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Volume 14, Issue 12, Dec 1993

    CONTENTS

  • 漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究

    程玉华, 李瑞伟, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 723

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    本文对亚微米MOSFET在漏雪崩恒流应力(DAS)条件下热载流子注入引起的退变现象做了实验研究。实验结果表明:在一般的恒流应力条件下,栅氧化层中由空穴注入形成的空穴陷阱电荷对器件特性起主要影响作用。恒流应力过程中,任何附加的电子注入都可使器件退变特性发生明显变化,实验结果还证实,漏雪崩应力期间形成的空穴陷阱电荷可明显降低器件栅氧化层的介质击穿特性。

  • 不同应力条件下亚微米MOSFET's热载流子退变特性实验研究

    程玉华, 李瑞伟, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 728

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    本文对N沟道亚微米器件在不同应力条件下的热载流子退变特性进行了实验研究。实验结果表明:热空穴注入对器件的热载流子退变特性有重要影响。文章对不同应力条件下器件中的热空穴注入与热电子注入的相互作用进行了分析。

  • 锗离子注入硅单晶的非晶化及二次缺陷的研究

    范缇文, 张敬平, P.L.F.Hemment

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 734

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    本文用卢瑟福背散射(RBS),横断面透射电子显微镜(XTEM)及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为400keV,剂量范围为1×100~(13)至1×10~(15)/cm~2,离子束流强度为0.046μA/cm~2,注入温度为室温。实验发现,在本工作的离子注入条件下,入射锗离子使硅单晶表面注入层开始非晶化的起始剂量大于0.6×10~(14)/cm~2。形成一个完整匀质表面非晶层所需的临界剂量为1×10~(15)/cm~2。热退火后产生的二次缺陷特性极大地受到退火前样品注入层非晶化程度的影响。

  • Co—Si多层膜的透射电镜研究

    顾诠, 何杰, 钱家骏, 陈维德, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 738

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    本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co、Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程中硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度、薄膜的表面形态和界面特征等微结构的变化。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340—370℃退火后在Co耗尽前Co_2Si和CoSi能同时生长(三相共存)。结合XRD分析,证实了上述结果的可靠性。

  • 聚合物半导体PAn表面场效应管

    袁仁宽, 杨树成, 袁宏, 江若莲, 郑有炓, 钱辉作, 桂德成

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 743

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    本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。

  • In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器光电响应速度研究

    王庆康, 史常忻

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 748

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    本文通过分析In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)的光电响应与指状电极间距离、光吸收层杂质浓度及工作电压之间的关系。研究结果表明、光电响应速度存在最佳值。用计算机辅助分析得到的In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD的光电响应时间与偏置电压的关系与实验器件实测结果相一致。研究结果为设计高速响应In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD及建立器件光电响应模型提供了依据。

  • 用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度

    褚幼令, 王宗欣, 吴天福

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 754

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    用微波光电导谱仪测量了一些pn结样品的微波光电导谱(MPCS),对于每一块样品光分别从p面和n面入射,因而可以测得不同的谱;讨论了从pn结的MPCS中计算p区、n区少子扩散长度的方法,并用计算机拟合得到这些样品的p区、n区少子扩散长度和表面复合速度等参数;由于是无接触测试,因此本方法可作为某些pn结器件制造工艺过程中寻找最佳工艺条件的一种监测手段。

  • 单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率

    华文玉, 陈存礼

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 760

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    本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。

  • 分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究

    梁基本, 孔梅影, 王占国, 朱战萍, 段维新, 王春艳, 张学渊, 曾一平

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 768

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    用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。

  • 用离子注入控制形成多孔硅发光图形

    杨海强, 鲍希茂, 杨志锋, 洪建明

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 771

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    本文提出了一种形成多孔硅发光图形的方法。以淀积的Al作掩膜,通过硅自注入使样品选区非晶化。阳极处理使单晶区生成发光区,非晶区成为不发光区,形成多孔硅发光图形,分辨率达2μm。讨论了离子注入对多孔硅形成与发光的影响。

  • 非晶硅太阳电池的正向注入电流检测磁共振研究

    傅济时, 吴恩, 毛晋昌, 朱美栋, 廖显伯

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(12): 774

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    本文首次报道p~+-i-n~+a-Si:H太阳电池的注入电流检测磁共振研究。实验研究了该自旋有关的注入电流效应与正向注入电流、辐照光强以及光电压检测磁共振(PDMR)的关系。结果表明该效应有比PDMR更高的灵敏度,可用于非晶及晶体势垒器件的例行检测。

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