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Volume 12, Issue 12, Dec 1991

    CONTENTS

  • 垂直电场中GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱内类氢杂质束缚能计算

    李树深

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 715

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    在有效质量近似下,研究电场对GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱子带和类氢杂质束缚能的影响.计算中考虑到了GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs中的电子具有不同的有效质量和不同的介电常数.数值计算结果表明,GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs中电子有效质量的差异将对电子子带产生较大影响;在阱宽较小时(约10A左右),垂直电场对量子阱内类氢杂质束缚能影响较大.

  • LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响

    陈克铭, 李国花, 吕惠云, 陈朗星

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 721

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    本文利用共振核反应定量地确定了LPCVD氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10~(21)cm~(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原子浓度为2-3×10~(21)cm~(-3),而且敏感膜表面氢原子浓度大小与膜表面的制备条件密切相关,同时我们还利用傅利叶交换红外透射吸收光谱,确定了LPCVD氨化硅敏感膜中存在Si-O(1106cm~(-1))N-H(1200cm~(-1)),Si-H(2258cm~(-1))和N-H(3349cm~(-1))的化学键配位结构.敏感膜表面氧的存在严重地影响ISFET的能斯特响应和线性范围,而敏感膜表面的Si-H,N-H和N-Si 的化学键结构存在,有利于改善pH-ISFET 的灵敏度和线性范围.

  • MNOS结构界面陷阱分布的TSC谱研究

    黄君凯, 刘涛

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 728

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    本文应用热激电流(TSC)方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数N_o、E_t和d分别为1.47×10~(10)cm~(-3)、1.09eV和50A,模型参数τ_o及v_o和前人的理论结果一致。本文同时确定了该MNOS结构中、超薄SiO_2膜Si/SiO_2界面上态密度的D_(it)(E)分布,其结果和MOS结构中厚SiO_2膜的界面情况类似.

  • GaAs(100)面硫钝化的HREELS与XPS研究

    朱建红, 候晓远, 丁训民, 金晓峰, 陈平

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 737

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    用高分辨电子能量损失谱(HREELS)结合XPS研究了硫钝化的GaAs(100)面.HREELS的结果与XPS一致,证明钝化后GaAs(100)面的自然氧化物被完全除去,样品表面形成了一层主要由As-S键构成的钝化层.钝化样品表面的沾污主要是H_2O与碳氢化合物.在钝化前增加样品在浓HC1中浸泡的处理,能使沾污物在真空退火后被彻底除去.

  • Pd/W/Si(111)多层膜形成硅化物的研究

    施一生, 赵特秀, 刘洪图, 王晓平

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 743

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    本文对 Pd/W/Si(111)多层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究.实验结果表明,富Pd组分的多层膜对WSi_x的晶化有明显的诱导作用.多层膜中单层膜厚的增加减弱了诱导晶化作用.利用多层膜可模拟共淀积多元膜,实现硅化物的浅接触.

  • TiSi_2/n~+poly-Si复合结构热处理对磷再分布及RIE的影响

    徐秋霞, 周锁京, 赵玉印

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 749

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    本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,提出了抑制高掺杂多晶硅中磷外扩散的方法和微图形成形应在退火前完成的建议.研制成的沟道长度为 0.6 μm的 TiSi_2polycide结构 LDD NMOSFET’S性能优良.

  • 反应溅射生长的a-Si:H/a-Ge:H超晶格光学性质研究

    王印月, 许怀哲, 张仿清, 陈光华

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 755

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    本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在由于超晶格结构引起的界面结构无序,界面无H富集现象.

  • 半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe中吸收光学非线性和双稳现象研究

    窦恺, 黄世华, 秦伟平, 靳春明, 周方策, 虞家琪, 张新夷, 徐叙瑢

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 759

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    室温下半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x=0.01)具有较宽的带边吸收.采用泵浦-探测系统观测到随激发功率增加吸收边的蓝移.在激发波长(532—560nm)范围内都能得到光学双稳现象.双稳开关时间短到800ps.讨论了双稳性的来源.

  • 高激发密度下ZnSe-ZnS/CaF_2超晶格的自由激子发光及光学非线性

    申德振, 范希武, 范广涵

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 763

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    在 77 K下用N_2激光器的 337.1nm脉冲激光线作为激发源,研究了高激发密度下ZnSe-ZnS/CaF_2超晶格的自由激子发光特性及激子的光学非线性.对于该超晶格体系,首次观察到激子-激子散射发光,激子饱和吸收及光学双稳现象.并根据激子态的填充效应很好地解释了实验中观察到的随激发光强增加出现激子发光和吸收的蓝移现象.

  • 长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器

    史常忻, K.Heime

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 767

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    本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响应时间t_r小于30 ps(6伏).其灵敏度在6 V下为0.42 A/W.

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