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Volume 12, Issue 4, Apr 1991

    CONTENTS

  • 量子阱中光致热电子荧光的偏振和轻重空穴混合

    黄昆, 朱邦芬

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 193

    Abstract PDF

    本文在考虑量子阱中轻重空穴混合效应的理论基础上,导出线偏振激光激发的热电子荧光的偏振度.结果和B.P.Zakharchenya等及D.N.Mirlin等最近采用的,直接从三维体材料理论移植过来的公式有很大的不同.本文进一步导出,存在无规化准弹性散射和有外加垂直磁场时,引起的附加退偏振因子.根据理论和实验的比较,可以求获LO-声子非弹性散射及无规化准弹性散射的时间常数.以文献中发表的一项实验结果为例,具体给出两种散射的时间常数.

  • Pd-化合物半导体界面的价带研究

    李楠, 林彰达, 高永立, J.H.Weaver

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 202

    Abstract PDF

    利用同步辐射光电子能谱对 Pd/GaAs、Pd/InP、Pd/InSb及 Pd/PbS界面形成过程中价带的变化进行了研究.在覆盖度θ(?)40A范围.上述界面体系的价带谱均主要由Pd4d带构成,并在Permi能级附近存在一个由Pd与衬底原子相互作用反键轨道形成的过渡肩峰;随着覆盖度增加,这一过渡肩峰逐渐被Pd4d带主峰所覆盖;对Pd4d带双峰进行解谱,得出了峰位置、峰半高宽及峰分裂间距随θ的变化关系,并由此对各体系中的界面过程进行了讨论.不同界面体系中,两类基本的界面过程——表面偏析与化学相互作用过程——的贡献各不相同,其中衬底负离子组份化学活性较强的界面体系中,化学相互作用过程为主被证明.

  • Monte Carlo法模拟亚微米GaAs MESFET直流特性

    赵鸿麟, 李斌桥, 陈弘达

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 211

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    用 Monte Carlo法模拟了亚微米 GaAs MESFET的直流特性.不同栅压下源漏电流与源漏电压的关系表明,器件具有较高的跨导.在栅下沟道区和栅漏之间的区域均有较强的电场,使得大量的电子在漏区进入能量较高的X带能谷.电子浓度的分布表明,电子的过冲过程主要发生在栅下沟道区,因而,在这一区域,电子的平均漂移速度较高.但在漏区由于电子处于有效质量大的X带能谷中,因此,在这一区域内,电子的平均漂移速度降低.

  • 含氮CZ-Si中N-N对的退火行为

    祁明维, 谭淞生, 朱斌, 蔡培新, 顾为芳, 许学敏, 施天生, 阙端麟, 李立本

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 218

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    我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.本文对上述实验结果给予详细的讨论.

  • 共溅射W-Si薄膜的快速热退火及其热氧化研究

    陈存礼, 李建年, 华文玉

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 224

    Abstract PDF

    淀积在SiO_2上的共溅射W-Si 薄膜,在高纯N_2中经200—1100℃的10秒钟快速热退火,用转靶X射线衍射、激光喇曼光谱、俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、四探针测量等不同手段研究了钨硅化物的形成.565℃退火出现了W_5Si_3相,退火温度高于755℃,稳定相WSi_2形成,但W_5Si_3相并不消失,一直与WSi_2共存.经考查,W_5Si_3的存在并不是由于在薄膜淀积或是退火形成硅化物的过程中引起缺硅而造成的,它对薄层电阻仅起部分影响作用,材料的电学性质最终仍由具有最低电阻率的稳态WSi_2相决定。WSi_2与W_5Si_3相高温热氧化时都不稳定,会分解并被氧化成SiO_2和WO_3。

  • 采用CH_4/H_2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究

    李建中, 陈纪瑛

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 231

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    CH_4/H_1混合气可以在室温下对InP进行反应离子腐蚀.由于腐蚀反应过程产生一定的淀积物,有利于增加图形侧墙腐蚀的钝化保护,实现垂直腐蚀,并能提高掩模的掩蔽作用.实验结果说明这是比较实用的一种腐蚀气体系统.对这个腐蚀系统进行了系统的实验,说明气体成分、工作气压、气体流量、射频功率以及掺入氩气对腐蚀效果的影响.

  • 宏单元模式分级布图规划方法

    应昌胜, 洪先龙, 王尔乾, 黄肃亮

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 238

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    本文提出一个新的宏单元模式分级布图规划方法.布图规划分三个阶段进行:芯片物理分级构造、布图规划和布图规划修正.主要特点包括:松弛对布图拓扑结构的约束、模块“自然”结群构造设计物理分级、采用解析方法求解面积规划问题、基于一个新的Steiner树算法求布线规划、包含模块面积估计和布线面积估计.实验结果表明提出的方法可以在满足不同形状和I/O设计目标的同时得到很高的芯片面积利用率.

  • 组合光双稳半导体激光器的光逻辑门

    石家纬, 金恩顺

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 245

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    用半导体激光器和光晶体管组成了组合光双稳激光器,以不同的电路结构实现了与、或、非、与非、或非光逻辑门.特别是利用光可并行输入输出特性实现了光异或门.

  • 电极、互联线寄生电容数值分析新模型

    陈维友, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 248

    Abstract PDF

    本文以矩量法和矩形面元上的自由空间格林函数为基础,采用多电像法给出一个计算电极,互联线寄生电容的新模型.采用该模型,我们开发了一个微机上运行实现自动矩形面元剖分的寄生电容计算程序,并对一个实际GaAs-MESFET的电极寄生电容进行计算,讨论了钝化层厚度,介电常数对电极寄生电容的影响.

  • Si_3N_4膜pH-ISFET输出特性研究

    虞惇, 魏亚东, 王贵华

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(4): 253

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    通过对 pH-ISFET的长时间测量,发现器件的输出偏离 Nernst方程.提出了器件输出由快响应、慢响应和时漂三部分组成,以及器件响应与时漂数据的提取方法.证明了快慢响应的共同作用符合Nernst方程,慢响应的响应幅度小,长达数小时之久.在响应初期观察到的器件漂移,主要是慢响应造成的.

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