本文在LMTO-ASA 自治能带计算的基础上,采用冻结声子模型,对C、Si、Ge、Sn在A轴和△轴的光学声子形变势(ODPs)进行了第一原理计算,并考察了自治电荷密度计算中所取用的特殊k点的数目对ODPs计算结果的影响以及在Γ点附近各形变势之间的相互关系.讨论了同一材料各形变势随k的变化规律以及不同材料之间各形变势的变化趋势.
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金刚石结构晶体Λ,△轴光学声子形变势的LMTO-ASA计算
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 393
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碲酸取代的硫酸三甘肽单晶体
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 400
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本文报道了用碲酸部分取代硫酸生长出来的新晶体TGSTE.讨论了生长环境及其生长习性.作了碲的元素分析.测定了晶体的介电和热释电性能.实验结果表明,TGSTE晶体的优值比高于TGS晶体.
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光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 405
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采用电容耦合法,在18—300K温度范围内测量了AlAs/GaAs超晶格的光伏谱.在100K以下,光伏曲线反映了台阶式二维状态密度分布,可观测到6个信号峰.采用Kronig-Penney模型计算势阱中导带和价带子带的位置和带宽,共有3个导带子带,6个重空穴子带和3个轻空穴子带.根据宇称守恒确定光跃迁选择定则,对6个峰进行指认.实验结果与理论计算的结果基本相符合.
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a-Si:H中光致亚稳变化与载流子复合
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 411
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本文通过对光致亚稳缺陷产生动力学的唯象分析,及与光致光电导变化的实验结果的比较,讨论对光致亚稳缺陷的产生起主导作用的光生载流子的复合机构.
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半导体激光器中电场分布特性的连续波电光检测
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 417
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利用连续波电光检测法首次成功地对AlGaAs/GaAs半导体激光器中的电场分布进行了测量.测量结果直接表征了器件注入电流扩展和载流子限制特性. 本文简要地描述了方法的原理和实验装置,给出了典型的测量结果并对其进行了讨论.
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亚微米LDD MOSFET’s集成电路的优化设计及研制
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 423
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本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.
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基于门阵的宏单元自动生成技术及其应用
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 430
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基于门阵列的宏单元(Gate-Array-Based Macrocell)库是门阵自动设计系统不可分割的一部分,并对其设计效率和设计成功率有着重要影响.Gmacro是清华大学计算机系设计开发的门阵自动设计系统(MALS)中的一个工具,用以实现一层半、双层金属CMOS门阵宏单元从门级结构描述到版图的自动综合.本文将针对Gmacro的构造及其中采用的技术,尤其是版图综合中的算法等做一较详细的介绍.
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CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 438
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本文研究了CZNTD Si中氧碳和缺陷-杂质复合体的热处理行为.分析了辐照和退火中的氧碳沉淀、缺陷-杂质复合体的形成、演变与施主的关系.确定了辐照施主是很少的,而主要是退火中形成的新施主,并且碳对这种施主起着强烈的促进作用.
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辉光放电电子束掺杂硼浅结
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 448
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一种新的半导体掺杂方法——电子束掺杂法成功地用于实现掺硼浅结.它是用辉光放电电子束辐照涂敷杂质源的半导体表面,形成高浓度(≥10~(20)/cm~3)、浅结(≤0.1μm)掺杂层.损伤比离子注入的小.试制成功的太阳敏感器件性能优良.
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CdTe/ZnTe超晶格的多声子共振喇曼谱研究
Chin. J. Semicond. 1992, 13(7): 453
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用共振喇曼散射研究了CdTe/ZnTe应变层超晶格的多声子谱.实验结果表明,我们首次观察到了多达10级的ZnTeLO的多声子喇曼散射,和反映超晶格结构的子带跃迁介入多声子共振喇曼散射过程的实验现象.
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