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Volume 14, Issue 5, May 1993

    CONTENTS

  • 金属包层五层介质光波导的模吸收损耗

    马春生, 曹杰, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 265

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    本文通过求解Helmholtz方程得到金属包层五层介质光波导TE和TM模的场分布方程和特征方程,并以空气/Au/SiO_2/GaAs/AlGaAs五层MOS光波导为例在复平面内数值求解了复特征方程,给出了TE和TM模的吸收损耗的数值结果,讨论了某些波导结构参量对模吸收损耗特性的影响。

  • 浮区中相变对流和毛细对流对分凝过程的影响

    熊斌, 胡文瑞

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 270

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    本文用“迎风有限元”法研究了在微重力条件下包含热毛细对流、相变对流及热和浓度扩散过程的浮区晶体生长过程,特别是半导体晶体生长的分凝效应。分析了不同典型参数条件下的流场、温度场、浓度场、熔化界面及固化界面形状,着重讨论了不同条件下的分凝过程。结果表明,相变对流对分凝有影响,它使固化界面处的杂质浓度增大。增大晶体的生长速度会使熔区变小,使固化界面变得平坦,使熔化界面变尖凸,使分凝程度增大。

  • 短沟道薄膜全耗尽SOI/MOSFET's大信号电容模型

    程玉华, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 278

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    本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应等对电容特性的影响。通过与体硅器件的二维模拟和实测电容特性以及已报道的薄膜SOI器件电容模型相比较可知,本文模型可较好地描述短沟道SOI器件的电容特性。另外,所建电容模型形式简洁,参数提取方便,因而可做为薄膜全耗尽SOI器件大信号电容模型移植到电路模拟程序(如SPICE)之中。

  • GaAs对称定向耦合光开关的研究

    冯浩, 李锡华, 王明华, 吴志武

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 286

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    本文报道了GaAs对称定向耦合光开关的研制,分析了器件的工作原理和影响串音度的因素。首次实现了电极自对准工艺,减小了电极的套刻误差。在λ=1.15μm下测试器件开关特性,得到了小于—26dB的串音度和13~v的开关电压。用小信号测量法测得器件带宽大于1GHz。这种开关将在GaAs开关列阵中得到应用。

  • 考虑碰撞电离下的亚微米MOSFET的二维数值模拟和分析

    张锡盛, 何新平, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 292

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    本文讨论了准确模拟亚微米MOSFET碰撞电离所用的模型和算法。碰撞电离项被自洽地加到器件模拟程序PISCES中,用这个程序,我们计算了PN结击穿电压和0.75μm MOS-FET不同偏压下的衬底电流,结果和实验符合。

  • 沟道大电流感应n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅氧化层的加速击穿

    黄美浅, 黎沛涛, 马志坚, 郑耀宗, 刘百勇, 李观启

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 297

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    本文研究n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET’s)的栅氧化层的击穿特性。由于受导电沟道横向电场产生的沟道大电流的影响,MOSFET’s的栅氧化层的动态击穿场强远低于有相同栅氧化层的MOS电容器的静态击穿场强。耗尽型MOSFET’s的栅氧化层动态击穿场强主要由漏-源穿通电压决定,而增强型器件主要由深耗尽层击穿电压决定。无论是耗尽型还是增强型器件,栅电压在一定范围内增加时,栅氧化层动态击穿场强下降。

  • GaAs电学参数温度性质的研究

    张声豪

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 304

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    本文用表面光伏方法和计算机拟合技术,在21—320K温度范围内得到N-GaAs的重要电学参数L_p、μ_p、n_0、S和V_(SO)的温度关系曲线。通过对这些温度关系曲线的理论分析和拟合计算,进一步得到样品的施主杂质浓度N_D、杂质电离能ε_D、基态简并度g_D和杂质补偿度K_I的数值,少子迁移率μ_p(T)的经验公式和表面费米能级E_(FS)的温度关系曲线。文中还推导了有关的理论公式。

  • LPCVD氮化硅膜的表面氧化对pH—ISFET特性影响的研究

    牛文成

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 313

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    本文提出一种用高压蒸煮来处理LPCVD氮化硅膜的表面,可以抑制使用中慢氧化的方法。使用这种处理可以提高pH-ISFET的灵敏度、线性响应范围和稳定性。在此基础上,再用HF进行表面改性处理,不仅使pH-ISFET的灵敏度提高到接近能斯特(Nernst)理论值,而且稳定性也有一定的改善。

  • Yb、Er双注入SI—InP发光中的浓度猝灭效应和光子雪崩现象研究

    曹望和, 张联苏

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 318

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    本文首次报道了Yb、Er双注入SI-Inp中Yb~(3+)1.04μm和Er~(3+)1.54μm发光行为,观察到了浓度相互猝灭效应和光子雪崩现象。

  • 发光多孔硅高分辨电镜分析

    鲍希茂, 闫锋, 柳承恩, 郑祥钦, 王路春, 朱健民, 李齐

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 322

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    高分辨率透射电子显微镜分析表明,发光多孔硅是由直径为20A左右的晶粒组成的珊瑚状多孔体。多孔硅仍保持原单晶硅衬底的晶体结构框架。

  • a-Si:H中光致亚稳缺陷产生的弛豫过程:HCR和DCR模型的实验检验

    孙国胜, 孔光临

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(5): 325

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    我们报道a-Si:H中光电导在不同光照/退火循环中和不同光照强度下随光照时间的衰减行为。利用光致亚稳缺陷产生的扩展指数规律,我们对光电导数据进行了拟合,根据拟合参数,光电导衰减的时间参数τ和弥散因子β,仔细地比较和讨论了HCR模型和DCR模型,结果表明HCR模型能够较好地解释我们的实验结果。

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