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Volume 8, Issue 4, Apr 1987

    CONTENTS

  • 用离子自注入改善SOS单晶膜质量的研究

    范仁永, 郁元桓, 褚一鸣, 殷士端, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 337

    Abstract PDF

    用炉退火和快速红外退火对经过Si离子注入的厚度为0.3—0.54微米的蓝宝石上硅膜(SOS)进行固相外延,并用离子背散射沟道技术和剖面电子显微技术研究其晶体质量的改善.用俄歇能谱结合Ar~+溅射剥层测量硅-蓝宝石界面宽度以估计界面处Al扩散的影响.炉退火和快速红外退火均可使外延膜特别是靠近界面处的晶体质量得到改善,其缺陷密度大大低于原生长膜中的缺陷密度.红外退火后界面宽度略有增加,但炉退火使界面宽度有显著增加.

  • 横向电压型压力传感器灵敏度的几何效应

    鲍敏杭, 齐薇佳, 王言

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 345

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    本文报道了制作在(001)硅长方膜中心区域的二组共十种几何设计的横向电压型压力传感器的灵敏度测试分析结果.得到了电源电极短路效应和输出电极短路效应引起的灵敏度几何因子与器件尺寸的关系.实验结果与数值分析所得的结果相当符合.这些结果为横向电压型压力传感器几何图形的设计提供了有用的准则.

  • Si(331)-6×2表面相及其氧吸附特性

    邢益荣

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 351

    Abstract PDF

    利用LEED、UPS和AES研究了Si(331)表面的原子再构和氧吸附特性.发现经Xe离子溅射和~800℃退火后出现Si(331)-6 ×2表面相.在~80℃下,氧在这种表面上的吸附量与曝氧量关系曲线出现两个代表不同吸附过程的斜率.提出可能的吸附模型:当1ML 氧吸附时,在每个Si(331)面元胞中,一个氧原子被吸附在第一和第二层Si原子之间的桥位上,另一个氧原子被吸附在顶位上.

  • 亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的能带结构

    徐至中

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 356

    Abstract PDF

    根据Kim及Stern由计算机模拟方法计算得到的亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x在(100)面层状生长条件下的序参数s与组分x间的关系,并考虑到在任何组分的情况下,亚稳半导体始终保持短程有序,采用经验的紧束缚方法以及推广的虚晶近似,计算了亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的直接能隙与组分x间的变化关系.并把计算结果与实验及以前的理论模型进行了比较与讨论.

  • 微波功率晶体管管内匹配网络

    徐天东

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 362

    Abstract PDF

    本文的目的是设计宽带微波功率晶体管的内匹配电路,包括:设计思想;内匹配电路衰减的计算;输入、输出阻抗匹配网络的计算机辅助设计.

  • MOS器件三维数值模拟

    陈大同, 吴启明, 王泽毅, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 371

    Abstract PDF

    <正> 随着半导体器件尺寸的不断缩小和结构的日趋复杂,常用的解析分析模型往往不能满意地描述器件特性.因此,七十年代以来,二维及三维数值模拟逐渐成为半导体器件研究中的一个重要工具.

  • 两微米外延N阱CMOS艺的研究

    马槐楠, 徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 378

    Abstract PDF

    本文描述2μm外延N阱CMOS工艺的研究,在工艺模拟和实验的基础上制定了合理的、可行的工艺流程.在工艺中成功地应用了全离子注入和红外瞬态退火技术.实验结果表明,2μm CMOS 器件具有优良的特性,适合超大规模集成电路的要求.5伏工作电压,21级2μmCMOS反相器环振链的级延时是0.48ns,每级的延时功耗乘积是0.49pJ.P~-/P~+外延层结合N阱伪集电极保护环,可在CMOS电路中最易产生Latch-up的I/O电路部分保证不发生Latch-up.本工艺可以应用于超大规模集成电路的制作.

  • P埋层GaAs MESFET研究

    史常忻, 李晓明, 忻尚衡, 陈益新

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 385

    Abstract PDF

    本文采用在半绝缘GaAs衬底中离子注入Be,于沟道有源层下引入P型埋层技术,制成P埋层GaAs MESPET(PB-GaAs MESFET).实验结果表明,PB-GaAs MESFET不仅使衬底上器件夹断电压的均匀性大为改善,而且使跨导增加,背栅效应减小.文中给出了PB-GaAsMESFET理论特性的计算和工艺设计.

  • 硅禁带宽度的温度关系

    易明銧

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 391

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    本文提出了硅禁带宽度的温度关系的一个新的表达式。它可用于一个宽的温度范围(150-400K),同时又具有较高的精度,并且特别适合应用于带隙参考电压源与集成温度传感器等电路的设计.

  • 二元化合物总原子溅射率和刻蚀速率的经验公式

    陈国樑

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 395

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    本文给出低能离子法向轰击二元化合物时,总原子溅射率Y和刻蚀速率R_o陆离子能量E变化的经验公式. 计算结果表明:若低能氩离子法向轰击二元化合物,则由经验公式算出的总原子溅射率和刻蚀速率与实验值的最大相对误差小于20%。

  • 条形半导体激光器中电过程和光波导过程的精确理论

    郭长志, 丁凡

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 402

    Abstract PDF

    提出条形半导体激光器中稳态电过程和光波导过程及其相互作用的精确模型,并从电极电压算起得出阈值以上的电压电流分布和基模光场分布的相互影响和变化的计算机结果.指出简单的p-n结注入公式和任何固定形式的结电流分布假设对分析条形半导体激光器中的电过程和光波导过程都不适用,本文还探讨了光功率-注入电流特性出现扭折的机制和条件.

  • 流体静压力下窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe电学性质的研究

    刘冉, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 410

    Abstract PDF

    本工作在 0-15kb的流体静压力范围内及 196 K和283-383K的温度下,测量了n-Hg_(1-x)Cd_xTe(0.05≤x≤0.25)电子浓度及电阻率随压力的变化n(p)和ρ(p).由实验值n(p)计算了禁带宽度E_g和费米能级E_f随压力的变化,并同利用化学键的介电理论和虚晶近似计算得到的(dE_g)/dP(x)进行比较.再将上述结果E_g(P)和E_f(P)作为基本变量,考虑极性光学(P.O.)声子散射和带电中心散射,计算了本实验条件下n-Hg_xCdxTe的迁移率和电阻率随压力的相对变化曲线,并同实验结果加以比较.

  • Si中注入Zn的辐射损伤

    殷士端, 张敬平, 顾诠, 许振嘉, 刘家瑞, 章其初, 李大万

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 418

    Abstract PDF

    用高分辨的背散射-沟道效应测量了180及 350keV Zn注入 Si中的辐射损伤.注入剂量在1× 10~(15)-1× 10~(17)/cm~2范围内.实验表明,非晶层和单晶的界面深度 x_(A-C)随剂量(?)及注入能量E的增加而单调地增加.这些参数之间的变化关系符合直接碰撞导致非晶化模型,即每一个注入离子由于级联碰撞使表面局部的小区域非晶化.随着剂量的增加,这些非晶态的小区相互重叠而形成一无定形层.

  • 半导体材料表面光洁度对光吸收表观值的影响

    王桂芬, 马根源, 张光寅

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 423

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    我们采用光声室和压电陶瓷两种检测方式,分别研究了N型单晶锗和硅两种材料表面光洁度对10.6微米光吸收表观值的影响.结果表明,对于弱吸收的材料,随着材料表面光洁度变差,光吸收表观值明显增加,而对于光吸收较强的材料,随着表面光洁度变差,光吸收表观值反而明显减少.

  • 键轨道参数的直接计算

    钟学富

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 426

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    本文用单个STO拟合的价波函数计算了原子间相互作用的矩阵元,从而得到表征键轨道的各主要参数。结果显示在一个不大的范围内合理调节STO的轨道指数几乎可以精确重复半经验的数值,这表明以原子轨道为基组成键波函数是一个不坏的近似.

  • 锗硅单晶扩散系数理论探讨及各晶向扩硼实验

    陈忠景, 陈为民, 林政伟

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 429

    Abstract PDF

    本文从杂质原子在锗硅单晶三个主要晶向的扩散模型着手,对各晶向的扩散系数进行理论推导,得出了扩散系数各向同性的结论;介绍了实验结果,并给出硼在硅单晶三个主要晶向的扩散系数随温度变化的关系曲线;最后探讨了理论与实验偏离的原因.

  • a-Si_(1-x)C_x:H/pn~(-in)结构的蓝白色电致发光

    张仿清, 张亚非, 陈光华

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 433

    Abstract PDF

    本文介绍了一种新的p~+μc-Si:H/pn~-in a-Si_(1-x)C_x:H/n~+μc-Si:H多层结构电注入发光器件.首次在室温下用肉眼直接观察到了蓝白色的电注入发光(EL).EL光谱的分布和峰值位置可以通过改变n~-ia-Si_(1-x)C_x:H层的碳原子含量来调整.EL总强度与正向注入电流之间遵从幂函数规律:L∝I~n;电流电压特性具有空间电荷限制电流关系:I∝V~p. 在室温下测得:n~1.5,P>2.当正向注入电流等于50mA时,器件的发光亮度接近1fL.

  • 近红外全离子注入平面结构锗雪崩光电探测器的研制

    丁国庆, 阚希文

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 437

    Abstract PDF

    本文报告了采用全离子注入技术制作的p~+n平面型结构的Ge-APD,保护环注Be~+,P+层注B~+(或In~+)形成.测量结果表明,击穿电压Vs在37至50伏,光敏面直径为90μm,在0.9V_B下,带尾纤的探测器暗电流可小至0.15μA,典型值为0.2至0.5μA,光电流倍增因子M在 12至 17,M=10时,过剩噪声因子 F<10,光响应度大于 0.5A/W.

  • GaAs IC逻辑门静态特性的分析

    史常忻, 余兴

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 443

    Abstract PDF

    <正> GaAs数字电路具有高速数据处理能力,在高速、低耗VLSI中占有重要地位.由于单级逻辑门为其基本单元,敌研究它的特性有重要意义.已报道的设计方法中,采用等效电路模拟其电路参数.本文直接从器件的 Shockley模型出发,考虑到漏、源电阻(包

  • 高阻化合物电阻率的测量方法

    祁增芳

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 445

    Abstract PDF

    本文报道一种测量高阻化合物电阻率的方法,即变频法.

  • 第二届全国多值逻辑学术讨论会在重庆大学召开

    黄开源

    Chin. J. Semicond.  1987, 8(4): 449

    Abstract PDF

    <正> 由中国计算机学会多值逻辑学组举办的第二届全国多值逻辑学术讨论会于1987年3月9日至 12日在重庆大学召开.会议筹备期间共收到来自全国各地的论文 84篇,经认真评审确定了71篇为会议论文(作者82人).与会代表分别在十六个分组会上就多值

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