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Volume 11, Issue 8, Aug 1990

    CONTENTS

  • 不对称双势垒结构中的非共振磁隧穿现象

    杨富华, 郑厚植, 陈宗圭

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 565

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    本文系统研究了不对称GaAs/AlAs双势垒共振隧穿结构中非共振磁隧穿谱在正反偏压方向上的特征差异,并且用渡越电子沿正反方向隧穿通过双势垒结构时在势阱中停留时间的不同合理解释了实验结果。

  • 电极条形双区共腔半导体双稳态激光器静态和瞬态行为的精确理论计算

    郭长志, 柴自强

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 570

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    提出考虑到载流子侧向扩散分布以及光场模式分布精确描述具有非自建增益波导的电极条形双区共腔半导体双稳态激光器中物理过程的理论模型,从外加电极等势体出发对所涉及各种分布,不作任何人为假设,自洽地计算分析了半导体激光双稳态的静态特性和开关过程,并与现行集中均匀近似假设的计算结果进行比较,并指出其局限性。发现载流子侧向扩散分布和光场模式分布及其相互作用使激射阈值电流显著提高,双稳区宽度减小,开关时间加长。指出采用自建拆射率波导结构可明显改进双稳态性能。

  • Pd/a-Si:H界面反应研究

    沈波, 赵特秀, 刘洪图, 吴志强, 金澍, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 578

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    本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混层;经160℃退火,形成晶态Pd_2Si相,比Pd/c-Si界面反应温度低;经500℃退火,未与Pd反应的非晶硅出现晶化现象。本文还观察了界面反应过程中氢的行为,发现由于界面反应,导致a-Si:H中的氢在较低温度下就开始释放。

  • GaAs光折变晶体中的双光束正交偏振耦合

    王威礼, 张合义, 何雪华, 让庆澜

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 583

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    本文报道利用红外1.15μm He-Ne激光在光析变晶体GaAs:Cr中进行双光束耦合的理论和实验研究,在双光束同向传播耦合时,我们推得了耦合方程的解,在GaAs立方晶体的电磁波耦合中分别仔细考虑了垂直与平行于入射面的偏振情况。

  • 快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管

    赵蔚, 张玉书, 石家纬, 金恩顺, 高鼎三

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 590

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    本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。

  • Pd-Ir合金栅MOS晶体管氨气敏感机理的研究

    张维新, 赵玲娟

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 594

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    本文报道了一种新型半导体敏感器件──氨气敏Pd-Ir合金栅MOS晶体管。简要地介绍了器件的结构和制备。根据化学动力学理论,分析了器件对氨气敏感的机理,推导出氨气浓度与阈电压变化的定量关系。实验结果与理论分析基本吻合。

  • 八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器

    杨玉芬, 张黄河, 王保强, 侯梦会, 吴晓东, 彭斌

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 603

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    本文简述了IMPATT器件的设计、制造工艺、振荡器的微波电路结构和脉冲调制的研制。对脉冲偏置期间产生的频啁效应作了原理性的说明,并提出了减小频啁带宽的方法。目前所研制的八毫米雪崩管振荡器输出功率在20W以上,最大脉冲输出功率在35.5GHz时达到48W。重复频率在1—100kHz范围内可调,脉宽从50ns—1μs可调。频率稳定,工作可靠。

  • 一种有效地综合两种分级设计方法的BBL布局算法

    俞明永, 薄建国, 洪先龙, 连永君, 庄文君

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 609

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    本文提出了一个新的Building Blook(积木块)布局算法。在布局中采用多目标形状的方法,将自底向上(bottom-up)及自顶向下(too-down)两种分级设计方法有效的结合起来,从而综合这两种设计方法的优点,得到令人满意的布局结果。本布局算法已在UNIX操作系统支持下的SUN、VAX-785、HP、GPX上用C语言实现,实验结果表明本布局法优于BEAR系统的布局算法。本布局系统是正在开发的国家 IC CAD三级系统(PANDA系统)的一个子系统。

  • 氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善

    张利春, 高玉芝, 宁宝俊, 张录, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 615

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    本文研究了不同气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒特性的影响。我们发现,采用氮气氛下衬底负偏压预溅射新工艺能明显改善GaAs肖特基势垒特性:势垒高度增高,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大。这种新工艺对于GaAs肖特基势垒特性改善和GaAs MESFETs性能提高是一个非常有用的技术。

  • 半绝缘InP中Si~++P~+双注入的电学特性

    沈鸿烈, 杨根庆, 周祖尧, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 623

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    研究了在200℃热靶条件下经Si~+单注入和S~++P~+双注入的半绝缘InP常规热退火和快速热退火后的电学特性。热退火后,双注入样品中的电学性能优于单注入样品。采用快速热退火后,双注入的效果更加显著。Si~+150keV,5×10~(14)cm~(-2)+P~+160keV,5×10~(14)cm~(-2)双注入样品经850℃、5秒快速效退火后,最高载流子浓度达2.6×10~(19)cm~(-3),平均迁移率为890cm~2/V·s。

  • 快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究

    王永顺, 熊大菁, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 627

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    本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1.5×10~7V/cm时,击穿时间t_(bd)比SiO_2的约高两个量级;在经过剂量高达10~7rad的Co~(60)辐照后,SiO_2膜的界面态密度及漏电流均增大1—2个量级,而RTN SiO_2膜的变化非常小。

  • N~+和N_2~+注入Si的力学和电学特性

    马德录, 毛晓峰, 尚德颖

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 635

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    本文用X射线衍射(XRD)的运动学理论和扩展电阻(SR)研究了N~+和N_2~+注入Si的力学和电学性质,给出了不同剂量的晶格应变随注入深度的分布以及在注入层中产生的点缺陷数量。用SR给出了不同剂量N~+和N_2~+注入Si的电阻率随深度的变化。二者比较,我们实验的各种剂量(1×10~(16)cm~(-2)除外)的电阻率大致相等,而产生的应变,后者是前者的1.3倍左右。

  • 电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

    王周成, 彭瑞伍, 彭承, 孙恒慧

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 639

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    从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。

  • 中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响

    汤庭鳌, 郑大卫, C.A.Paz de Araujo

    Chin. J. Semicond.  1990, 11(8): 642

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    本文对硅中砷扩散系数考虑了中性空位引起的本征扩散项D~0的影响,推导而得出D~0对表面浓度N_s,结深x_j(t)等的影响大约为5-10%。在离子注入退火的解析模型中考虑其影响是有实际意义的。

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