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Volume 11, Issue 12, Dec 1990

    CONTENTS

  • 电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究

    胡雨生, 汪乐, 陈正秀

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 889

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    本文用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法和某些常规测试,较系统地研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型LPE-GaAs层逐次引入的缺陷。研究了400~550K温区等时退火行为。讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后,缺陷浓度N_T的变化和少子扩散长度L_p随N_T的变化情况。首次用理论和实验手段论证了由电子辐照引入的所有电子缺陷能级中,E_3为主要的复合中心能级。同时通过对Shockley-Read-Hall公式的简化提出了一个在诸多缺陷能级中判别出其中主要复合中心能级的方法,实验结果也证实了这种判别方法是行之有效的。

  • EL2能级和光电离截面的计算

    王传奎, 徐婉棠

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 896

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    我们采用EHT法计算了EL2缺陷模型的电子能级及其波函数,集团包含41个原子,用群论方法约化久期行列式。同时计算了该缺陷能级的光电离截面,计算结果与实验结果相符。

  • 铬硅化物的形成及其界面反应

    丁孙安, 许振嘉, 李宝骐, 周一峰

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 906

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    利用AES,XRD,UPS,XPS等技术研究了(0-1000A)Cr-Si(111),(100)系统在不同真空条件,不同温度热处理和不同Si表面状态下,铬硅化物的形成及其界面反应演化问题。在一定条件下,铬硅化物的形成规律为:Cr/Si→CrSi_2→CrSi,其中CrSi_2是一个亚稳相。Cr-Si界面在室温下的反应演化过程是:金属Cr/富Cr相(2—4A)/Cr-Si互混相(~10A)/富Si相(~2A)/Si。Cr-Si界面只有加热后才能形成确定化学配比的硅化物。形成各种硅化物的条件除与退火温度,真空条件有关外,还与覆盖度θ,硅表面状态和热处理时间有关。对于Cr—Si界面及铬硅化物的电子性质也进行了讨论。

  • 离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器

    郑国祥, 邬建根, 王昌平, 朱景兵, 屈逢源, 周寿通

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 915

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    采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。

  • 异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究

    顾聪, 王德宁, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 922

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    本文在改进型电荷控制模型基础上,结合GSW速度场特性,提出了适用于HIGFETs器件的新的高场区(I_D>I_(Ds))的静态特性模型,从而导出了I-V,I_(Ds)-V_(Ds),g_(ms),g_D和C_G等参数的解析表示式。计算结果和文献实测值符合甚好。在此基础上,本文还提出了栅泄漏等效电路模型,对其起因和影响因素,及其对g_(ms),g_D及C_G的影响,以及降低其影响的途径等进行了讨论。计算结果与实测值也较符合。

  • 磁敏二极管的数值模拟

    韩峰岩, 徐启华

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 931

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    本文首次实现了具有高复合表面的磁敏半导体器件的数值模拟;探讨了适合于数值模拟的磁敏半导体器件的边界条件及基本方程的定标方法。所得结果与实验数据基本相符,可以说明器件的内部机理,对磁敏器件的优化设计有指导意义。

  • 氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用

    李建中

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 937

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    本文以一些实例和所得到的结果来说明Ar~+离子在抑制晶向腐蚀作用、调节钝化阻挡层,以及清除微粒淀积物等方面的作用。

  • 冷发射电子束掺杂磷

    李秀琼, 王培大, 马祥彬, 王纯

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 942

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    一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10~(20)/cm~3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。

  • Ce-Si多层膜中铈硅化物的形成

    何杰, 许振嘉, 钱家骏, 王玉田, 王佑祥

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 946

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    超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(~1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。

  • 剩余杂质对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体光吸收的影响

    王珏, 陆卫, 刘激鸣, 俞振中, 汤定元

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 950

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    研究了Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体经吸除工艺处理前后的透射光谱,发现样品经吸除处理后的光吸收发生明显变化,分析认为因吸除工艺降低了样品内的剩余杂质含量,从而减少了杂质参与的光吸收,利用受主“掺杂”实验进一步验证了上述解释。

  • 反应溅射法制备掺硼的a—Si:H(B)薄膜的ESR研究

    陈光华, 徐进章, 张仿清

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 954

    Abstract PDF

    我们应用反应溅射法制备了掺硼的a-Si:H薄膜和a-SiB:H合金薄膜。掺硼浓度(Y_g=[B_2H_6]/([Ar]十[H_2]))由10~(-6)到10~(-2)变化。研究发现,ESR信号为g_1=2.0051和g_2=2.0096两部分的叠加,前者代表Si的悬挂键Si_3~0信号,后者是由于掺B而引起的自旋信号。随着Y_g的增大,g_2由2.0090变化到2.0096,其峰一峰宽度△H_(2??)由20.5G展宽到26.0G;而g_1值和其△H_(1??)没有明显的变化。Y_g增大,两种缺陷态密度都有所增大,但g_1信号代表的B致缺陷态密度增加较快。在重掺B(Y_g≥10~(-2))的情况下,材料的性质与上述行为截然不同,出现了合金效应

  • 低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管

    王树堂, 曾靖, 李锋, 胡春阳, 夏彩虹, 孙捷, 樊爱香

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 958

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    根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度~(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW),参与倍增的暗电流l_(dm)最小可达0.25nA。

  • 薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系

    夏永伟, 王守武

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 962

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    本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚度。分析认为,为使超薄膜MOS/SOI器件高速和高功率工作,有必要使薄膜厚度接近整体强反型临界厚度。

  • 氮离子注入对GaAs肖特基势垒性能影响的研究

    张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 张录, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(12): 966

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    本文利用离子注入方法,用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验。结果表明,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性。

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