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Volume 12, Issue 8, Aug 1991

    CONTENTS

  • Ⅲ-Ⅴ族化合物中DX中心的新理论

    薛舫时

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 453

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    本文提出了一种新的多能谷有效质量杂质电子态理论.它用导带中的Γ、X和L三个能谷的有效质量包络函数来描述杂质电子波函数,从而得出了杂质态的能谷属性.用此理论计算了GaAs_(1-x)P_x中Si施主的束缚能级和谐振能级.得到了Γ、L和Γ-L混和态三种能级,这些能级随组分比变化的关系同DX 中心的实验结果相吻合.在此基础上对DX 中心的一些实验现象给出了新的解释.

  • 导电高分子能带的Wannier函数方法

    刘晶南, 童国平, 傅荣堂, 孙鑫

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 461

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    导电高分子的Peierls不稳定性会在费米面上产生能隙,它将半满能带分裂成价带和导带,并使体系变为半导体.本文给出了在二聚化的基础上利用Wannier函数来计算导电高分子能带的一般方法,由此可改进紧束缚近似下的SSH 模型.我们把这一方法应用于聚乙炔链并采用二聚化的一维方势阱模型,其结果是极为令人满意的.

  • 硅中氧的结构组态及热扩散行为

    陈畅生, 曾繁清, 熊传铭, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 469

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    利用变温FTIR测量和变温Hall效应测量方法,探讨了在室温(RT)至475℃温度范围内,硅中9μm峰的中心位置及其红外吸收系数随温度变化的规律.实验证实了氧在硅单晶中存在二种不同的组态:在RT—325℃范围内为Si_2O组态,其束缚能为E_b~0.8—1.0eV;在325—475℃范围内,Si_2O组态和准自由间隙氧原子组态同时并存,准自由氧原子扩散所须克服硅晶格的势垒为E_L~1.5—1.6eV.由此很好地解释了硅中氧的热扩散行为.

  • GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器

    庄婉如, 杨培生, 陈纪瑛, 李建中

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 477

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    采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18%左右,量子效率低14%左右.

  • RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质

    江若琏, 郑有炓, 马金中, 冯德伸, 江宁, 张荣, 胡立群, 李学宁

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 482

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    本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”(RRH/VLP-CVD)生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻分析显示了外延层杂质浓度分布均匀,与衬底间的界面区杂质分布陡峭.在外延层上制备了霍耳样品、PN结二极管和Al-SiO_2-SiMOS结构,经测量分析所得各项重要数据与优质硅单晶所制的样品相一致.实验结果表明RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜具有良好的电学性质,已可用于器件的制备.

  • 半导体太阳电池最佳工作参数计算新法

    宿昌厚, 庞大文

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 488

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    本文提出一个计算半导体太阳电池最佳工作参数的新方法,用它计算之结果与实测数据相比,误差在(1—3)%以内.

  • HEMT及其界面态效应的二维数值模拟

    相奇, 罗晋生, 朱秉升

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 494

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    本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs HEMT进行了模拟,讨论了 HEMT的内部工作机制,特别是异质结效应.本文着重模拟分析了HEMT中界面态对器件性能的影响。模拟结果表明界面态对HEMT的特性有显著的影响.

  • 高温超导薄膜GdBa_2Cu_3O_(7-x)的制备和分析

    易怀仁, 王瑞兰, 李宏成, 陆斌, 刘维, 陈元, 尹渤, 容锡深, 李林

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 502

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    我们用原位直流磁控溅射的方法,在(100)SrTiO_3,(110)SrTiO_3,(100)LaAlO_3和(100)Zr(Y)O_2衬底上制备了高质量外延生长的GdBa_2Cu_3O_(7-s)高温超导薄膜,重复性非常好.在这四种衬底上生长的超导薄膜最高零电阻转变温度 Tco分别为 93.2、93.1、92.6和 92.5K,77K零场下的临界电流密度分别为 3.0 ×10~6,3 × 10~5,3.6 ×10~6和 1.4 × 10~6A/cm~2.我们用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),反射高能电子衍射(RHEED)和不同几何结构的X射线衍射研究了薄膜的结构,这些研究结果证明薄膜系外延生长的.

  • 微氮硅单晶中的热受主

    杨德仁, 吕军, 李立木, 姚鸿年, 阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 509

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    本文研究了微氮硅单晶在经历不同温度热处理时电阻率的变化,发现在700℃以上退火时,n型微氮硅单晶的电阻率首先上升,随后逐渐下降,保持一稳定值,而p型微氮硅单晶的电阻率变化则相反.实验证明微氮硅单晶在 7 00℃以上退火时,产生了热受主(T A),其浓度可达 2 ×10~(14)个/cm~3,它的产生是氧氮杂质共同作用的结果,可能是一种硅中氮氧复合物.

  • MBE GaAs/GaP(001)异质外延层结构参数的X射线双晶衍射研究

    王春艳, 王玉田, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(8): 513

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    本文利用X射线双晶衍射方法,研究了分子束外延(MBE)GaAs/CaP(001)异质外延层的结构参数——晶格常数、晶胞体积.根据X射线衍射动力学理论和运动学理论分别对双晶衍射摇摆曲线的峰角位置进行了修正,二者吻合很好.修正后的结果表明:X射线双晶衍射测量中会引入一定的晶胞体积缩小量,修正后外延层的晶胞体积略大于自由状态GaAs单晶的晶胞体积,这里根据Poisson关系对 GaAs/GaP外延层晶胞体积的增大进行了解释.

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