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Volume 9, Issue 2, Feb 1988

    CONTENTS

  • 用激射延迟法研究DH激光器的复合性质

    张存善, 谢京涛

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 113

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    利用激射延迟方法,对GaA_3-Al_(0.3)Ga_(0.7)A_3DH激光器的复合机制进行了分析和测量.得出了只有同时考虑双分子过程辐射复合和非辐射复合两种复合机理,才能对DH激光器的激射延迟性质进行较全面研究的结论.并由此可提供一种测定辐射复合系数和少数载流子寿命的方法.

  • 带衬底偏置的MOSFET CAD模型

    孙兴初

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 120

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    本文从器件物理出发结合黑箱方法得到了一个MOSFET的简单的三端器件模型,同时提出了将衬底偏置效应方便地结合进去从而构成四端器件模型的方法.对于模型参数的萃取须作的测量及有关计算方法作了介绍.编制了自动确定参数的计算机程序.参数萃取所需的测量工作量很少.经实际模拟值与实验值比较,表明本模型在精度与简单性方面有良好的兼顾.

  • 石墨炉原子吸收法测定硅中铂族金属掺杂剂

    崔仙航, 马会民

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 129

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    本工作采用 P-E 5000型原子吸收光谱仪附 HGA-500型石墨炉,探索了铂族金属的测定方法.对Ru、Rh、Pd、Ir及Pt,测定灵敏度分别为5.8 × 10~(-11)、2.8×10~(-11)、2.6×10~(-11)、2.8×10~(-10)和1.8 × 10~(-10)克;在灵敏度附近,各元素的测定相对标准偏差不超过 9%. 本文所建立的方法灵敏、准确,能满足微量硅样品中的痕量铂族金属掺杂剂的分析.

  • 质量迁移层对InGaAsP BH半导体激光器阈值电流和模式行为的影响

    郭长志, 陈水莲

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 135

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    用 Schwarz-Christoffel变换法计算了质量迁移InGaAsP BH激光器中的结电压分布;分析了迁移层和有源层侧向厚度,上限制层空穴浓度和有源层注入电流对迁移层同质结漏电流的影响;并提出以过渡模式为界,区分A类和B类模式,从理论上比较全面地分析了五层对称平板波导的模式行为;指出降低阈值电流和保证单基横模工作这两方面对迁移层厚度有相反的要求,从而存在一定意义下的最佳迁移层厚度.

  • 用固溶强化模型计算InP中等价电子杂质对位错的钉扎力

    叶式中, 杨保华

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 150

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    本文根据固溶强化模型,考虑了等价电子杂质在InP单晶中的溶解度以及掺入杂质与基质原子之间共价半径之差引起的弹性失配.计算了这些杂质在InP 中对位错的钉扎力可达10~9~10~(10)达因/厘米~2,从而很好地解释了等价电子杂质降低位错密度的作用.

  • 聚合物半导体P3MT/溶液界面的光电特性及P3MT表面铂原子的光电催化作用

    袁仁宽, 黄振春, D.Peramunage, M.Tomkiewicz, D.S.Ginley

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 156

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    本文报道了一维半导体聚合物材料 poly(3-Methyl thiophene)-P3MT/电 解液和GaAs/电解液界面瞬态和稳态光电特性,观察到两者有显著的不同,这是一维半导体聚合物和三维半导体单晶材料不同的能带结构、元激发状态和杂质性质的反映;还报道了用光电化学方法在P3MT表面淀积少量Pt原子的光电催化作用,并找到其最佳Pt原子面密度.且对淀积有Pt原子的P3MT样品作了表面俄联分析.

  • 硅的等离子体形成及相变微微秒时间分辨的探测

    马海明, 刘一先, 李富铭

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 163

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    本文利用微微秒时间分辨的反射率与透射率的变化研究0.53μm约30ps脉冲激光激发的硅的电子-空穴等离子体形成及相变中的动态性质.实验结果证实了光能可以在小于30ps的时间内转移给晶格,晶格加热、相变可以在激光作用期间完成.实验指出,Auger 复合可以限制等离子体浓度的增加.从实验结果中还推导了高激光下等离子体的一些参量.

  • 双吸除技术在CCD制造中的应用及其具有增强吸除功能的研究

    周士仁, 叶以正, 叶水驰, 麦振洪, 戴道扬, 杨家德, 陈慕章

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 169

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    本文介绍了双吸除技术在CCD制造中的应用结果,证明了双吸除技术的通用性;通过对缺陷蚀象形貌的实验观察及电镜微观研究,证明磷比缺陷的吸杂能力强;利用离子对模型所做的估算也证明了这一点,因此相对仅是缺陷吸杂而言,双吸除技术是一种具有增强吸除功能的吸除技术.

  • 硅片抛光工艺质量微细差别的椭偏光谱法鉴别

    陈哉, 钱佑华

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 175

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    用椭偏光谱研究了硅片抛光的表面质量.假设一个四相模型,对测量数据进行分析处理.结果表明,(ⅰ)用带间光谱的E_1结构,可以分辨表层质量的稍优或稍劣,而不一定要用E_2结构.(ⅱ)在E_1结构附近,用介电函数的实部B'(hv)区分表层质量的微细差异,似乎比用其虚部B"(hv)效果更佳.

  • 非晶半导体超晶格紫外-可见-红外光谱的研究

    毛国民, 陈坤基, 杜家方, 李志锋, 陈泓

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 181

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    利用r.f.辉光放电方法,在单室生长系统内,由周期性地改变SiH_4和NH_3反应气氛成功地获得了Ls由10A到200A的a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格结构.由TEM和XPS实验结果证明超晶格结构具有平滑陡峭的界面.通过分析(Si-H)键拉伸振动模在波数2400cm~(-1)-1800cm~(-1)范围内的精细结构,揭示了a-Si:H/a-SiN_x:H界面中(Si-H)N振动模的形式.并证实有过量的H键合于界面层中.由紫外-可见吸收光谱的研究,证明当 L_s<60A,光学能隙E_R~(opt)的位移是超晶格结构中量子势阱限制效应的影响.其实验值和理论计算值符合得较好.

  • 零偏源MOS结构的栅电荷弛豫机制及近少子带边界面态分布的瞬态谱测定

    郑心畬, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 189

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    讨论了小方栅脉冲下零偏置源MOS结构栅电荷弛豫的机制.证明了当费米能级接近少子带边时,引起栅电荷弛豫的起因将由界面态俘获发射电荷的过程变成受其延迟的表面少子扩散漂移过程.对后一过程进行理论分析导出的栅电荷公式与实验取得了一致.在此基础上提出了根据栅电荷波形参数确定栅电荷变化量中界面态贡献的大小,进而测定近少子带边一侧界面态密度的测量原理.获得了覆盖的能量范围一直延伸到距少子带边 0.05 eV处的界面态密度能量分布.在不同类型样品中获得了具有共同特征的结果.

  • 二向不等距网格上的通道区布线及其实体化

    庄文君, 高春华

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 200

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    本文讨论了在硅栅或铝栅MOS 电路工艺中,利用单层金属布线完成自动布线时所存在的二向不等距网格上的布线问题,提出了解决的方法并给出了实际应用的结果,结果表明,在绝大部分情况中,可在不影响布线精度的前提下令人满意地解决上述问题.

  • H、F、Cl/Si(111)化学吸附的半经验CNDO法研究

    吴汲安

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 205

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    我们已把研究分子性质的半经验CNDO自治场分子轨道法用于计算模拟共价半导体的集团X_3X_(12)'(X代表硅、金刚石或锗原子,X'是集团边界上相应的虚拟原子),经过重新确定成键参数和恰当地选取边界原子的电负性参数,所得结果能比较满意地描写晶体的一些性质.本文报道用相同的计算方案研究氢、氟和氯原子在Si(111)表面上化学吸附性质的结果.与其它理论研究的结果比较表明,这种修改后的CNDO方案可以用于研究共价半导体表面上的化学吸附问题.

  • 高阻硅低温欧姆接触

    李刚, 沈复初, 姚奎鸿, 阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 208

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    提出用激光诱导扩散法在室温电阻率大于15,000(Ω·cm)的P型高阻硅上制备低温欧姆接触(77—300K).研究了激光参数对低温比接触电阻值的影响关系,结合诱导区表面热学性质的理论计算讨论了实验结果.比较了二种不同的铟焊引线方法.

  • 多量子阱结构不均匀性的TEM观察

    范缇文

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 211

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    用横断面透射电子显微镜(XTEM)技术对分子束外延GaAs-Al_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了观察,实验结果表明光荧光发射谱的宽化可能和阱宽的不均匀性有关.

  • 分子束外延高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构

    梁基本, 孔梅影, 孙殿照, 曾一平, 黄运衡

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 213

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    利用国产分子束外延设备研制出高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构材料.经光荧光测量分析,其n=1的电子-重空穴自由激子复合发光的谱线很窄,半峰宽仅1.2MeV(阱宽141A,温度10.5K),表明量子阱阱宽和异质结界面平整度的起伏小于一个单原于层.样品从低温到室温都能保持激子发光特性.

  • 异质结NIPI结构的光调制反射光谱

    汤寅生, 江德生

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 217

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    本文首次报道了异质结NIPI结构的室温光调制反射光谱及其随调制光强的变化,并对调制机制进行了讨论.最后,通过比较理论与实验结果,对所观测到的跃迁过程进行了指派.

  • 二氧化硅的表面改性

    韩阶平, 王培大, 徐卫东, 金钟元, 陈梦真

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 221

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    本文提出一种改变SiO_2表面特性的新方法.当用一定能量的电子轰击二氧化硅表面时,二氧化硅的腐蚀特性发生了很大变化.在同一工艺条件下,未经电子轰击的二氧化硅腐蚀速率为700—1000A/分,经电子轰击的二氧化硅腐蚀速率近于零.

  • 第六届全国半导体物理学术会议简讯

    徐耕

    Chin. J. Semicond.  1988, 9(2): 224

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    <正> 第六届全国半导体物理学术会议已于 1987年12月24-28日在广州举行.来自全国68个单位的代表320人参加了会议,还有24人列席了会议.大会由谢希德教授致开幕词.黄昆教授在大会上作了题为“超晶格与量子阱的若干问题”的学术报告.会议安排了六个分会场进行学术报告共298篇.其中涉及表面与界面原子结构、电子态及物性研究

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