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Volume 10, Issue 8, Aug 1989

    CONTENTS

  • 势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响

    朱嘉麟, 唐道华, 顾秉林, 熊家炯

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 565

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    在束缚态近似下,用级数解法求解电场下各种不同形状GaAs/GaAlAs量子阱中电子和空穴子带,进一步采用变分方法得到激子结合能.由此,我们首次得到电场下由抛物阱至方位阱子带和激子峰能移的变化图象.在考虑GaAs/GaAlAs量子阱形状影响的基础上,我们计算所得结果与实验吻合得很好.

  • 杂质对金属-半导体界面电子态的影响

    杨宗献, 张涛, 王勉

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 576

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    本文用一线紧束缚模型(1DTB)和格林函数(GF)方法研究了杂质对金属-半导体界面电子态的影响。该模型包括一个一维半无限金属(含有单个杂质,用Koster-Slater模型描述)和一个一维半无限的半导休(用Bose和Foo的s、p轨道交替排列的模型描述).并以Ni-ZnO系统为例,对不同的杂质及其处于不同的位置时分别计算了界面处半导体一边的电子态密度和界面态能级,以此来观察杂质对界面电子态的影响.

  • 半绝缘砷化镓EPR谱的异常退火特性

    韩洪涛, 葛惟锟, 林兰英, 吴恩, 吴书祥, 晏懋洵

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 582

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    中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈现不同的退火特性:样品A经125℃三小时退火后,EPR谱有部分光猝灭效应,加长退火时间,光猝灭效应消失,表现出异常的退火特性;而样品C和D,则无光猝灭效应.

  • 非晶硅电子结构的EHT理论研究

    韩圣浩, 戴国才

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 587

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    本文用EHT方法对Si_(47)H_(60),原子团的电子态密度性质进行了多种情况下的计算分析,计算结果表明,非晶硅与单晶硅电子态密度谱的区别主要发生在B峰与C峰之间,而不是通常所认为的A峰与B峰之间,这与Hayes的XPS实验结果一致.据我们计算分析,得出产生这一区别的主要原因是键角和二面角无序,而不是以前人们所认为的键角的单一无序.

  • LPCVD淀积速率分布的解析表达式

    王永发, 张世理, 王季陶

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 592

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    通过引入轴向反应源转化率η(x)和径向反应源转化率η_f(ρ),分别导得了淀积速率在卧式反应器中沿轴向及径向分布的解析表达式.从中可以清楚地看出反应器几何参数以及工艺参数对淀积速率分布的影响.将其用于对多晶硅淀积的模拟,与实验结果相符很好.

  • a-Si:H/a-C:H超晶格的界面研究

    梅向阳, 廖显伯, 陆珉华, 孔光临

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 601

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    利用透射电子显微镜(TEM)和电子自旋共振(ESR)分别对a-Si∶H/a-C∶H超晶格的界面结构和自旋电子态进行了研究,发现a-Si∶H/a-C∶H界面存在6-15A的过渡层,而且在界面上还存在面密度约10~(12)cm~(2)的未配对电子,这些未配对电子被证实是非晶硅和非晶碳在界面失配产生的.

  • MBE高掺杂n-GaAs:Si和p-GaAs:Be的光致发光谱

    胡天斗, 许继宗, 梁基本, 庄蔚华

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 607

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    我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方面的差异,以及两者的发光与温度的关系.由分析得出,对于高掺杂的n-GaAs,填充在导带内较高能态(K≠0)的电子与价带顶(K=0)空穴的非竖直跃迁是主要的发光过程.而对于高掺杂的p-GaAs,则是以导带底附近(K(?)0)的电子和价带顶附近(K(?)0)的空穴竖直跃迁为主要发光过程.

  • 退火气氛中痕量氧在反应形成Pt硅化物中的作用

    李映雪, 武国英, 张国炳, 王佑祥

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 615

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    利用X-射线衍射,XPS和AES技术深入地研究了退火气氛中氧对Pt硅化物薄膜的固相成分的影响,发现痕量氧引起硅和铂(Pt)的不完全反应.为了形成单相的PtSi膜,在退火过程中防止氧的沾污是非常重要的.

  • 大剂量氧离子注入形成SOI结构的研究

    陈南翔, 苗伟, 王忠烈, 黄敞

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 620

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    本文利用背散射分析技术、扩展电阻测量、高能电子衍射及超高压透射电镜研究了注氧后埋SiO_2层的形成过程以及顶部剩余硅的退火行为,通过沟道背散射分析技术与霍尔测量,给出了在不同退火条件下顶部剩余硅的单晶结晶度及霍尔迁移率.结果表明:150keV下注入1.8×10~(13)O~+/cm~(?),经1250℃2h退火后,表面剩余单晶硅厚度约为1600-1900A,埋SiO_2层厚度为3000-3500A.同时,采用高温注入对于埋SiO_2层性能的改善以及顶部剩余硅的单晶恢复均是非常必要的.

  • 硅中离子注入掺杂原子的增强扩散系数的分布

    曾论

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 626

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    本文利用离子注入掺杂原子在热退火过程中的浓度分布SIMS数据计算了增强扩散系数的深度分布.这种增强扩散系数的分布反映了离子注入产生的损伤和缺陷分布及热运动特性

  • 从势垒区电压波形对照GaAs液结的光调制反射与电调制反射

    曹霞芬, 赵冬, 蒋文洁, 郑国祥, 钱佑华

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 632

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    通过直接观察n型GaAs-电解液结表面势垒的电压,对光反射和电反射的内在规律进行了比较.引入一个新的参数,来精细地区别这两种调制.从脉冲激光或(和)外加调制电压下空间电荷区中电场的具体分布,解释了二种调制光谱的共同点和差别.

  • MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统晶格失配的研究

    王玉田, 李成基, 任庆余

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 637

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    本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚度t_(?)~2μm的情况下,获得范性应变临界组份x_c=0.114.当xx_c时,外延层出现范性形变.

  • InP中的Be、P共注入及其退火特性研究

    张永刚, 富小妹, 潘慧珍

    Chin. J. Semicond.  1989, 10(8): 641

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    本文对InP中的Be单注入和Be、p共注入及其退火特性进行了比较.SIMS和电化学C-V测试结果表明:采用Be、P共注入可以抑制退火过程中的Be扩散再分布,提高载流子的激活率,改善Pn结的电特性.与单注入相比,共注入样品Be的激活率提高了近一倍.pn结的击穿电压提高,漏电流明显减小.文中对共注入改善退火特性的机理进行了讨论.

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