|
Issue Browser

Volume 13, Issue 8, Aug 1992

    CONTENTS

  • 稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS磁化率的研究

    陈辰嘉, 瞿明, 胡巍, 张昕, 马可军, W.Giriat

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 457

    Abstract PDF

    用振动样品磁强计和提拉法在1.5K≤T≤300K温度范围内系统测量了组分为0.03≤x≤0.45的Cd_(1-x)Mn_xS稀磁半导体单晶样品的磁化率.磁化率测量表明在高温区服从居里-外斯定律。从定量分析得到Mn~(++)离子间交换积分常数值.低场磁化率与温度变化规律(最低温度达1.5K)表明当样品x≤0.2时,体系仍然为顺磁态;而当样品组分x=0.3时,经零场冷却后磁化率在温度T_f处观测到一个尖峰,对x>0.3样品亦得到类似结果,只是磁化率在不同冻结温度T_f处对应一个较宽的峰。这些结果说明在低温区发生从顺磁态到自旋玻璃态的相变.文中给出Cd_(1-x)Mn_sS的磁相图并对此作了讨论.

  • GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计

    张敬明, 徐俊英, 肖建伟, 徐遵图, 李立康, 杨国文, 曾安, 钱毅, 陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 463

    Abstract PDF

    本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.

  • 全内反射型半导体光波导开关的位相变化

    王德煌

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 469

    Abstract PDF

    理论分析了全内反射型半导体光波导开关内的位相关系.数值计算了1.3μm InGaAsP/InP全内反射型光波导开关内的反射TE模和TM模的位相变化δ_s、δ_p和它们间相对位相差△δ.结果表明,光波导开关内开关区介质折射率变化量△n、吸收系数α和传输角θ_p对δ_s、δ_p和△δ值均有很大影响,它们间都有一种非线性变化关系.结果还表明,由于反射TE模和反射TM模间存在有相对位相差,全内反射型光波导开关将是一种有偏振特征的元器件.

  • MOSFET的电离辐照效应

    高文钰, 严荣良, 余学峰, 任迪远, 范隆

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 475

    Abstract PDF

    本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关系.结果表明,辐照引起的氧化物电荷与管子的沟道种类无关.另外,漏源电压对MOSFET的辐照响应也有影响.统计数据表明,对管子阈电压漂移有贡献的界面态的能级范围大约为 E_s/2.对实验结果进行了讨论.

  • 一个新的Over-The-Cell布线算法

    黄浦江, 洪先龙, 王尔乾

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 482

    Abstract PDF

    本文提出了一个新的Over-The-Cell通道布线算法.我们将有线问题分为两个阶段:1)单元区布线,2)通道区布线.单元区布线的目标是最大可能地减小通道密度,而不同于以在算法总企图在单元区嵌入最多的线网.文中提出了最大密度段的概念,单元区布线优先选取覆盖最大密度段的线网,这更有利于降低通道密度.布线结果只需利用较少的单元区走线道,便可有效地降低通道密度,因而增强了算法的实用性.本文提出的算法已在SUN4/110工作站上用C语言编程实现,运行结果优于国内外已发表算法的结果.

  • 应用神经网络解决连线总长最短的门阵列布局算法

    刘军, 兰家隆, 王兆明

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 487

    Abstract PDF

    本文研究了利用神经网络来解决VLSI门阵列布局优化问题.文中首先找出了门阵列布局优化问题与神经网络能量函数之间的映射关系,然后利用对应的神经网络动态特性对问题求解.由于神经网络的大规模并行计算特性,使该算法从本质上具有并行处理的特点.

  • 杂质对离子注入射程端缺陷的影响

    鲍希茂, 华雪梅, 袁远, 洪建明

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 493

    Abstract PDF

    本文研究了注入杂质对预非晶化硅的射程端缺陷的影响.提出:在固相外延时,来自非晶层内的空位与来自射程端的硅间隙原子形成相向扩散流.注入的杂质可以俘获点缺陷,从而影响了点缺陷的相向扩散流,P促进射程末端缺陷的分解,而B促进其聚结.

  • InP和GaAs中的Mg~+离子注入

    沈鸿烈, 杨根庆, 周祖尧, 夏冠群, 邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 499

    Abstract PDF

    本文研究了Mg~+离子注入InP和GaAs中的电学性能和辐射损伤行为.范德堡霍尔方法测量和电化学C-V测量均表明,快速热退火方法优于常规热退火方法,共P~+注入结合快速热退火方法能进一步减小注入Mg杂质的再分布,使电激活率大大提高。卢瑟福沟道分析则表明,相同注入条件下,InP中的辐射损伤较GaAs中大得多,大剂量注入损伤经热退火难于完全消除.

  • 氢在金刚石(100)表面的化学吸附

    陆泳, 蒋平

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 504

    Abstract PDF

    采用集团模型以自治的EHT方法计算了氢原子在金刚石(100)表面的吸附.结果表明,氢的吸附位置倾向于处在顶位.电子态密度的分布与已有的实验结果相符.

  • 静电封接过程与机理研究

    罗鸣, 赵新安, 张熙, 谭淞生, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 507

    Abstract PDF

    本文主要通过观察加热的硅-玻璃系统在静电场下的电流-时间(I-t)曲线。及其与封接状态的对应关系,用耗尽层和电场力的概念描述了封接的物理过程,讨论了表面状况对封接的影响,建立了表面粗糙程度与封接电压、材料刚度等参数的制约关系式,给出了可靠封接的余件和完成封接的I-t曲线判据.

  • 单片集成并行流水线操作16×16位数字乘法器

    洪志良, 张新源

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 511

    Abstract PDF

    本文介绍采用平行/流水线操作原理的16× 16位数字乘法器的工作原理和单片集成结果.整个电路由二相非重叠时钟控制,利用标准单元设计,由7000多门组成芯片,在双层铝布线的 2μm CMOS工艺上制备,能实现最高乘法操作每秒 7 MHz,芯片的面积为 8758 × 8878 μm.

  • 高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器

    钟战天, 周小川, 杜全钢, 李承芳, 周鼎新, 王森, 吴荣汉, 於美云, 徐俊英, 蒋健

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 515

    Abstract PDF

    探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为77 K,峰值电压响应率 R_v= 9.7× 10~5V/W,峰值探测率 D~*= 6.2 × 10~(10)cmHz~(1/2)/W.

  • 用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究

    姚振钰, 任治璋, 王向明, 刘志凯, 黄大定, 秦复光, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(8): 518

    Abstract PDF

    采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为~0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm~2V~(-1)s~(-1),比文献报道高两个量级.

Search

Advanced Search >>

Issues