|
Issue Browser

Volume 10, Issue 2, Feb 1989

    CONTENTS

  • 掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究

    杨保华, 王玉田, 李成基, 何宏家, 王占国, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 81

    Abstract PDF

    本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面形貌;当x≥0.006时,外延层产生失配位错,失配应力主要由失配位错调节,液相外延层表面出现沿[110]和[110]方向的十字网络.当外延层产生范性形变时衬底中的临界In组分x_c在0.004和0.006之间.

  • MBE[(AI_xGa_(1-x)As)_l(GaAs)_m_n/GaAs(001)超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究

    姜力, 吴苍生, 王玉田, 高维宾

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 86

    Abstract PDF

    本文根据超晶格结构的台阶模型,利用X射线衍射的运动学模型,导出了超晶格的X射线衍射峰的相对光强比.利用X射线双晶衍射方法测定了MBE[(Al_xGa_(1-x)As)_1(GaAs)_m]./GaAs(001)一维超晶格的衍射迴摆曲线,除超晶格的主衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰.由这些衍射峰之间的角距离和相对光强比,计算出了超晶格的结构参数,其中包括周期D、垒宽L_B、量子阱宽度L_Z和Al含量x值.

  • 等电子施、受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移

    刘晓, 江炳熙, 林秀华, 廖远琰, 袁路娃

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 93

    Abstract PDF

    本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电子施主Bi隧穿能量转移的结果.变激发密度下各中心发光强度的变化关系以及与GaP∶(Bi)材料的实验结果比较,为这一能量转移过程提供了进一步的论据.

  • GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As异质结界面二维空穴的量子输运特性

    周海平, 郑厚植, 杨富华, 曾一平, 苏爱民

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 100

    Abstract PDF

    本文研究了利用分子束外延技术(MBE)生长的GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As异质结构中的二维空穴的整数量子Hall效应(IQHE)、以及空穴复杂子带结构对IQHE的影响;讨论了在弱磁场区产生反常正磁阻效应的量子机理,指出两种载流子经典磁阻理论不能解释这一效应.

  • 梁式引线肖特基混频管几何参数优化设计

    郑东, 王良臣, 方浦明

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 108

    Abstract PDF

    利用CAD技术找出平面结构梁式引线混频管几何图形最佳尺寸,满足在特定条件下管子总电容和总电阴为最小,以提高截止频率改善器件性能.研制出的混频管在35GHz时双边带噪声系数为4.8dB,接近预期结果.

  • VLSI中双层多晶硅结构的剖面研究

    徐秋霞, 冯淑敏, 周锁京

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 117

    Abstract PDF

    本文对VLSI中双层多晶硅结构的剖面及用于结构成形的干法腐蚀技术进行了研究,获得了优化的剖面结构.研究分析表明,多晶硅Ⅰ的侧墙越倾斜,则双层多晶硅结构越佳.改变刻蚀条件可以有效地调节横向对纵向的刻蚀速率比δ,满意地获得多晶硅Ⅰ侧墙倾角α为49°左右;多晶硅Ⅱ采用二步刻蚀工艺.结果既消除了3μm工艺中用各向异性的RIE刻蚀易出现的多晶硅Ⅱ沿多晶硅Ⅰ侧墙的残留造成的相邻字线短路现象,又保证了线宽的精确控制,对下层SiO_2只有轻微的侵蚀.为VLSI制造提供了适用的工艺结构设计和加工技术,成功地研制出了64K DRAM合格样品.

  • 二氧化锡材料气敏机理的研究

    张维新, 柳连俊

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 124

    Abstract PDF

    本文建立了氧离子陷阱势垒模型来说明多晶SnO_2材料的导电机制与气敏机理,推导出了不同情况下SnO_2灵敏度与还原性气体浓度的关系,以及影响该灵敏度的结构参数.实验结果表明,提出的模型能较好地解释SnO_2材料的各种气敏特性.

  • 氧离子注入硅SOI结构的椭偏谱研究

    梁中宁, 莫党, 卢殿通

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 132

    Abstract PDF

    本文利用椭偏光谱法测量了能量为200keV、剂量为2×10~(18)cm~(-2)的~(16)O~+注入Si以及退火样品.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SIMOX结构的各层厚度以及各层中的主要组份.提出了从椭偏谱粗略估算表层Si及埋层SiO_2厚度的简单方法.研究结果表明,这种条件下的O~+注入Si可以形成SIMOX结构,经高温退火后,表层Si是较完整的单晶层,埋层SiO_2基本没有Si聚积物.椭偏谱的结果与背散射、扩展电阻测量和红外吸收光谱等结果作了比较.

  • 一种新的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)薄膜三端器件

    徐鸿达, 王森, 赵柏儒, 袁彩文, 李林

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 141

    Abstract PDF

    设计研制了一种新的YBCO薄膜三端器件,该器件利用半导体硅薄膜与YBCO薄膜相接触,从而发现了微弱信号下的开关和放大效应.器件能在液氮或室温工作.器件制造工艺简单.

  • 1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器

    彭怀德, 马朝华, 汪孝杰, 张盛廉, 吕卉, 王丽明, 武淑珍, 马骁宇, 张洪琴

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 143

    Abstract PDF

    本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1.53μm,最高连续工作温度105℃.

  • 磁场对反应离子刻蚀速率影响的研究

    金钟元, 韩阶平, 马俊如

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 146

    Abstract PDF

    本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1.53μm,最高连续工作温度105℃.

  • 单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制

    张永刚, 富小妹, 潘慧珍

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 148

    Abstract PDF

    本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在结构衬底上进行平面化外延的新工艺,达到了器件的准平面结构,并对器件的主要参数进行了计算,选取了较佳的载流子浓度.制成的单片集成器件中,PIN光探测器的量子效率在1.3μm处为57%,暗电流在-5V下小于100nA,JFET的跨导为34ms/mm,与计算植相符.对器件进行光接收功能测试获得了预期的结果.

  • 与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的光学常数计算

    徐至中

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 153

    Abstract PDF

    采用半经验的紧束缚方法计算了与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的电子联合状态密度及介电常数虚部,并根据Kramers-Kronig关系式求得了光透明区的折射率常数.

  • 一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

    汤玉生, 蒋建飞

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 158

    Abstract PDF

    亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.

Search

Advanced Search >>

Issues