本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。
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极性半导体中表面激子的性质
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 67
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CdTe/ZnTe应变量子阱的静压光致发光研究,
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 76
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在77K和0—50kbar静压范围内研究了阱宽分别为m=4.8,12个单原子层的(CdTe)_m/(ZnTe)_n应变量子阱的静压光致发光。在常压下,m=8和12的量子阱的发光峰比m=4的量子阱的发光峰显著变宽。表明在这两个阱中应变已发生弛豫。用Kronig-Penney模型计算的峰值能量证实了这一点。在所测静压范围内峰宽无明显增加。它们的压力系数从m=12的6.81meV/kbar增加到m=4的8.24meV/kbar。计算表明,势垒高度随压力增加而增加是使压力系数随阱宽减小而增加的主要原因。
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钛在硅浅结互连中引进深能级的研究
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 83
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钛在硅浅结互连中作为铝硅阻挡层已成功地应用在器件工艺中。但它在P-Si一侧引进一个深能级中心,其能级位置在Ev+0.38eV,浓度分布为(-3)×10~(12)cm~(-3);在N-Si一侧引进三个深能级中心:E_c-0.22eV,E_c—0.40eV和E_c-0.55eV,其浓度分布在(1.6—2.6)×10~(11)cm~(-3)。有关参数表明,它对器件的性能有一定的影响。
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AlGaAs/GaAs异质结构外延材料均匀性的电光测量
朱祖华, 丁纯, 丁桂兰, 王硕勤, 沈浩瀛, 彭正夫, 王翠莲
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 88
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本文介绍了连续波电光检测法(CWEOP—continuous wave electro-optic probing)应用于AlGaAs/GaAs异质结构材料均匀性测量的原理、实验装置和实验结果。扫描电子显微镜电压衬度技术也用于观察测量样片,比较两者的结果发现有较好的对照。最后,讨论了实验结果,并对方法的应用作了展望。
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隧道谱仪及其应用
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 94
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本文描述隧道谱仪的测量原理,并给出一个隧道谱测量系统的结构。利用该系统测量了硅隧道二极管和分子束外延单晶态CoSi_2/N~+-Si肖特基势垒二极管中的硅声子谱,以及GaAs/Al_xGa_(1-x)As双垒单量子阱中的不同共振隧穿机构。显示了隧道谱仪是研究固体中量子隧穿现象的一种有力工具。
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AI/W/TiN/AI及AI/W/TiW/AI结构特性研究
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 103
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本文研究了H_2还原WF_6在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上LPCVD生长钨膜的特性。测量和分析了Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构的接触电阻和界面特性,研究了两种结构的热稳定性。结果表明,H_2还原WF_6可以在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上实现选择性钨淀积,钨膜质量较好。Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构接触电阻率为10~(-?)Ωcm~2量级,远低于难熔金属硅化物同硅的欧姆接触电阻率。两种结构的热稳定性良好。采用TiN或TiW作为Al和W之间的隔离层,CVD-W填充互连层连通孔可以满足多层金属平坦化互连技术的要求。
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热处理CZ—Si中氧化物沉淀早期发展的研究
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 111
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本文利用TEM研究了850℃热处理直拉硅单晶中的氧化物沉淀行为。通过不同预处理样品的对比,得出点状沉淀是片状沉淀前身的结论。
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Si(111)7×7表面结构的运动学低能电子衍射及数据平均方法的研究
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 118
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本文用运动学低能电子衍射(KLEED)及数据平均方法(CMTA)对Si(111)7×7表面结构进行了研究。经过对DAS和DACS模型的彻底优化,我们得到了和实验最相符合的DAS模型,并给出了该表面前五层原子的全部结构参数。
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多孔硅光致发光峰值能量随HF浓度变化的台阶行为
张树霖, 侯永田, 何国山, 申猛燕, 钱必东, 刁鹏, 蔡生民
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 123
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研究了在不同HF浓度下用电化学方法生成的非简并P型多孔硅的光致发光谱,发现多孔硅荧光谱的峰值能量随HF浓度的变化是“台阶”式的非连续跃变。我们用多孔硅量子线的限制效应并结合多孔硅的形成机制解释了这种“台阶”现象、分析表明,“台阶”现象反映了量子限制效应在多孔硅荧光和形成过程中必然存在的量子化行为。
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短周期(Ge)_n(Si)_n应变超晶格电子结构的自洽赝势计算
Chin. J. Semicond. 1993, 14(2): 128
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在局域密度近似下,用第一原理自洽赝势的方法计算了短周期超晶格(Ge)_1(Si)_1和(Ge)_2(Si)_2的能带结构。结果表明(Ge)_1(Si)_1是间接带,导带最低点在布里渊区的X点。(Ge)_2(Si)_2也是间接带,导带最低点在布里渊区M点附近。给出了禁带宽度及自旋轨道分裂值,并与有关的理论和实验做了比较。
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