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Volume 12, Issue 6, Jun 1991

    CONTENTS

  • 电场下超晶格GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs[111]的电子结构

    范卫军, 夏建白

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 323

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    用有效质量理论研究了GaAs/Ga_(1-x) Al_xAs[111]超晶格在外加电场下的电子结构.具体计算了超晶格的子能带色散关系曲线,子能级随外加电场的变化,并且计算了k_u=0的光跃迁矩阵元平方随电场的变化.与零电场情况相比,发现在k_u≠0处子能带的二重简并解除.随电场的增大,△n=0的跃迁减小,而△n≠0的跃迁增大.考虑单轴压力效应后,轻空穴和重空穴的能级位置发生下降和上升.

  • 硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究

    胡灿明, 黄叶肖, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 332

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    本文报道掺磷浓度为10~(13)cm~(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基态跃迁谱线相对强度与温度的关系,结果与实验吻合.

  • N-InSb的杂质补偿度对其非线性电导的影响

    徐建人, 龚雅谦, 郑国珍, 郭少令

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 338

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    在深低温强磁场条件下,对不同电学参数(掺杂量,补偿度等)的N-InSb材料的过热电子输运特性进行了系统研究,结果表明:高补偿材料能在较高电场区呈现出很强的非线性电导,对此,我们采用了二带导电模型进行了分析和讨论,提出了利用高补偿低浓度N-InSb材料来改善锑化铟远红外探测器性能的新方法,从而为锑化铟过热电子远红外探测器的选材提供了可靠依据.

  • 负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析

    林绪伦, 朱恩均, 黄敞, 肖硕

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 346

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    本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀电场,使沟道具有负RC效应而不出现高场畴.

  • 单层布线硅栅CMOS门阵列设计系统Galstar

    张钦海, 万斌, 钱黎明, 章开和, 唐璞山

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 352

    Abstract PDF

    本文介绍了开发完成并实用化的单层铝布线硅栅CMOS门阵列设计系统Galstar.并从应用的角度,介绍 galstar系统的特点.

  • 1微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究

    徐立, 武国英, 张国炳, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 360

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    针对微米与亚微米器件对自对准硅化物技术的要求,本文报道了沟道长度为1微米的自对准CoSi_2硅化物化MOSFET(SALICIDE)技术的实验结果.首先研究了CoSi_2薄膜形成动力学和膜性质,随后着重研究并讨论了与自对准CoSi_2技术有关的一些重要问题,包括各向异性刻蚀、选择腐蚀和栅侧壁氧化物上的桥接试验等,最后给出了 1μm沟道长度的自对准 CoSi_2 SALICIDE MOS晶体管的电学性能实验结果.

  • 高温工艺对TiSi_2/n~+-Poly-Si复合栅MOS电容特性及TiSi_2膜性质的影响

    陶江, 武国英, 张国炳, 陈文茹, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 367

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    本文研究了高温退火过程对TiSi_2/n~+-POly-Si 复合栅MOS电容电学性能及TiSi_2膜特性的影响.结果表明,当炉退火温度高于900℃时,TiSi_2层厚度变的不均匀,甚至在某些地方不连续;TiSi_2/n~+Poly-Si 界面十分不平整;多晶硅中杂质外扩散十分严重; MOS电容的性能和电学参数变差.对于RTA过程,高温退火对MOS电容的电学特性没有产生不利影响,TiSi_2膜仍很均匀.所以,在 TiSi_2/Poly-Si复合栅结构工艺中,高温退火过程最好采用 RTA技术.

  • 用于半导体器件数值模拟的网格自洽剖分方法

    何野, 樊继山, 曹国祥

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 373

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    考虑三角形网格与四边形网格各自的优点.本文提出了一种适用于各种半导体器件数值模拟的网格自治剖分方法,一个pn结器件的网格剖分实例证明了该方法的适用性.

  • 掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的ESR和光电特性的研究

    陈光华, 张津燕, 甘润今, 张仿清

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 376

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    本文对用电子束蒸发法制备的a-Si:Co薄膜的ESR和光学特性进行了研究.对样品的ESR信号、光学带隙和室温电导率随杂质浓度的变化关系进行了测量.结果表明,Co原子在a-Si:Co薄膜中形成受主中心,并伴随着对悬挂键的补偿;当杂质浓度小于3%时,光学带隙、自旋态密度和峰峰宽度基本不变,当杂质浓度大于3%时,随着Co含量的增加,光学带隙、自旋态密度减小,室温电导率和峰峰宽增大.本文对上述结果进行了分析和讨论.

  • GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模

    汪兆平, 韩和相, 李国华, 江德生

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(6): 381

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    在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用.

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