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应用一维化方法和有效质量近似计算了在垂直于界面的磁场作用下量子阱内类氢杂质基态和低激发态的束缚能,并考虑到GaAs和GaAlAs中电子具有不同的有效质量和不同的介电常数,所得计算结果与实验较好相符。

本文提出并论证外腔模式自发发射因子急剧减小使模式选择所需的增益差和光场相位噪声皆急剧减小是外腔半导体激光器具有优异的纵模选择和线宽压缩性能同时又具有严重不稳定性的统一的关键性物理根源。

我们研制了GaAs/GaAlAs多量子阱pin结构的SEED器件。分析了器件的光电流光谱、光电流-电压特性。对于如何实现器件光学双稳态工作的有关问题进行了讨论。

本文计算了由毫微秒和微微秒激光脉冲照射而在硅晶体中产生的晶格温度、载流子浓度和载流子温度的时间演变和空间分布,本文用PDECOL软件包计算一组关于晶格温度、载流子浓度、载流子温度和激光强度的偏微分方程组的数值解。计算表明,热载流子的能量弛豫时间应为1ps或小于1ps,计算的熔化阈值与发表的实验结果是一致的。

建立了用步进电机扫描的干涉自相关仪。测量了用1.3微米波长InGaAsP激光器产生的0.45ps的光脉冲。根据干涉自相关函数判定该脉冲是没有调制偏移的双曲正割型光脉冲。

本文报道了单晶ZnSe、ZnTe和CdTe薄膜在Ge(100)衬底上的MBE生长,用RHEED观察了其生长规律,并对样品作了X光衍射及SIMS等测试分析。观察到衬底与外延层之间存在晶向偏角。对这一现象进行了理论解释。

本文报道了利用能量过滤成像技术对注氮SOI结构的研究。能量选择狭缝分别置于△E=16eV和△E=25eV,对应于Si和Si_3N_4的等离子能量损失的非弹性散射,电子显微照片可以给出更多的结构信息。顶层单晶硅和上氮化硅层之间的过渡层可以明显地划分成两个亚层:氮化硅亚层和硅亚层。从衬底的〈111〉衍射束成的暗场像看出硅亚层的晶粒取向与顶层单晶硅的取向是不同的,这说明硅亚层中的硅晶粒的形成与长大与顶层单晶硅的形成无关。

本文研究了多晶硅应变膜压力传感器制作技术,提出了防止多晶硅应变膜变形的工艺条件,研制出了多晶硅应变膜压力传感器。这一技术简单、与IC工艺较为兼容,适合研制集成压力传感器。

本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。

对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱材料进行的光致发光(PL),横断面透射电子显微镜(XTEM)和反射电子显微镜(REM)的研究结果表明量子阱材料的结构质量对其光电性能有一定影响。另外,也观察到分子束外延对改进异质结界面的平整度有明显作用。

在77K下和0—60kbar静压范围内测量了GaAs_(1-x)P_x(0.76 ≤x≤1)混晶的喇曼散射谱。得到了这些混晶的类GaP的LO模的压力系数。发现在所研究的x范围内GaAs_(1-x)P_x混晶的类GaP的LO模的压力行为与Gap的LO模基本相同。利用测得的压力系数计算了类GaP的LO模的模式Gruneisen参数。

对SiGe/GaP合金进行的退火研究发现,当这种合金经受了高温-低温-高温三步骤退火后,材料的温差电功率因子(α~2σ)得到了进一步的改善。

在77K,0—60kbar范围内对在同一衬底上生长的In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下的光致发光进行了对照研究。在GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱中同时观察到导带到轻重空穴子带的跃迁。而在In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs阱中只观察到导带到重空穴子带的跃迁。与GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As的情况相反,In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs 量子阱的光致发光峰的压力系数随阱宽的减小而增加。在压力大于48kbar时观察到多个与间接跃迁有关的发光峰,对此进行了简短的讨论。

在研究GaAs/GaAlAs半导体激光器淬灭效应过程中,我们发现其中一种结构的淬灭型半导体激光器的输出表现为一对共轭的双稳特性,我们认为这种双稳现象是由共腔双波导模式淬灭效应引起的。