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Volume 12, Issue 1, Jan 1991

    CONTENTS

  • GaAsP混晶中Te施主深能级的研究

    张文清, 黄启圣, 康俊勇

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 1

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    用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了组分范围为x=0.11-0.95的掺Te的GaAs_(1-x)P_(?)混晶中的深能级.结果表明:样品中出现的深能级可分为A,B,C三类,其发射率激活能各约为:E_(?)~A=0.18ev,E_(?)~B=0.28eV,E_(?)~C=0.38eV.其中只有A能级在x=0.23-0.95间的所有样品中出现,B和C能级的出现不存在明显的规律性.进一步研究了A能级的性质后,认为它来源于Te替位杂质的DX中心,而B、C能级的性质可能比较复杂.

  • 硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究

    颜永美

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 6

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    本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流子复合过程中的行为,进而估算了金受主能级在hv=0.63eV光照下的光离化截面σ_i=6×10~(18)cm~2,及其对自由空穴的俘获截面σ_p=4×10~(15)cm~2.

  • GaP:N(Te)发光谱上的声子双伴线

    钱佑华, 丁磊, 郑思定

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 12

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    根据GaP∶N(Te)的光致发光和喇曼光谱,提出了GaP∶N发光中的光学声子双伴线可能分别由LO~г和它的束缚态LO_(XN)~г对所产生的初步设想.另外,尝试对Te的声学声子翼中所含的组合声子作出判别.

  • 微晶硅硼薄膜结构的喇曼研究

    程光煦, 陈坤基, 朱育平, 夏华, 张杏奎, 戚建邦, 王聪和

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 18

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    单晶,多晶,微晶及非晶硅是固态硅材料中几种重要的组建结构.随着非晶硅晶化研究的深入,定量的研究其微观尺度的变化(键角变化△θ,微晶晶粒尺度△d)已日趋必要,而光散射手段为此提供了可能.非晶硅喇曼谱中类TO模的峰位变化(△ω_R)为微晶硅晶粒尺度提供了数据△d~2π(B/△ω_R)~(1/2)(B是材料的结构参数),类TO模峰陡边的半高峰宽,又为每个键的平均畸变能U=3K(r_(b*)△θ)~2提供了一定的信息.文中对与之相关的物理过程亦做了相应的讨论.

  • 半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究

    邱素娟, 林奇全

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 23

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    本文对各种GaAs晶体表面作了SEM电子通道技术测量,对测得的电子通道花样进行了结晶学注释,确定了评价晶体完整性的标准。可广泛用来检查和评估半导体表面的晶体完整性.

  • 利用电导技术研究快速热氮化二氧化硅与硅界面的性质

    刘志宏, 马志坚, 黎沛涛, 郑耀宗, 刘百勇

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 28

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    本文介绍了尼科里安-科兹伯格(Nicollian-Goetzberger)电导技术及其基本原理,建立了采用双相锁相放大器的测试系统,利用它测量了常规热氮化和快速热氮化SiO_2薄膜与Si衬底的界面性质,包括界面态密度,空穴俘获截面,表面势起伏,以及界面态时间常数等,并对它们进行了分析和讨论。研究结果表明:氮化会增加界面态的密度和平均时间常数,会增强表面势起伏,但只是轻微地改变空穴俘获截面.特别地,氮化还导致界面态密度在禁带中央以下0.2-0.25eV处出现峰值以及削弱了空穴俘获截面对能带能量的依赖关系.利用一个阵列模型,可以较好地模拟表面势起伏的标准偏差并可由此推断表面势起伏是由长波形式的界面态电荷非均匀性所引起.这个结果和氮化会导致高密度氧化层电荷的事实相一致.而以上所有界面态的性质,都与氮化的时间和温度有关.

  • 低电压高效率非晶硅发射极异质结UHF功率晶体管

    王因生, 盛文伟, 张晓明, 王晓雯

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 37

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    本文报道了利用重掺杂氢化非晶硅作宽禁带发射极材料的低电压硅异质结UHF功率晶体管的实验结果.制备的器件在9伏电压、工作频率470MHz下,输出连续波功率4W,功率增益8.2dB,集电极效率72%.在迄今有关非晶硅发射极HBT的报道中。这是首次详细报道可工作于UHF频率的低电压非晶硅发射极异质结功率晶体管.文中还讨论了这种异质结构的低压功率器件的设计和制备应考虑的一些问题,并提出一些解决办法.

  • FPCS——一种适用于积木块方式的布局及平面规划系统

    薄建国, 俞明永, 尹锦柏, 庄文君, 洪先龙, 连永君

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 45

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    本文简述了一种分级式的自下而上结群和自上而下分划定位相结合的全定制方式的积木块(building block)布局及平面规划(floorplanning)系统.本方法基于积木块的尺寸、形状、连接状况、引线位置以及芯片引线端等的要求逐级优化组合若干种积木块组,并且根据工艺条件进行了布线区面积估计,以便得到较好的布局结果.如果积木块的尺寸或其长宽比可以改变,则本系统可改变其尺寸及形状从而优化布局结果.由于采用了多种有效的实用方法,并把它们有机地统一在系统中,因此使布局能在基本满足用户要求的条件下,做到和布线结果基本匹配.实验结果表明,这种方法是令人满意的.

  • 调制掺杂结构的光反射光谱研究

    汤寅生, 江德生, 庄蔚华, 孔梅影, 徐英武

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 53

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    测量了分子束外延(MBE)生长的调制掺杂n-GaAlAs/GaAs的光调制反射光谱(PR),研究了光谱结构和三角阱中子能级的关系以及光反射调制谱与二维电子气(2DEG)浓度的依赖关系.实验结果与理论分析符合得较好.

  • NTD CZ-Si708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带特性

    何秀坤, 王琴, 李光平

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 58

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    本文报道了NTD CZ-Si 708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强达到最大值;10-95K变温测量峰位频移为零.10-60K时,峰强随温度升高而平缓增加,60K时达到最大值.在60-95K温区,峰强随温度升高而迅速下降,至100K时已全部消失.

  • 低温等离子体反应沉积ITO膜的研究

    贾永新, 杨志平, 谢晓阳, 李志强

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 62

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    研究了低温等离子体条件下ITO膜的沉积过程,获得了均匀、致密的ITO膜.测量了膜的光、电特性,确定了最佳沉积条件,并对实验结果进行了定性分析.

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