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Volume 10, Issue 7, Jul 1989
CONTENTS
RF溅射碳化硅薄膜的结构研究
王英华, 汤海鹏, 田民波, 李恒德
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 483-488
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NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究
杨肇敏, 徐葭生
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 489-496
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射频溅射CoMnNi氧化物薄膜结构研究
谭辉, 陶明德, 韩英, 张寒
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 497-502
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空心阴极离子淀积TiN薄膜特性研究
高玉芝, 夏宗璜, 武国英, 张利春, 黄济群, 张德贤
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 503-508
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PMMA的离子束曝光特性
王宇钢, 赵渭江, 郑桂洲, 高玉芝
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 509-513
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注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟
阮刚, 徐晨曦, 俞强
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 514-518
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离子束增强沉积制备氮化硅薄膜的计算机模拟
周建坤, 陈酉善, 柳襄怀, 杨根庆, 邹世昌
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 519-524
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一种制作亚微米间隔的方法
谢可勋, 蒋建飞, 谢缨
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 525-528
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窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度
陈辰嘉, 王学忠, 刘继周, R.R.Galazka
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 529-533
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用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构
王云珍, 潘尧令
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 534-537
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非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量
黄庆安, 史保华, 顾英, 张德胜
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 538-541
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SI GaAS中S~+注入的电学特性
夏冠群, 关安民, 耿海阳, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 542-546
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短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型
陈登元, 汤庭鳌, C.A.Paz de Araujo
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 547-552
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GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂
黄启圣
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 553-555
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Si/GaP(111)和(-1-1-1)界面的研究
黄春晖
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 556-560
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硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用
施天生, 白国仁
Chin. J. Semicond.  1989, 10(7): 561-563
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