|
Issue Browser

Volume 11, Issue 4, Apr 1990

    CONTENTS

  • 杂质和空位对AlAs/GaAs超晶格电学性质的影响

    王恩哥, 章立源, 王怀玉

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 243

    Abstract PDF

    在紧束缚近似基础上,本文采用Recursion方法首次计算了含有杂质和空位的短周期AlAs/GaAs超晶格电子结构。局域态密度和分波态密度的计算结果清楚地反映了少量无序杂质和空位在AlAs/GsAs中的局部细节以及对材料本身电学性质的影响。在具有点缺陷(杂质或空位)的AlAs/GaAs材料能隙中将出现新能级,本文计算了它们的位置。同时利用对原子价的讨论发现体内点缺陷周围存在一个电中心,而界面点缺陷产生一个局域电场,它将导致电荷分布的转移。比较了杂质和空位的影响,并进一步证明在所有情况下它们的作用是高度局域的。

  • 等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响

    叶式中, 杨保华, 徐岭

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 253

    Abstract PDF

    用光致发光和正电子湮没技术研究了掺Sb InP单晶的“本征缺陷”。发现元素Sb的掺入导致磷空位(V_p)或者是V_p与杂质络合物的光致发光峰消失。用正电子湮没技术的测量也表明掺Sb的InP晶体中单空位浓度有所降低,两种方法测量的结果对应得很好。我们认为InP中掺Sb能有效地降低晶体中的本征缺陷。

  • InGaAsP相位调制器的研究

    邬祥生, 李允平, 吴学海, 吕章德, 龚连根, 周萍, 吴长川

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 258

    Abstract PDF

    本文报道了InGaAsP/InP脊形相位调制器的初步研究结果。采用水平液相外延,常规器件工艺和湿法化学腐蚀方法,制得了波导宽度4—8μm,反向击穿电压3—5V的相位调制器。用Mach—Zehnder干涉光路,和1.52μum激光源对器件进行测量,得到迄今最高的相位移效率—TE和TM模分别为60°/V·mm和43°/V·mm。

  • 离子注入硅形成绝缘埋层的红外反射谱分析

    方子韦, 俞跃辉, 林成鲁, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 262

    Abstract PDF

    高剂量、大束流的O~+或N~+注入硅中经高温退火后能形成质量很好的SOI(Silicon onInsulater)材料。在波数范围为5000—1500cm~(-1)的红外波段内,硅及SiO_2或Si_3N_4绝缘埋层对红外光均无吸收。采用计算机模拟不同处理条件下的样品在该波段范围的红外反射谱,得到了样品的折射率随深度的变化关系,所得结果与透射电子显微镜、离子背散射等方法所得的分析结果符合得很好。

  • 应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究

    方晓明, 沈学础, 侯宏启, 冯巍, 周钧铭

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 270

    Abstract PDF

    在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。

  • n~+-i-n~+结构的电极附近结区电场对SCLC法确定薄a—Si:H膜隙态密度的影响──计算机模拟分析

    林鸿生, 林臻

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 279

    Abstract PDF

    将描述电极性质的结区电场选作n~+-i-n~+或(n~+-n-n~+)结构a—Si:H器件电流流动微分方程组的另一对边界条件,应用Runge-Kutta法由初值问题技术解微分方程组得到该器件J-V特性数值解。在此基础上,空间电荷限制电流(SCLC)法推导出不同厚度薄a—Si:H样品隙态密度,证实了其费米能级附近隙态密度G(E_F)随厚度减少而增加是电极附近结区电场引起的。

  • 光学多层介质膜与多量子阱集成器件

    林世鸣

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 288

    Abstract PDF

    本文采用光学传输矩阵元的方法设计了一种集成型反射式多量子阱器件,并给出了理论计算结果。采用MOCVD生长方法制作了该器件,它由n型多层增透介质膜、i型多量子阱、p型多层高反射率介质膜所组成。测试了该器件的光电流谱和反射率谱,并与理论结果作了比较,二者附合得很好。这种器件可以发展成兼具调制、开关、双稳复合功能的反射式集成器件。

  • BF_2~+注入束的沾污和对结深的影响

    李金华, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 294

    Abstract PDF

    注入系统中剩余气体分子与B_2~+离子的碰撞,造成了不同能量的BF~+,F~+、B~+离子束对BF_2~+注入束的沾污。注入样品的SIMS分析结果和理论计算都证明,这种沾污使BF_2~+注入的结深明显增加,不利于浅结的制备。用静电束过滤器可部分消除这些沾污束,在先加速后分析的注入机中,也未观察到BF_2~+束的沾污。此外,提高系统真空度会明显降低沾污峰的强度。

  • 紫外光/臭氧干法去除光刻胶速率的提高

    谈凯声

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 301

    Abstract PDF

    本文讨论影响紫外光/臭氧干法去除光刻胶速率的几个因素、提高去胶速率的途径。在此基础上,介绍一种新型的实验装置以及应用该装置进行实验的结果。

  • 短沟道薄硅膜CMOS/SIMOX电路的研究

    陈南翔, 石涌泉, 王忠烈, 黄敞

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 305

    Abstract PDF

    通过大剂量氧离子注入(150key,2×10~(18)O~+/cm~2)及高温退火(1100℃,8h)便可形成质量较好的SIMOX结构。本文报道了制备在硅膜厚度为160nm的SIMOX结构上的短沟道CMOS/SIMOX电路特性。实验结果表明:薄硅膜器件有抑制短沟道效应(如阈值电压下降)、改善电路的速度性能等优点,因而薄硅膜SIMOX技术更适合亚微米CMOS IC的发展。

  • 可见光阶梯衬底内条形半导体激光器

    杜国同, 张晓波, 赵方海, 邹峥, 高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 311

    Abstract PDF

    将所设计的新结构半导体激光器──阶梯衬底内条形激光器推进到可见光波段(0.75—0.80μm)。器件直流阈值最低26mA,光功率线性15—20mW,2—4 I_(th)基模工作,4mW工作寿命已超过5000小时。本文还讨论分析了该结构器件可靠性改善的原因。

  • 量子阱中δ掺杂的光谱特性

    徐仲英, 谢茂海, 徐强, 郑宝真, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 316

    Abstract PDF

    用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算结果。

  • 氧化锌-铅酞菁复合膜对氧化性气体的新的传感特性

    吴瑞华

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(4): 319

    Abstract PDF

    本文报告了覆盖在铅酞菁(Lead-Phthalocyanine缩写为PbPc)薄膜上的氧化锌膜电导对二氧化氮和纯氧的新的高灵敏响应,并对可能的气敏机理作了推测。

Search

Advanced Search >>

Issues