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Volume 12, Issue 7, Jul 1991

    CONTENTS

  • GaAs(100)衬底上热壁外延生长的ZnSe薄膜光学声子散射光谱研究

    劳浦东, 姚文华, 王杰, 郑思定

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 387

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    本文给出n型GaAs(100)衬底上热壁外延生长的Znse薄膜室温喇曼散射分析.Znse纵光学(LO)声子喇曼峰的线宽测量表明作者已在GaAs(100)衬底上用封闭式热壁外延法长出了高质量ZnSe单晶膜.较差质量外延膜在背散射喇曼谱中出现的横光学(TO)声子峰被归之于外延膜生长过程中与孪生有关的微观取向错误的出现.首次在意到GaAs表面化学腐蚀处理使n型GaAs的LO声子-等离子激元耦合模喇曼强度有成倍提高,并证明这是因为化学腐蚀使GaAs表面氧化层厚度减小,增加了入射激光束在GaAs基质材料中的穿透深度.

  • 非晶半导体超晶格喇曼谱中类光学模的研究

    程光煦, 陈坤基, 张杏奎

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 392

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    在非晶半导体超晶格喇曼谱中,从类光学模(TO-Like mode)的半高峰(陡边)宽(HWHM )及峰位置可得到有关微结构的一系列参量:如键角的变化、靠近界面附近处每个键的平均畸变能、层间界面处的张力等物理量、将两组不同调制参数的超晶格情况对比,可更清楚地理解其结构,使人们对非晶硅超晶格的微结构有进一步的了解.

  • GaAs/AlGaAs多量子阱室温光电流谱

    段海龙, 王启明, 吴荣汉, 曾一平, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 399

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    通过对室温光电流谱的测量,研究了电场对多层量子阱结构中激子吸收行为的影响,分析了不同MQW材料的吸收谱的电场效应及有关光电子器件对材料的要求.

  • 雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_xN_y膜陷阱的影响

    陈蒲生, 杨光有

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 405

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    本文研究了雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_zN_y膜体内电子陷阱和界面陷阱的影响.结果表明:快速热氮化的SiO_xN_y膜存在着不同类型的陷阱,其陷阱密度悬殊很大.雪崩热电子注入过程中在Si/SiO_xN_y界面上产生两类性质不同的快界面态陷阱.同时还给出这两种陷阱在禁带中的能级位置,界面态密度随雪崩注入的变化关系.文中并对实验结果进行讨论与分析.

  • 刻槽硅衬底上的GaAs/AlGaAs超晶格材料的微结构特性

    范缇文, 梁基本

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 412

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    用分子束外延在有刻槽的{001}硅衬底上生长了 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格材料,利用横断面透射电子显微术对非平而异质结的生长行为和微观结构进行了观察.研究结果表明硅衬底上刻槽的几何形状对外延层的微缺陷特性及生长行为有一定影响,和Si{001}晶面相比,Si{113}可能是一个有利于生长半导体异质结的晶面.

  • 激光二极管动态调制分析模型及其应用

    陈维友, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 416

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    本文给出一个新的适于电路分析的激光二极管(LD)动态调制分析模型.讨论了增益压缩因子及调制电流幅度对LD开关时间及弛张振荡的影响.发现对于给定的ε,有一最佳调制电流幅度,使得LD开关时间最小,弛张振荡幅度很小.对一含有缓冲放大级的光电集成光发射机的开关特性进行了计算机辅助分析,讨论了调制信号幅度及LD,驱动电路的开关特性对OEIC开关性能的影响.

  • SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究

    马晓翠, 阎大卫, 邹慧珠

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 423

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    用等离子体化学气相淀积法制备的SnO_2/Fe_2O_3多层膜的一些电学特性和气敏特性不同于SnO_2单层膜.当SnO_2层的沉积时间很短时,多层膜在空气中及在敏感气氛中的电导随沉积时间的增加而下降.多层膜的响应及恢复时间也呈现一些反常的变化.本文提出一个包括过渡层在内的模型用以解释这些现象.过渡层可在沉积过程中产生,存在于SnO_2与Fe_2O_3界面附近,其厚度达30nm数量级.

  • Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

    杨得全, 范垂祯

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 430

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    用手册提供的元素相对灵敏度因子,将基体效应修正和离子溅射效应的修正用于Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱(AES)定量分析获得了比较满意的结果.在这种方法中避免了采用As为内标的内标法时测量元素相对灵敏度因子方面的不足.文中就文献给出的相对灵敏度因子及其离子溅射修正因子之间的差别进行了讨论.

  • Si晶格常数超高精度传递测量中的标准晶体及制备

    高维滨

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 435

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    用XROI(X-Ray/Optics Interferometry)法测得高精度的Si(220)面间距,22.5℃为192015.902±0.019 fm.并发展了晶格常数超高精度测量传递方法.本文根据传递测量的原理及测量技术阐明了对标准晶体制备的要求.文中给出了我们的标准晶体的尺寸,一个样品晶体的测量曲线.

  • 基于线网路径总体分配的LSI环形通道全局布线方法

    朱青, 戴德龙, 严晓浪, 洪先龙, 连永君

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 441

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    大规模集成电路(LSI)中,在芯片周界的环形区域内,环形通道布线完成线网与压焊块的自动连接与压焊块的最终定位.基于环形通道区的特征与线网路径约束关系的分析,本文提出一个新的环形通道自动全局布线方法.文中详细地讨论了线网拓扑路径总体分配的图模型和轨道优化分配公式,并介绍实现的算法.实例结果十分令人满意,优于国外同类问题的最新算法的结果.

  • Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子

    张树霖, 金鹰, 秦国刚, 盛篪, 周国良, 周铁成

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(7): 448

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    用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.

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