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Volume 8, Issue 3, Mar 1987

    CONTENTS

  • 调制掺杂非晶半导体超晶格中的瞬变电流(I)——稳恒电场中载流子的运动

    熊诗杰

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 225

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    本文讨论了在纵向偏置电压下非晶态半导体超晶格中载流子的运动情况.从具有稳恒偏置电场的层状CTRW模型出发,我们导出了单个载流子在不同时刻及不同位置上出现的几率的表达式,并得到由于载流子运动所引起的瞬变电流的公式,从而为进一步研究这种材料的光电导性质提供了一种计算手段.

  • 硅中金施主和受主光电性质的系统研究

    王占国

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 236

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    本文利用光电容和光电流瞬态技术结合 DLTS 测量对P和N型掺金硅(不同补偿比K=N_(Au)/N_s=0.02~0.9)中金施主和受主的行为进行了全面、系统地实验研究.得到如下结果:1.进一步证实了硅中金施主和受主是同一个缺陷的两个不同能态(Au~(+/0)和Au~(0/-)).2.金受主和施主对应的深中心不是金同浅杂质的络合物(Au-Ds).3.实验结果拟合运算得到的金施主电子和空穴光电离截面阈值能量之和基本等于硅的禁带宽度表明:载流子通过金施主激发和俘获时不存在明显的晶格弛豫效应.金受主空穴光电离截面阈值能量大的温度依赖关系可能与空穴通过金受主激发态的光热激发相关.此外,本文还研究了接近阈值能量附近的金施主和受主能级光发射率的电场依赖关系.

  • 固相反应形成硅化钛薄膜方法及特性研究

    洪沨, 李炳宗, 姜国宝, 黄维宁, 张强基, 费璐

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 247

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    本工作研究了固相反应形成硅化钛薄膜的方法及特性.在Ti/Si热处理过程中,氧沾污是一个影响硅化物形成及特性的重要因素.本工作提出了用表面覆盖层抑制氧沾污以形成优良硅化钛薄膜的方法,同时试验了用快速退火技术形成硅化钛的工艺.本文报道和讨论了利用这两种方法形成硅化钛薄膜的实验结果.实验表明,利用这两种方法在适当温度下热处理后能得到电导性能良好的TiSi_2薄膜,而在较低温度下只有富钛的中间相生成.X射线衍射谱给出了高温下明显的择优晶向生长现象.俄歇深度分布表明薄膜中的氧在高温热处理过程中会进行再分布.覆盖层具有阻挡氧原子进入薄膜的效果,并且在晶体的择优晶向生长和氧的再分布效应中起着重要作用.

  • Ti/Si和Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成

    李宝骐, 王佑祥, 殷士端, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 254

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    用AES、XPS、RBS和X射线衍射等技术研究了在稳态热退火和激光退火条件下,Ti/Si和 Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成.在 500—600℃稳态热退火条件下,Ti/Si系统形成 Ti_5Si_3、TiSi和 TiSi_2三种硅化物;高于 650℃,只存在TiSi_2.TiSi_2的生长服从 △x∝t~(1/2).Ti/SiO_2/Si系统,750℃以上退火,形成覆盖层为TiO 的Ti_5Si_3薄膜,△x∝t~(1/2). CW-Ar~+激火扫描退火Ti/Si样品,功率密度小于2.7kW/cm~2,产生固相反应;功率密度~3.8kW/cm~2,产生液相反应,并形成TiSi_2和纯Si的混合薄膜.对实验结果进行了讨论.

  • Ni在Si(111)和Si(100)面上吸附的理论研究

    田曾举, 张开明, 叶令, 谢希德

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 261

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    采用集团模型和分立变分的 Xα方法研究 Ni原子在Si(111)顶位和三度开位吸附,以及在Si(100)四度位和桥位吸附的可能性,由体系的总能量最低确定稳定吸附位置,并在稳定吸附位讨论了Ni-Si成键特性和态密度.结果表明,只有当Si(111)表面弛豫情况下Ni原子才能沿[111]方向进入表面以下,但Ni原子也能沿[100]方向进入Si表面层.计算所得态密度与实验符合较好.比较所得的态密度和 NiSi_2/Si(111)的界面态密度表明位于表面下的Ni可能是生长NiSi_2的先兆.

  • LSIS-2自动布图设计系统

    庄文君, 程可行, 薄建国, 牛征虎, 高春华, 易涪兰

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 270

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    <正> LSIS-2布图设计系统是一个用于LSI/VLSI芯片自动布图设计的系统,LSIS-2系统采用多元胞(polycell)兼容宏单元(macrocell) 的设计模式,系统的主要部份有:分级布图设计描述语言及其编译子系统,二级单元库及其管理子系统.设计描述正确性验证子系统,自动布局及总体布线设计子系统,多目标优化的自动布线设计子系统,实体化设计,输出转换及人机交互设计子系统.

  • 关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别

    周洁, 阮圣央, 郝灴, 葛惟锟, 吉秀江, 李树英

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 277

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    在已证实Si中与间隙Pd有关的E_(TA)(0.37)和E_(TB)(0.62)能级为同一双施主中心的(0/ +)态与(+/++)态的基础上,本文通过一系列实验事实进一步揭示该中心是有B杂质参与的络合物.

  • P型LEC-GaAs中双重受主态的研究

    江德生, 宋春英, 何宏家, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 283

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    在富镓的未掺杂P型LEC-GaAs锭条的头部和尾部样品中,低温下(T≤40K)在低频区和高频区分别观察到两组红外吸收峰.在原生长的 LEC-GaAs 中所观察到的高频区红外吸收,经鉴定与在掺硅或中子辐照处理过的LEC-GaAs中所观测到的、电离能为200meV的受主吸收是一致的.除了从基态到2p_(5/2)(Γ_3)和2p_(5/2)(Γ_7)激发态电子跃迁所相应的吸收外,还观察到了可能与从基态到3p_(3/2)态跃迁相应的吸收峰.4K的光致发光光谱和变温霍尔测量,进一步证实了在未掺杂P型LEC-GaAs锭条中,从头部到尾部都存在电离能为78meV和200meV的双重受主,其浓度沿晶体生长方向(从头到尾)增大.实验结果进一步支持了双重受主是Ga_(As)反位缺陷所产生的看法.

  • 键轨道的近似计算

    钟学富

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 291

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    本文用杂化轨道上电子受近邻原子作用能量的平均来代替键轨道模型中原子间相互作用的矩阵元的计算,使问题简化,从而能以真实的原子波函数来组成键波函数.这不仅赋予键轨道实际的意义,而且显示出各种基本的相互作用对价键形成的影响.根据所得的结果讨论了“极性的两种选择”以及原子间矩阵元与最近邻原子间距的平方成反比的经验规律,计算中直接用原子的内层轨道组成了裸离子实势,由它决定的键轨道性质与半经验的结果基本吻合表明,将真实的离子实势用于固体的计算也是可行的.还附带给出了一个任意阶Slater 轨道的双心积分的表达式.

  • 硅中铁对氧碳沉淀的影响

    张一心

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 300

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    本文研究了铁对氧碳沉淀的影响.对于高碳单晶,碳沉淀减少,氧沉淀减慢;对于低碳单晶、氧沉淀增加.

  • GaP(-1-1-1)-1×1表面的Ga3d化学位移

    邢益荣

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 305

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    单色的 Hellα(hv=40.8eV)光电子发射测量发现:在IBA的 GaP(III)-1×1表面上,最外层Ga原子的3d能级结合能比体内减小0.75±0.05eV.解释为表面原子的极化程度低于体内.

  • Si中注Pb的红外瞬态退火

    殷士端, 张敬平, 顾诠, 许振嘉, 刘家瑞, 章其初, 李大万

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 308

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    用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格应力能抑制晶体的外延生长.当外延生长停止后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向表面扩散.

  • Pd在P-Si中的物理行为

    周洁, 阮圣央, 郝灴, 葛惟锟, 吉秀江, 李树英

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 312

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    本文详尽地报道了Pd在P-Si中的物理行为,并对它的两个主要能级H(0.16) 和H(0.33)的本质作了初步鉴别.

  • HEMT电子迁移率与器件参数关系

    赵冷柱

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 316

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    本文计算了调制掺杂Ga_(1-x)Al_xA_3-GaAs异质结2DEG场效应晶体管(HEMT)电离中心散射电子迁移率μ_1.给出了μ_1与掺杂Ga_(1-x)Al_xA_s层的厚度d,掺杂浓度N_D,非掺杂的ca_(1-x)Al_xA_s层的厚度δ以及二维电子气的电荷面密度N_s的关系.

  • a-Si:H的低温电导及其Staebler-Wronski效应的研究

    周江淮, 孔光临

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 321

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    本文报道了对光照后不掺杂辉光放电a-Si:H中跳跃电导变化情况的研究结果,首次发现,经长时间强光照射后,虽然a-Si :H的高温扩展态电导明显减小,但其低温跳跃电导却几乎不变,并在此实验结果的基础上对S-W效应的产生机制进行了讨论.

  • 应用电子辐照技术控制功率开关晶体管少子寿命的研究

    柴天恩, 乔健, 麦淑贤, 郑继义, 常保延

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 325

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    本文以高压大功率开关晶体管的电子辐照实验为基础,探讨了辐照对器件少子寿命、直流电流放大系数、饱和压降、开关时间的影响.研究结果表明:精确控制电子注量可以精确控制少子寿命,并且,适当注量的辐照可以兼顾晶体管的各电参数,从而简化了设计工作,并使器件开关特性得到显著的改善.

  • GaAs-GaAlAs多量子阱结构发光的激子性质和温度特性

    徐仲英, 梁基本, 许继宗, 郑宝真, 李玉璋, 徐俊英, 曾一平, 葛惟锟

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 329

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    本文详细研究了GaAs-GaAlAs多量子阱结构发光的激子性质和温度特性.高质量的量子阱材料在低温下具有窄的激子发光谱线,且在宽广的温度范围内保持激子发光特性.本文首次报道了同一样品中来自宽阱和窄阱的发光谱线在不同温度下的竞争现象.

  • Si(001)-(2×1)的金属性表面态

    徐亚伯, 陈晓华, 李海洋

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(3): 334

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    利用角分辨紫外光电子谱仪,首次发现在 Si(001)-(2×1)面上存在着金属性表面态,该态位于能量为~0.1eV(E_F以下)Γ对称点附近,而且存在范围很窄.在(001)的邻面上未发现这种态.我们认为Si(001)面的金属性表面态可能来自表面部分的对称双聚键.

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