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Volume 12, Issue 9, Sep 1991

    CONTENTS

  • 聚丁二炔(Polydiacetylenes)单晶中光生载流子的输运与复合

    彭景翠

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 519

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    采用一个修正的 Onsager模型来描述聚丁二炔(PDA’s)晶体中载流子的光产生和复合;从求解一个包括线性和非线性复合的载流子速率方程出发,第一次定量地详细讨论了PDA’s中载流子的快速衰减和慢速衰减.

  • Si(100)2×1面上钾原子间相互作用和吸附表面结构

    周煦炎, 施丹华, 曹培林

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 525

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    本文用原子集团模型和 ASED-MO方法,计算了K在Si(100)2 ×1面上不同吸附位置上的结合能和K-K相互作用能,从不同吸附结构下吸附能的计算结果,讨论了饱和覆盖度下的表面结构问题,支持了由两种类型的吸附K原子键组成的双层结构模型.

  • 半导体超晶格界面附近的电荷转移

    王仁智, 黄美纯

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 530

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    本文采用LMTO能带从头计算方法,研究了(GaAs)_1(AlAs)_1(001)和(GaAs)_2(AlAs)_2(001)超晶格界面附近的电荷转移状况,分析了引起电荷转移的电负性和对称性因素,给出了电荷转移方向的判据.

  • 氢等离子体原位清洁硅衬底表面

    沈复初, 叶必光, 陈坚, 龚晨光

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 536

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    本文研究了在用氢等离子体原位清洁硅片表面过程中,衬底温度,等离子体能量,处理时间及退火工艺对衬底表面清洁及晶格损伤的影响.实验结果表明,较高的衬底温度,较低的等离子能量有利于得到高度清洁、晶格损伤可恢复完整的硅表面.衬底温度为室温时的等离子体处理对硅表面会引入不可恢复的永久性损伤(缺陷);等离子体处理后的退火对于恢复晶格完整是极其必要的.完善的等离子体清洁处理之后,在1000℃下利用硅烷减压外延生长的外延层中,层错密度和位错密度分别小于50个/厘米~2和 1×10~3个/厘米~2.

  • 对氢化非晶硅薄膜Raman谱TA模的观测

    何宇亮, 程光煦

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 542

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    对a-Si:H及μC-Si:H膜的Raman散射谱的观测中,出现了类TA 模强度高于类TO模的情况.在非晶硅薄膜晶化过程中,类TA模同样呈现出规则性的变化,并可同C-Si一级声子谱的TA模精细结构对应起来.说明通过分析类TA模精细结构的变化,同样可用来分析研究a-Si:H膜中结构变化及其晶化过程的规律.

  • CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性

    马槐楠, Eric A.Vittoz, 徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 546

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    在 CMOS工艺结构中,将位于阱中的 MOS 器件加适当的偏置,可以使其变为体内器件、以横向双极管的模式工作.本文利用 3μm P-well和 2μm N-well两种 CMOS工艺设计了这种横向双极器件,分析讨论了这种器件的工作原理和特点,并给出其典型的直流和交流参数的实验数据.这些分析和实验数据将有助于电路设计者了解和掌握该器件的电流、频率工作范围及特性,以便在CMOS电路中充分发挥其特长.

  • 掺磷氢化硅低温微晶化的研究

    耿新华, 孟志国, 陆靖谷, 孙钟林, 徐温元

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 555

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    我们用辉光放电法在较低的衬底温度下(90℃)获得了掺磷微晶化硅(n~+μC-Si).并对微晶化与工艺条件之间的关系进行了详细的研究,在150℃衬底温度,2%掺杂时获得了电导率近30(Qcm)~(-1),电导激活能近似为零的微晶化材料.对微昌化材料的结构进行了小角度X光衍射,拉曼散射谱的分析,并用扫描电镜观察了形貌.这种材料的晶粒较小而且结构均匀.又由于生长温度低,rf功率小,有利于与其它器件工艺匹配.文章对实验结果进行了讨论.

  • 实现SOI结构的ELO方法中SiO_2上Si多晶核的形成与抑制

    阎春辉, 刘明登, 全宝富, 朱袁正, 张旭光, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 561

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    本文从分析Si在SiO_2上成核的一般过程出发,利用新的成核理论,分析出影响成核的重要因素是氢吸附;并着重针对ELO过程的特点,通过大量实验研究了各种条件对成核的影响,找到了既能完全抑制多晶成核又能实现侧向生长的最佳工艺条件.根据实验中测得的临界成核时间及沉积自由区宽度,采用间歇生长技术在20μm宽的SiO_2条上完全抑制了多晶成核,而加入 Br_2的生长/腐蚀循环工艺则在 30μm宽的SiO_2上完全抑制了多晶成核,为获得高质量的SOI材料打下了良好的基础.

  • 硅太阳电池发射区复合的分析

    丘思畴, 左磊, 丘睦钦

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 566

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    本文全面考虑了太阳电池发射区的重掺杂效应,计算了高斯分布下,表面杂质浓度和表面复合速度对内部复合速度及发射区暗电流的影响.

  • 场助GaAs-玻璃键合工艺的研究

    吕世骥, 黄庆安, 童勤义

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 570

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    本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单点接触电极得到的键合界面较好.直拉法的结果表明,键合强度大于GaAs体单晶的强度.

  • 增益开关半导体激光器产生高重复率的ps光脉冲

    孙伟, 衣茂斌, 王艳辉, 刘宗顺

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 575

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    本文报道用增益开关1.3μm InGaAsP半导体激光器产生 ps光脉冲,光脉冲宽度(FW·HM)随频率在 16—23 ps之间变化,重复频率在 1—5 GHz范围连续可调.

  • LP-MOVPE Ga_(1-x)In_xAs/InP量子阱结构材料

    段树坤, 熊飞克, 李学斌, 李晶, 王玉田, 江德生, 徐俊英, 万寿科, 钱家骏

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(9): 578

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    本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和界面质量较好、光致发光和光吸收谱的测量都观测到因量子尺寸效应导致的带间跃迁向高能方向的移动.

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