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Volume 12, Issue 1, Jan 1991
CONTENTS
GaAsP混晶中Te施主深能级的研究
张文清, 黄启圣, 康俊勇
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 1-5
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硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究
颜永美
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 6-11
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GaP:N(Te)发光谱上的声子双伴线
钱佑华, 丁磊, 郑思定
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 12-17
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微晶硅硼薄膜结构的喇曼研究
程光煦, 陈坤基, 朱育平, 夏华, 张杏奎, 戚建邦, 王聪和
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 18-22
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半导体表面晶体完整性的SEM电子通道花样研究
邱素娟, 林奇全
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 23-27
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利用电导技术研究快速热氮化二氧化硅与硅界面的性质
刘志宏, 马志坚, 黎沛涛, 郑耀宗, 刘百勇
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 28-36
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低电压高效率非晶硅发射极异质结UHF功率晶体管
王因生, 盛文伟, 张晓明, 王晓雯
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 37-44
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FPCS——一种适用于积木块方式的布局及平面规划系统
薄建国, 俞明永, 尹锦柏, 庄文君, 洪先龙, 连永君
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 45-52
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调制掺杂结构的光反射光谱研究
汤寅生, 江德生, 庄蔚华, 孔梅影, 徐英武
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 53-57
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NTD CZ-Si708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带特性
何秀坤, 王琴, 李光平
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 58-61
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低温等离子体反应沉积ITO膜的研究
贾永新, 杨志平, 谢晓阳, 李志强
Chin. J. Semicond.  1991, 12(1): 62-64
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