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Volume 12, Issue 3, Mar 1991

    CONTENTS

  • 可调能隙的光电器件结构——(AlAs)_ (n_l)/(GaAs)_(m_l)渐变周期超晶格

    王恩哥, 王鼎盛

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 129

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    本文提出了一种具有渐变周期的(AlAs)_(nl)/(GaAs)_(ml)(1=1,2,…)超晶格,并采用递归方法计算了这种渐变周期超晶格的电子结构.其特点是带隙E_g在空间随(n_(?),m_(?))渐变.例如,对(AlAs)_4/(GaAs)_4(AlAs)_4、/(GaAs)_5/(AlAs)_4/(GaAs)_6/(AlAs)_4/(GaAs)_7结构,带隙由短周期一端的1.93eV变到长周期一端的1.78eV.同时导、价带边得到不同的调制,因而提高了电子与空穴电离率比值,有可能应用到作光电探测材料.

  • GaInAs/AlInAs多量子阱结构光学性质的研究

    江德生, 李锋, 张永航, K.Ploog

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 136

    Abstract PDF

    我们研究了与InP衬底晶格匹配的GaInAs/AlInAs三元材料多量子阱异质结构的光学性质,测量了不同阱宽量子阱在低温下的吸收光谱、光致发光及其激发光谱,以及吸收光谱随温度的变化.所测样品的光致发光峰主要取决于与缺陷态有关的跃迁过程,但吸收光谱中直到室温仍观察到重轻空穴的本征激子峰.吸收光谱线形明显地反映了多量子阱中电子态的二维特性.对不同量子阱中各子带间跃迁能量因温度上升而产生的红移进行了测定和分析.用Kronig-Penney模型对子带能量所作的计算表明,为了与测量到的跃迁能量获得满意的拟合,必须在计算中计入导带和价带的非抛物线性效应.我们结合光学性质和X光双晶衍射测量,对层厚、应变和组份均匀性等样品结构参量进行了分析.

  • Fe_2O_3超微粒溶胶的光学非线性研究

    邹炳锁, 张岩, 肖良质, 李铁津, 费浩生, 赵家龙, 韩力

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 145

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    本文采用了四波混频(DFWM)手段首次研究Fe_2O_3水/有机溶胶的三阶非线性光学特性.有机溶胶显示了较大的非线性极化率X~(3).最后讨论了Fe_2O_3超微粒的三阶非线性的产生机制.

  • 半导体量子阱材料的调制光谱研究

    钱士雄, 袁述, 吴建耀, 李郁芬, T.G.Andersson

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 150

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    我们采用光调制透射方法从In_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱样品测量了调制透射谱,得到了InGaAs量子阱中激子的清晰的调制结构.由电场调制原理对调制透射谱进行拟合,得到了激子的跃迁能量.结果与其他测量以及理论计算结果有较好的一致.

  • 碲化镉和碲镉锌的深低温光致发光研究

    刘普霖, 张素英, W.Ossau

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 156

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    本文报道了用热壁熔体法,布里奇曼法等多种工艺技术制备的 CdTe、Cd_xZn_(1-x)Te单晶体材料和薄膜材料在1.8K深低温下光致发光的测量结果.从光致发光谱中识别出(D~°,X)、(D~+,X)、(A~°,X)、DAP等一系列谱线.逐个分析了它们的物理起源,并由此进一步讨论了晶体中的残留杂质、缺陷、结构完整性、组份均匀性等与材料质量有关的问题.

  • ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构光致发光研究

    关郑平, 范广涵, 宋世惠, 范希武

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 165

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    本文研究了ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构在77K时自由激子的光致发光的线型随激发光密度、势阱涨落、势垒高度的涨落及各层厚对超晶格发光峰E_(?)的影响,并利用Kronig-Penney模型计算了n=1的激子峰值能量与势阱宽度、势垒高度涨落的关系.首次从实验上分析了77-250K温度范围内ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格激子发光的线型与各参量的密切关系.

  • CdS半导体非线性吸收中的电场作用

    熊光楠, 徐叙溶, 申猛燕, 李多禄, 戚继发

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 172

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    在CdS的室温光学非线性吸收过程中,再外加直流电场,观察到光学非线性吸收随外场增大而增大,非线性出现的光强阈值随外场增大而减小.通过实验判断这一现象来源于电子激子散射.

  • 不同阱宽的In_xGa_(1-X)As/GaAs应变量子阱的压力行为

    李国华, 郑宝真, 韩和相, 汪兆平

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 177

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    在77K下测量了不同阱宽(30-160A)的In_xCa_(1-x)As/GaAs应变量子阱的静压下光致发光谱.静压范围为0-60kbar.发现导带第一子带到重空穴第一子带的激子发光峰的压力系数从 160A阱的 9.74meV/kbat增加到 30A 阱的 10.12meV/kbar.计算表明,阱变窄时电子波函数向压力系数较大的势垒层中的逐步扩展是压力系数随阱宽变小而增加的原因之一.在压力超过50kbar后观察到两个与间接跃迁有关的发光峰.

  • CdSSe掺杂玻璃中的光致暗变效应研究

    靳春明, 秦伟平, 赵家龙, 周方策, 窦恺, 刘俊业, 黄世华, 虞家琪

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 184

    Abstract PDF

    本文用DFWM和荧光光谱方法研究了光致暗变效应对CdSSe掺杂玻璃光学性质的影响,解释了经过强光照射的样品,DFWM反射率,荧光强度和透射率降低的原因.

  • Ge/Si超晶格喇曼谱研究

    金鹰, 张树霖, 秦国刚, 盛篪, 周铁城

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(3): 188

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    我们用喇曼光散射的方法,观察了应变层超晶格的折迭声学声子,从而验证了材料的超晶格多层结构.将实验中观察到的频率和理论计算值进行比较表明,所研究样品的标称值和喇曼实验是基本相符合的.根据光学限制模的频率移动,估算了超晶格样品中Ge层和Si层的应变分布.

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