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Volume 8, Issue 3, Mar 1987
Table of Content
CONTENTS
调制掺杂非晶半导体超晶格中的瞬变电流(I)——稳恒电场中载流子的运动
熊诗杰
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 225-235
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硅中金施主和受主光电性质的系统研究
王占国
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 236-246
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固相反应形成硅化钛薄膜方法及特性研究
洪沨, 李炳宗, 姜国宝, 黄维宁, 张强基, 费璐
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 247-253
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Ti/Si和Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成
李宝骐, 王佑祥, 殷士端, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 254-260
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Ni在Si(111)和Si(100)面上吸附的理论研究
田曾举, 张开明, 叶令, 谢希德
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 261-269
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LSIS-2自动布图设计系统
庄文君, 程可行, 薄建国, 牛征虎, 高春华, 易涪兰
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 270-276
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关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别
周洁, 阮圣央, 郝灴, 葛惟锟, 吉秀江, 李树英
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 277-282
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P型LEC-GaAs中双重受主态的研究
江德生, 宋春英, 何宏家, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 283-290
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键轨道的近似计算
钟学富
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 291-299
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硅中铁对氧碳沉淀的影响
张一心
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 300-304
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GaP(-1-1-1)-1×1表面的Ga3d化学位移
邢益荣
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 305-307
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Si中注Pb的红外瞬态退火
殷士端, 张敬平, 顾诠, 许振嘉, 刘家瑞, 章其初, 李大万
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 308-311
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Pd在P-Si中的物理行为
周洁, 阮圣央, 郝灴, 葛惟锟, 吉秀江, 李树英
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 312-315
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HEMT电子迁移率与器件参数关系
赵冷柱
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 316-320
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a-Si:H的低温电导及其Staebler-Wronski效应的研究
周江淮, 孔光临
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 321-324
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应用电子辐照技术控制功率开关晶体管少子寿命的研究
柴天恩, 乔健, 麦淑贤, 郑继义, 常保延
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 325-328
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GaAs-GaAlAs多量子阱结构发光的激子性质和温度特性
徐仲英, 梁基本, 许继宗, 郑宝真, 李玉璋, 徐俊英, 曾一平, 葛惟锟
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 329-333
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Si(001)-(2×1)的金属性表面态
徐亚伯, 陈晓华, 李海洋
Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 334-336
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