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用选支连续波CO_2激光,在20-300K温度范围,测量了8 ×10~(14)-2 ×10~(15)cm~(-3)载流子浓度,<100>、<110>和<111>晶向的P-Ge中光子牵引的极性反转和各向异性效应.结果表明:80—300K,P-Ge中横向光子牵引电压与温度关系不大,而纵向光子牵引电压随温度变化显著,并发生电压极性的反转,反转温度T_o与杂质浓度、晶向有关,相同杂质浓度下,T_(o[100]M)

本文描述一种性能较好的16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计.该电路采用3μmNMOS双层多晶硅工艺进行制作.对它的结构、存贮单元、灵敏读出放大器以及译码电路等进行了分析和优化.用CAD电路模拟的结果与实测十分接近,取数时间为120ns,工作功耗为150mW.

本文报道了一种三维(简写为3D)CMOS集成电路制造工艺及其性能.在P型单晶硅片上制作NMOS晶体管,在连续氩离子激光再结晶的N型多晶硅膜上制作PMOS晶体管,这两层器件之间用 LPCVD生长的二氧化硅层作隔离.已制成5μm沟道长度的9级3D-CMOS环形振荡器,每级门的延迟时间为2.7ns.

本文利用光电容瞬态技术,在不同温度下,首次测得了N型掺锰(Mn)硅中与Mn相关的Mn施主能级Mn_i~(o/+)(Ec-0.416eV)的绝对电子光电离截面谱图.对实验点的理论拟合表明:电子光电离截面(σ_n~o)可用简单的、作了修正的Lucovsky公式来描述.该能级的空穴光电离截面(σ_p~o),在实验系统灵敏度范围内,未检测到讯号.这意味着σ_p~o的极大值也不大于10~(-21)cm~2.该中心的热激活能E_t和电子的光电离截面闽值能量E_(10)的很好一致,以及σ_n~o不依赖于温度的实验事实说明了电子通过该能级跃迁时,不存在着同晶格的强耦合作用.

本文用俄歇电子能谱仪(AES)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜中硅的化学价态.通过对Si LVV俄歇谱谱线形状和位移以及Si(2p)芯态峰位移的分析,揭示了SIPOS膜是由元素Si、SiO和SiO_2组成.经过1100℃高温退火的SIPOS 膜经历了一个再结构过程——SiO_2成份增强和SiO向Si_2O_3的转变.

本文探讨了SiCl_4/SiH_4/H_2混合源常压和低压硅外延生长技术.实验结果表明,混合源兼有SiCl_4和SiH_4两者的优点,并在一定比例下具有SiH_2Cl_2源的特性.它能降低外延生长温度、调节淀积速率,改善淀积的均匀性和抑制自掺杂效应.因此它可适应多种器件的要求.

本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析.我们的实验结果表明:解决好p/i界面问题和减少i层中C的污染是制备出高效率a-SiC:H窗口非晶硅pin结构太阳电池的关键之一.

本文就Ar~+激光辐照功率、衬底温度等因素对SOI结构再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响进行研究,利用高频和准静态C-V技术测量该界面氧化物固定电荷密度N_t和界面态陷阱密度N_(it),用平面和剖面TEM分析再结晶多晶硅膜的结构特性,我们发现当衬底温度为 320℃和420℃时存在一个功率窗口 6.0～6.2W.

本文用H_2OSi_(10)H_(12)分子簇模拟H_2O在Si(100)面上的化学吸附,应用ASED-MO方法,计算了总能量面上200个以上点的分子簇总能量.从总能量最小原则得到,H_2O在Si(100)面上是解离吸附(H_(ad)+ OH_(ad)),解离吸附比分子态吸附总能量低5.61eV.解离吸附态的态密度计算结果与 UPS实验也符合得相当好.

本文介绍了我们研制的低阈值压缩双异质结构(CDH)激光器,目前最低阈值27.5mA(CW,21℃,腔长L=125μm).本文还讨论了降低 CDH激光器阈值的两个主要问题,给出了描述CDH结构电流分布的粗略公式.

本文通过对LPCVD生长高温Si_3N_4膜的反应过程和机理进行了详细的分析,并着重讨论了反应源在一定的温度分布、压力和气流条件下,进行化学气相淀积时的各种关系,然后通过正交试验方法,找出最佳的温度分布、压力和气流的工艺条件,获得了质量高、均匀性好的Si_3N_4膜.并达到了国际上同类产品的先进水平.对一年多来在LPCVD生长近四万片的Si_3N_4膜用于双极型器件中,与常压CVD作了对比,Si_3N_4膜的合格率提高了33.2％,生产效率提高了一个数量级以上,对器件的合格率和可靠性有明显的贡献,已取得了显著的经济效益.

本文提出了一种新的微图形加工方法——离子注入抗蚀技术.我们发现,当注入到二氧化硅中的离子剂量达到一定值时,只要采用适当的腐蚀方法,注入区的二氧化硅具有很好的抗蚀作用.此结果与文献所报道的离子注入增强腐蚀正好相反.本文研究了不同离子注入剂量、能量与二氧化硅腐蚀速率的关系.找到了较好的工艺条件,腐蚀出了清晰的图形,并对其抗蚀的原因进行了初步探讨.

用高功率密度的CWCO_2激光扫描在硅中引入了较单纯清洁的位错,并利用DLTS技术对其深能级谱进行了测量.在p型和n型硅中分别测到 E_v+0.33eV和 E_c-0.37eV,E_c-0.50eV三个深能级谱峰.实验结果表明,位错线上的断键是重构的,重构后只有少部分位错态是电活性的.氢等离子体退火对电活性的位错态有显著的钝化作用.

本器件始于60年代,由于结构上的问题,至今未获成功.本文对该器件提出了根本改进,采用砷化镓单晶结构.分析表明,最高振荡频率有可能达到300GHZ.

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.

本文用椭偏光谱测量与阳极氧化剥层相结合的方法,测量了注入能量150keV、注入剂量在10~(13)-10~(16)cm~(-2)范围内的As~+注入Si损伤层的光学性质,得到了光学常数n、k在损伤层内的分布,并用有效介质理论计算出损伤分布.所得损伤分布与损伤理论进行了比较,两者基本一致.

以半经验的紧束缚方法,采用非线性修正的虚晶近似,计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)的体电子能带结构以及 Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)/InP(110)异质结的界面电子能带结构.

采用原子比为Si(31％),Au(69％)的金硅合金,研制成了Au-Si共晶合金液态金属寓子源.描述了该离子源的制作方法、I-V特性、不同源电流情况下各种离子流峰值的变化.讨论了质谱分析结果.长时间地测量了离子流各组分Si~+、Si~(++)、Si_2~+、Au~+、Au~(++)的百分比变化情况.源的寿命大于140小时.

本文用递归方法计算了金刚石结构晶体中T_d对称填隙原子的振动谱.研究了不同参数填隙杂质原子的声子局域模和共振模.