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Volume 9, Issue 2, Feb 1988

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用激射延迟法研究DH激光器的复合性质

张存善, 谢京涛

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 113-119

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 113.

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带衬底偏置的MOSFET CAD模型

孙兴初

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 120-128

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 120.

孙兴初. 带衬底偏置的MOSFET CAD模型[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 120..Export: BibTex EndNote

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石墨炉原子吸收法测定硅中铂族金属掺杂剂

崔仙航, 马会民

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 129-134

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 129.

崔仙航, 马会民. 石墨炉原子吸收法测定硅中铂族金属掺杂剂[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 129..Export: BibTex EndNote

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质量迁移层对InGaAsP BH半导体激光器阈值电流和模式行为的影响

郭长志, 陈水莲

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 135-149

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 135.

郭长志, 陈水莲. 质量迁移层对InGaAsP BH半导体激光器阈值电流和模式行为的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 135..Export: BibTex EndNote

郭长志, 陈水莲. 质量迁移层对InGaAsP BH半导体激光器阈值电流和模式行为的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 135...

用固溶强化模型计算InP中等价电子杂质对位错的钉扎力

叶式中, 杨保华

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 150-155

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 150.

叶式中, 杨保华. 用固溶强化模型计算InP中等价电子杂质对位错的钉扎力[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 150..Export: BibTex EndNote

叶式中, 杨保华. 用固溶强化模型计算InP中等价电子杂质对位错的钉扎力[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 150...

聚合物半导体P3MT/溶液界面的光电特性及P3MT表面铂原子的光电催化作用

袁仁宽, 黄振春, D.Peramunage, M.Tomkiewicz, D.S.Ginley

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 156-162

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 156.

袁仁宽, 黄振春, D.Peramunage, M.Tomkiewicz, D.S.Ginley. 聚合物半导体P3MT/溶液界面的光电特性及P3MT表面铂原子的光电催化作用[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 156..Export: BibTex EndNote

袁仁宽, 黄振春, D.Peramunage, M.Tomkiewicz, D.S.Ginley. 聚合物半导体P3MT/溶液界面的光电特性及P3MT表面铂原子的光电催化作用[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 156...

硅的等离子体形成及相变微微秒时间分辨的探测

马海明, 刘一先, 李富铭

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 163-168

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 163.

马海明, 刘一先, 李富铭. 硅的等离子体形成及相变微微秒时间分辨的探测[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 163..Export: BibTex EndNote

马海明, 刘一先, 李富铭. 硅的等离子体形成及相变微微秒时间分辨的探测[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 163...

双吸除技术在CCD制造中的应用及其具有增强吸除功能的研究

周士仁, 叶以正, 叶水驰, 麦振洪, 戴道扬, 杨家德, 陈慕章

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 169-174

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 169.

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硅片抛光工艺质量微细差别的椭偏光谱法鉴别

陈哉, 钱佑华

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 175-180

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 175.

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非晶半导体超晶格紫外-可见-红外光谱的研究

毛国民, 陈坤基, 杜家方, 李志锋, 陈泓

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 181-188

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 181.

毛国民, 陈坤基, 杜家方, 李志锋, 陈泓. 非晶半导体超晶格紫外-可见-红外光谱的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 181..Export: BibTex EndNote

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零偏源MOS结构的栅电荷弛豫机制及近少子带边界面态分布的瞬态谱测定

郑心畬, 李志坚

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 189-199

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 189.

郑心畬, 李志坚. 零偏源MOS结构的栅电荷弛豫机制及近少子带边界面态分布的瞬态谱测定[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 189..Export: BibTex EndNote

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二向不等距网格上的通道区布线及其实体化

庄文君, 高春华

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 200-204

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 200.

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H、F、Cl/Si(111)化学吸附的半经验CNDO法研究

吴汲安

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 205-207

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 205.

吴汲安. H、F、Cl/Si(111)化学吸附的半经验CNDO法研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 205..Export: BibTex EndNote

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高阻硅低温欧姆接触

李刚, 沈复初, 姚奎鸿, 阙端麟

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 208-210

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 208.

李刚, 沈复初, 姚奎鸿, 阙端麟. 高阻硅低温欧姆接触[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 208..Export: BibTex EndNote

李刚, 沈复初, 姚奎鸿, 阙端麟. 高阻硅低温欧姆接触[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 208...

多量子阱结构不均匀性的TEM观察

范缇文

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 211-212

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 211.

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分子束外延高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构

梁基本, 孔梅影, 孙殿照, 曾一平, 黄运衡

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 213-216

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 213.

梁基本, 孔梅影, 孙殿照, 曾一平, 黄运衡. 分子束外延高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 213..Export: BibTex EndNote

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异质结NIPI结构的光调制反射光谱

汤寅生, 江德生

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 217-220

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 217.

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二氧化硅的表面改性

韩阶平, 王培大, 徐卫东, 金钟元, 陈梦真

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 221-223

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 221.

韩阶平, 王培大, 徐卫东, 金钟元, 陈梦真. 二氧化硅的表面改性[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(2): 221..Export: BibTex EndNote

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第六届全国半导体物理学术会议简讯

徐耕

Chin. J. Semicond. 1988, 9(2): 224-223

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(2): 224.

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