用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场.
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In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 133
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中子辐照硅的正电子湮没寿命谱研究
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 143
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研究了中子辐照硅中正电子湮没寿命谱的等时退火特性,得到与文献[1]不相同的结果.实验资料对比表明,本工作的结果与EPR、IR、DLTS的实验能更好地符合.对[1]中的双空位运动形成四空位的模型提出质疑.指出中子能谱不同很可能是导致缺陷俘获态寿命退火特性相异的重要原因.
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O_2在FeSi(100)表面的初始吸附研究
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 147
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本文利用高分辨电子能量损失谱(HREELS),俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)详细研究了O_2在FeSi(100)表面上的初始吸附阶段(0-10L),以及温度(RL-550℃)对吸附的影响.此外,通过对实验结果的分析,给出一种室温下O原子在FeSi(100)表面上吸附的模型.
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MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 155
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应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究经MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs 单量子阱和多量子阱激光器深能级.样品的 DLTS谱表明,在激光器的量子阱和 n-GaAlAs 限制层里均存在着一个浓度和俘获截面较大的高温电子陷阱,该陷阱可能与MOCVD生长工艺和质子轰击引进的损伤有关,它直接影响激光器的性能.DX中心和高温电子陷阱在量子阱里可能局域在GaAlAs/GaAs层的界面附近.
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用静态升华法生长HgI_2大单晶体及其性质的观测
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 162
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本文报道了用改进了的静态升华法生长大尺寸优质HgI_2单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的透过率和光电特性.实验结果表明,采用这种方法生长HgI_2单晶,设备简单,便于控制成核和生长条件,有利于获得低位错密度大单晶体,是一种行之有效的方法.
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ZnSe-ZnTe应变层超晶格的Raman光谱研究
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 167
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本文报道室温下的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物 ZuSe-ZnTe应变层超晶格的 Raman光谱,得到纵光学声子频移和超晶格结构参数的关系.当超晶格每层厚度大于40A时,纵光学声子模频移随层厚变化不明显,基本稳定在一定值;当层厚小于40A时,纵光学声子模频率随层厚减小而相对其体材料值的变化越来越大,并且应力效应引起的频移比限制效应引起的红移要大得多.ZnSe纵光学声子模频率随层厚减小向低波数移动,ZnTe纵光学声子模频率向高波数移动.从Raman光谱估计这种应变层超晶格的临界厚度约为40A.
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硅中吸除技术的物理机制
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 174
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本文探讨了吸除过程中,各种不同的吸除技术在硅片的底面或内部产生的吸除源凝聚金属杂质的阱作用和发射自隙原子的源作用,以及代位金属原子在含有吸除源的硅中的扩散行为.导出了表征硅中吸除源吸除金属杂质机制的吸除方程组,并用之具体计算了不同的底面吸除源对金杂质的吸除作用.理论结果较好地解释了各种吸除技术的吸除性质,为实际硅器件工艺选择最佳吸除条件提供了理论依据.
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直接法-多次矩法联合计算高能离子注入化合物靶损伤分布
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 181
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高能注入离子在固体中的损伤分布一般采用直接法计算.但是在化合物靶的情况下,各类靶反冲原子所淀积的损伤能及其分布矩难以正确估算,直接影响直接法的运用.本文引入多次矩法予以解决,取得了良好的效果.
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耐热光敏聚酰亚胺胶的研究
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 186
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本文重点研究了耐热光敏聚酰亚胺胶的配制,探索到了最佳溶剂和添加剂(即增感剂和交联剂等)、研究了添加剂的用量与感光特性的关系.
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氢氟酸电解腐蚀硅制备的量子线阵的光致发光
Chin. J. Semicond. 1992, 13(3): 193
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在氢氟酸溶液中电解腐蚀作为阳极的单晶硅,制备了硅量子线阵.根据其光致发光谱估算了量子线横截面平均边长为2.4—3.1纳米.研究了光致发光带的峰位对单晶硅电阻率,电解液成分,电解电流密度及电解时间等量的依赖关系.
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