感度急剧上升,对t_(ox)、Q_(ss)及N_A的敏感度下降.

<正> 本所分子束外延组制备了选择性掺杂的 GaAs/N-AlGaAs异质结,它的结构如下:在掺Cr半绝缘(100)GaAs的衬底上,先外延生长1微米厚的未掺杂的 GaAs层,再生长厚度 60A|°左右的未掺杂的Al_xGa_(1-x)As隔离层,其上是厚度为 1000A|°的掺Si的 N-

利用MINDO/Ⅲ计算方法能够优化选择分子几何构型的特点,文中讨论了含N金刚石的晶格畸变现象及其电子结构.

用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的Ga_xIn_(1-x)P/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2<100>,平面样品中位错线弯曲且相互交织形成网络,剖面样品中位错线较直且是分立的,不形成网络.认为衬底表面及母液中的夹杂物是外延层中位错的主要来源.另外,在磨角样品中看到衬底位错通过弯曲和表面产生机制向外延层扩展.